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[sic substrate ]

일치

296

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55mm/1010mm 실리콘 탄화물 웨이퍼 두께 350μm Sic 3C-N 타입 고기계 강도 생산 등급

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SiC 씨 웨이퍼 4H N 타입 Dia 153 155 2인치-12인치 MOSFET 제조에 맞춤

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2" InSb-Te EPI 서브스트라트 좁은 대역 반도체 서브스트라트 홀 부품

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2인치 SIC 실리콘 탄화물 웨이퍼 4H-N형 MOS 장치 디아 0.4mm

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CVD SiC 에피타시 웨이퍼 2인치 3인치 4인치 6인치 에피타시 두께 2.5-120um 전자 전력

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12인치 300mm SiC 실리콘 탄화물 웨이퍼 4H-N 타입 덤미 프라임 연구 등급 다중 응용

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SiC Ceramic Optical Path Board for Wafer Inspection Equipment Parallelism ≤0.02mm

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8인치 SiC 에피타시얼 서브스트라트 MOS 등급 프라임 등급 4H-N 타입 큰 지름

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4 5 6 7 8 9 10 11

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2인치/4인치/6인치/5.05.0mm/10.010.0mm Sic 실리콘 탄화물 기판 타입 3C-N 축: < 111 > ± 0.5° 생산 등급

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12인치 시크 웨이퍼 실리콘 탄화물 4H-N 타입 생산 등급

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6인치 실리콘 탄화물 반 단열성 SiC 복합 기판 P 타입 N 타입 싱글 폴리쉬 더블 폴리쉬 생산 등급

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2인치 4인치 6인치 시크 실리콘 탄화물 기판 6H 높은 P-도핑형

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6인치 시크 실리콘 탄화수소 기판 통신 및 레이더 시스템용 6H-P 타입 직경 150mm Prime Grade

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6인치 시크 실리콘 탄화물 기판 4H-P 지름 150mm 두께 350μm 제로 MPD 생산, 표준 생산 등급

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시크 실리콘 카바이드 기판 6H-P 타입 0° 축 모스 경도는 레이저 장치에 9.2

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높은 순수성 도핑되지 않은 실리콘 카바이드 sic 웨이퍼, 6Inch 4H-Semi Sic 실리콘 카바이드 기질

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SiC 인고트 6인치 인고트 4H-N SiC 프라임 등급 덤미 등급 실리콘 탄화물 인고트 고강성 인고트

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12인치 시크 싱글 크리스탈 실리콘 탄화물 기판 대용량 고순도 직경 300mm 제품 등급 5G 통신

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4 인치 6 인치 갈륨 질화물 웨이퍼 간-ON-식 epi 웨이퍼

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반열성 SiC Si 복합 웨이퍼 4H-SEMI 기판 P 타입 N 타입 두께 500um

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