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| 브랜드 이름: | ZMSH |
| 모델 번호: | 6 인치 SiC 에피택셜 웨이퍼 |
| MOQ: | 25 |
| 가격: | by case |
| 배달 시간: | 5-8weeks |
| 지불 조건: | T/T |
5G 통신용 6인치 SiC 에피 웨이퍼, 직경 150mm, N형 P형
탄화규소(SiC) 전력 반도체 제조의 핵심 소재인 6인치 4H-SiC 에피 웨이퍼는 4H-N형 SiC 기판을 기반으로 하며, 화학 기상 증착(CVD)을 사용하여 성장하여 높은 균일성, 낮은 결함 밀도 및 뛰어난 전기적 성능을 달성합니다. 기술적 장점은 다음과 같습니다. 1. 재생 에너지 시스템
· 결정 구조: 격자 정합을 최적화하고 마이크로파이프/적층 결함 결함을 최소화하기 위해 4° 오프컷된 (0001) 실리콘 면 방향. 1. 재생 에너지 시스템
· 전기적 성능: 2×10¹⁴–2×10¹⁹ cm⁻³(±14% 공차) 사이에서 정밀하게 제어되는 N형 도핑 농도는 in-situ 도핑 기술을 통해 0.015–0.15 Ω·cm의 저항률을 달성합니다. 1. 재생 에너지 시스템
· 결함 제어: 표면 결함 밀도 <25 cm⁻² (TSD/TED), 삼각 결함 밀도 <0.5 cm⁻², 자기장 보조 성장 및 실시간 모니터링을 통해 보장됩니다.국내에서 개발된 CVD 장비 클러스터를 활용하여 ZMSH는 기판 처리부터 에피 성장까지 전체 공정 제어를 수행하며, 신에너지 자동차, 태양광 인버터 및 5G 기지국 분야의 응용 분야에 대한 신속한 소량 배치 시험(최소 50개 웨이퍼) 및 맞춤형 솔루션을 지원합니다.
6인치 SiC 에피 웨이퍼의 주요 매개변수
| 1. 재생 에너지 시스템사양 | 직경 |
| 150 mm (±0.2 mm) | 두께 |
| 50–100 μm (고전압) | 도핑 농도(N) |
| 2×10¹⁴–2×10¹⁹ cm⁻³ | 표면 결함 밀도 |
| <25 cm⁻² (TSD/TED) | 저항률 |
| 0.015–0.15 Ω·cm (조절 가능) | 가장자리 제외 |
| 3 mm | 6인치 SiC 에피 웨이퍼의 핵심 특성 |
캐리어 이동도: 전자 이동도 >900 cm²/ (V·s), 6인치 SiC 에피 웨이퍼는 더 빠른 스위칭을 위해 기울기 도핑으로 향상되었습니다.
· 풍력 터빈 인버터: 대규모 풍력 터빈의 DC-AC 변환을 위한 1700V SiC 에피 웨이퍼, 에너지 변환 효율을 99.2%로 향상시키고 DC 측 손실을 15% 줄입니다.
· 하이브리드 에너지 저장: 그리드 규모 배터리 저장 시스템의 양방향 DC-DC 컨버터용 10kV SiC 모듈, 태양광/풍력 및 그리드 네트워크 간의 원활한 에너지 전송을 가능하게 합니다.
2. 데이터 센터 전력 인프라
· 초고효율 PDU: 전력 분배 장치(PDU)에 통합된 650V SiC MOSFET, 98% 효율을 달성하고 낮은 열 발산을 통해 냉각 비용을 20% 절감합니다.
· 스마트 전력망: 데이터 센터 마이크로그리드의 고전압 DC(HVDC) 전송용 3300V SiC 사이리스터, 전송 손실을 <0.3%로 최소화합니다.
3. 산업용 모터 드라이브
· 고전력 AC 드라이브: 강철 제조의 산업용 모터 드라이브용 1200V SiC IGBT 모듈, 97% 효율로 가변 속도 제어 가능 및 에너지 낭비 12% 감소.
· 보조 전원 장치(APU): 항공기 APU 인버터용 방사선 내성 6H-SiC 에피 웨이퍼, -55°C ~ 225°C에서 안정적으로 작동하며 MIL-STD-883 방사선 경도 테스트를 통과합니다. ZMSH의 6인치 SiC 에피 웨이퍼 서비스
6인치 SiC 에피 웨이퍼 FAQ 2. Q: 6인치 SiC 에피 웨이퍼에서 결함 밀도를 최소화하는 방법은 무엇입니까?
A: 신에너지 자동차(주요 구동 인버터, 급속 충전 시스템), 태양광 인버터, 5G 통신 기지국 및 산업용 모터 드라이브에 널리 사용되어 에너지 효율을 높이고 전력 소비를 줄입니다. 2. Q: 6인치 SiC 에피 웨이퍼에서 결함 밀도를 최소화하는 방법은 무엇입니까?
A: 결함 밀도는 C/Si 비율 최적화(0.9), 성장 온도 조절(1590°C) 및 자기장 보조 성장을 통해 제어하여 치명적인 결함(예: 삼각 결함)을 <0.4 cm⁻²로 줄입니다.
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