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4 인치 6 인치 갈륨 질화물 웨이퍼 간-ON-식 epi 웨이퍼
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4 인치 6 인치 갈륨 질화물 웨이퍼 간-ON-식 epi 웨이퍼

원래 장소 중국
브랜드 이름 zmsh
인증 ROHS
모델 번호 간-ON-SIC
제품 상세정보
재료:
GaN ON 상태 탄화실리콘
산업:
반도체 웨이퍼, LED
애플리케이션:
반도체 디바이스, LD 웨이퍼, LED 웨이퍼, 익스플로러 검출기, 레이저,
타입:
epi 웨이퍼
맞춤형:
좋아요
사이즈:
공통의 2inchx0.35mmt
두께:
350±50um
레이어:
1-25UM
전위 밀도:
<1e7cm-2>
하이 라이트: 

6 인치 epi 웨이퍼

,

간-ON-식 EPI는 웨이퍼로 만듭니다

,

EPI는 갈륨 질화물 웨이퍼를 계층화합니다

제품 설명

 

 

4 인치 6 인치 간-ON-식 에피 층은 간-ON-시 EPI 층 웨이퍼를 웨이퍼로 만듭니다

 

간-온-간에 대해 간-온-SIC 특징은 도입합니다

 

GaN 에피택셜 웨이퍼 : 다른 기판에 따르면, 그것은 주로 4 종류로 분할됩니다 : GaN ON 상태 실리콘, 간-온-식, GaN ON 상태 사파이어와 간-온-간.
     

    GaN ON 상태 실리콘 : 현재 산업 생산 수율은 낮지만, 그러나 비용 감축에 대한 엄청난 잠재력이 있습니다 : Si가 가장 성숙한 저결함과 가장 로베스트-코스트 기판 물질이기 때문에 ; 동시에, 웨이퍼 비용은 SiC 기지의 그것의 1 퍼센트 일 뿐이도록, Si는 8 인치 웨이퍼 팹으로 확장되고 단위 생산량 비용을 줄일 수 있습니다 ; Si의 성장율은 SiC 결정 재료의 것보다 200 내지 300 배이고 상응하는 팹 장비 절하와 비용, 기타 등등 간-온-시 에피택셜 웨이퍼의 에너지 소비 차이가 주로 전력 전자 장치의 제조에서 사용되고 기술적 추세는 대규모 켜쌓기 기술을 최적화하는 것입니다.
   

   간-온-식 : SiC의 우수한 열전도율을 결합시키면서 GaN의 고출력 밀도와 저손실 능력과 함께, 그것은 RF에 쓸 유지 가능한 소재입니다. SiC 기판에 의해 제한되어 현재 크기는 여전히 4 인치와 6 인치로 제한되고 8 인치가 장려되지 않았습니다. 주로 에피택셜 웨이퍼가 익숙한 간-온-식은 전자 레인지 고주파용 장치를 제조합니다.
       

GaN ON 상태 사파이어 : 주로 LED 시장에서 사용되어 주류 규모는 4 인치이고 사파이어 기판 위의 GaN LED 칩의 시장 점유율이 90% 이상에 도달했습니다.

 

     간-온-간 : 호모지니우스 기판을 사용하는 GaN의 주요 애플리케이션 시장은 푸른 / 그린 레이저이며, 그것이 레이저 디스플레이, 레이저 기억 장치, 레이저 조명과 다른 현장에서 사용됩니다.
    
갈륨-질소 장치 디자인과 생산 : 갈륨-질소 장치는 고주파용 장치와 전력 전자 장치로 분할됩니다. 고주파 주파수 장치품은 PA를 포함합니다, 있는 LNA, 스위치, 마믹스, 기타 등등이 기지국 위성, 레이더와 다른 시장에 향하게 했습니다 ; 전력 전자 장치 제품은 SBD, 노멀리 오프 FET을 포함합니다. 정상적으로 켜진 FET, 캐스코드 FET과 무선 충전을 위한 다른 제품, 전원 스위치, 엔벨로우프 트랙킹, 인버터, 컨버터와 다른 시장.
절차에 따르면, 그것은 2가지 범주로 분할됩니다 : HEMT (고전자이동도 트랜지스터), 헤테로바이폴러 트랜지스터 라디오 주파수 처리와 파워페트 전력 전자 장치 과정인 SBD.

 

애플리케이션

  1. - 다음이 다양한 채 이끕니다 백색 LED, 보라색 LED, 자외선 led, 청색 LED
  2. - 환경적 탐지
  3. 유기 금속 CVD 법 기타 등등에 의한 열벽 증착기를 위한 기판
  4. - 레이저 다이오드 : 극단적 작은 프로젝터를 위한 보라색 LD, 녹색 LD.
  5. - 전력 전자 장치
  6. - 고주파 전자 장치
  7. 레이저 프로젝션 디스플레이, 전력 소자, 등.
  8. 날짜 저장
  9. 에너지 효율 조명
  10. 높은 효율 전자 장치
  11. 신 에너지 태양의 수소 기술
  12. 조명 공급원 테라헤르츠 밴드

각각 등급 동안 간-온-간 기판을 위한 상술

             

 

 

4-6"GaN ON-SIC
항목 타이핑하세요 : n형 탄화 규소
차원 사이즈 Ф 100.0 밀리미터 ± 0.5 밀리미터
기판의 두께 350 ± 30 um
기판의 배향C-axis(0001)에서 떨어져 있는 4'
니스DSP
Ra <0>
엡일리야러 구조0.5 um pGaN/20um iGaN/2um nGaN/FS-GaN
Epi 두께 / STD 1~25um/<3>
거칠기 <0>
디스콜레이션 비중 <1x107cm-2>
피간 캐리어 농도 >1E17CM-3 ;
이간 캐리어 농도 > 1E17CM-3 ;
엔간 캐리어 농도 >1E17CM-3 ;
 
사용가능 영역 P level>90% ; R level>80% : Dlevel>70% (모서리와 대형 결점 배제)

 

4 인치 6 인치 갈륨 질화물 웨이퍼 간-ON-식 epi 웨이퍼 04 인치 6 인치 갈륨 질화물 웨이퍼 간-ON-식 epi 웨이퍼 1

4 인치 6 인치 갈륨 질화물 웨이퍼 간-ON-식 epi 웨이퍼 2

우리의 서비스

1. 공장 직접적 제조업과 판매.

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3. 24 업무 시간 이내에 당신에게 대답하세요.

4. ODM : 디자인을 특화한 것은 이용할 수 있는.

 

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FAQ

큐 : 어떠한 주가 또는 표준품이 있습니까?

한 : 예, 항상 주식에서 like2inch 0.3 밀리미터 표준 크기로서의 공통의 사이즈.

 

큐 : 샘플 정책은 어떻습니까?

한 : 당신이 10x10mm 사이즈가 첫째로 테스트를 위해 지원한 일부를 구입할 수 있다고 미안하지만, 제안하세요.

 

큐 : 내가 지금 주문하면, 얼마나 오래 i가 배달을 얻기 전에 그것이 있을 것입니까 ?

한 : 1 주에 주식에서 표준 크기는 지불 뒤에 나타내질 수 있습니다.

 그리고 우리의 지불조건은 50% 저장고이고, 배달 전에 떠났습니다.

4 인치 6 인치 갈륨 질화물 웨이퍼 간-ON-식 epi 웨이퍼 3

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