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[sic substrate ]

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고순도 SiC로 코팅된 웨이퍼 취급 및 전송용 수송판

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10x10x0.5mm HPSI 1 SP (기술병) 2 SP (기술병) 4H 세미 SIC 탄화규소 와페르서브스트레이트

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5 6 7 8 9 10 11 12

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2인치 직경 50.8mm 4H-N 타입 SiC 에피택셜 웨이퍼 (고온 센서용)

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4인치 시크 실리콘 탄화물 웨이퍼 6H-P 타입 두께 350μm 제로/프라임 등급 덤미 등급

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4인치 SiC 에피타시얼 웨이퍼 4H-N 지름 100mm 두께 350μm Prime Grade

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2인치 4H-P SIC 실리콘 탄화물 웨이퍼 광발광용 두께 350μm 지름 50.8mm 제로 등급

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4인치 실리콘 카비드 시크 웨이퍼 4H-P 타입 직경 100mm 두께 350μm 프라임 등급 연구 등급

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55mm/1010mm 실리콘 탄화물 웨이퍼 두께 350μm Sic 3C-N 타입 고기계 강도 생산 등급

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SiC 씨 웨이퍼 4H N 타입 Dia 153 155 2인치-12인치 MOSFET 제조에 맞춤

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2" InSb-Te EPI 서브스트라트 좁은 대역 반도체 서브스트라트 홀 부품

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2인치 SIC 실리콘 탄화물 웨이퍼 4H-N형 MOS 장치 디아 0.4mm

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CVD SiC 에피타시 웨이퍼 2인치 3인치 4인치 6인치 에피타시 두께 2.5-120um 전자 전력

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장비를 위한 주문 제작된 크기 실리콘 카바이드 기판 견고성 9.4 Sic 부품

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