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[sic substrate ]

일치

296

제품

2인치 / 4인치 / 6인치 시크 실리콘 탄화물 기판 4H-P 타입 오프 축 2.0° 생산 수준

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실리콘 카바이드 웨이퍼 4H-P형 0°축

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시크 실리콘 탄화물 웨이퍼 55mm/1010mm 4H-P 타입 생산 등급

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시크 실리콘 탄화물 기판 5.0*5.0mm 제곱 6H-P 타입 두께 350μm 제로 등급 덤미 등급

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실리콘 카비드 SIC 웨이퍼 10*10mm 6H-P 두께 350μm 고전력 장치용

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시크 광체 렌즈 10x10x10mmt 4H-SEMI HPSI 모양과 크기가 맞춤형 6SP 두께 10.05

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8인치 SiC 에피택셜 웨이퍼 직경 200mm 두께 500μm 4H-N 타입

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2인치 시크 실리콘 탄화수소 기판 3C-N 타입 50.8mm 지름 생산 등급 연구 등급 덤미 등급

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2인치 3인치 4인치 6인치 SiC 에피타시얼 웨이퍼 4H-N 생산 등급

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6인치 SiC 에피택셜 웨이퍼 직경 150mm 4H-N 타입 4H-P 타입 5G 통신용

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실리콘 카비드 기판 4'' 시크 3C-N 지름 100mm 전도성 제로형 MPD 생산 등급

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2인치 직경 50.8mm 4H-N 타입 SiC 에피택셜 웨이퍼 (고온 센서용)

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4인치 시크 실리콘 탄화물 웨이퍼 6H-P 타입 두께 350μm 제로/프라임 등급 덤미 등급

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4인치 SiC 에피타시얼 웨이퍼 4H-N 지름 100mm 두께 350μm Prime Grade

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2인치 4H-P SIC 실리콘 탄화물 웨이퍼 광발광용 두께 350μm 지름 50.8mm 제로 등급

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4인치 실리콘 카비드 시크 웨이퍼 4H-P 타입 직경 100mm 두께 350μm 프라임 등급 연구 등급

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고순도 실리콘 카비드 (SiC) 분말 99.9999% (6N) HPSI 유형 100μm 입자 크기 SIC 결정 성장

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맞춤형 사각 광학 윈도우 그린 모이사나이트 SiC 결정 고경도

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6인치 초고전압 SiC 에피택셜 웨이퍼 100–500 µm (MOSFET 장치용)

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반도체 프로세스 안정화 및 장비 컨디셔닝을 위한 SiC 덤비 웨이퍼

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‌6H-N 타입 SiC 웨이퍼: 2인치 기판, 두께 350μm 또는 650μm‌

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화면

2 SP (기술병) 4H 세미 4H-N SIC 탄화 규소 웨이퍼 10 Ｘ 10 Ｘ 0.5 밀리미터

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SiC 세라믹 베어링 볼 G5 등급 고경도

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고품질의 4H-N 실리콘 탄화물 기판 (12-인치/300mm)

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프라임 2" 3" 4" 6" 4h-Semi 4H-N Insulating Sic 기판 Silicon Carbide sic 웨이퍼

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CVD SiC 전극 플라즈마 에칭 및 반도체 공정 챔버

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2인치 N형 6H 폴리 타입 실리콘 탄화물 기판 광전자

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쿠스토미즈드 간-온-간 SiC 실리콘 사파이어 기판 에피택셜 웨이퍼 4 인치 Dia 100 밀리미터

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3 4 5 6 7 8 9 10

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​​SiC 세라믹 베어링 볼 G5 등급 고경도​​

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