맞춤형 SiC 트레이: CVD SiC SSiC 평면 홈 고열전도율 낮은 열팽창 계수

제품 정보

      실리콘 카바이드(SiC) 트레이는 반도체 웨이퍼 가공, 고온 열처리, CVD/PECVD 시스템, 진공로 및 기타 까다로운 산업 환경을 위한 고성능 정밀 세라믹 캐리어입니다.

주요 기능은 다음과 같습니다.

• 웨이퍼 및 공정 부품 지지
• 가공 중 웨이퍼 위치 지정
• 웨이퍼 이송 및 취급
• 고온 공정 중 부품 지지
• 반도체 장비의 정밀 세라믹 부품 역할

      당사의 공개적으로 사용 가능한 SiC 웨이퍼 트레이 제품은 반도체 웨이퍼 가공, CVD/PECVD 시스템, 진공로 및 고온 산업 응용 분야를 위해 설계되었습니다. 응용 분야에 따라 고순도 CVD SiC 또는 SSiC를 사용할 수 있습니다.   





제조 공정
 

      실제 제조 공정은 SiC 재료 시스템 및 응용 분야 요구 사항에 따라 다릅니다. 일반적인 제조 경로는 다음과 같습니다.
 

1. 원자재 선택 및 준비
      CVD SiC, SSiC 또는 기타 적합한 SiC 재료는 순도 및 응용 분야 요구 사항에 따라 선택됩니다.

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2. 성형 / 프리폼 준비

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3. 소결 / 치밀화

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4. 정밀 가공
      CNC 가공 및 연삭을 사용하여 필요한 치수, 장착 구멍, 슬롯 및 구조적 특징을 얻습니다.

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5. 연삭 / 연마
      기능 표면은 응용 분야 요구 사항에 따라 정밀하게 연삭, 래핑 또는 연마할 수 있습니다.

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6. 세척 및 검사

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7. 보호 포장 및 배송
      당사의 공개 제품 정보는 성형, 소결 및 정밀 CNC 가공을 제조 경로의 일부로 식별하며, 사용 가능한 마무리 방법으로 정밀 연삭/연마도 나열합니다.                                       



주요 특징

1. 우수한 고온 안정성
      SiC 트레이는 고온 가공 환경에 적합하며 까다로운 열 조건에서도 구조적 안정성을 유지할 수 있습니다. 귀하의 게시된 제품 데이터는 작동 온도를 ≤1600°C로 명시하고 있지만, 실제 온도 성능은 특정 SiC 등급 및 공정 환경에 따라 달라집니다.

2. 우수한 열전도율
      SiC는 높은 열전도율을 제공하여 효율적인 열 전달과 보다 균일한 온도 분포를 촉진하는 데 도움이 됩니다.     
                                                                                                                       

3. 우수한 열충격 저항성
      반복적인 가열 및 냉각 주기를 포함하는 응용 분야에 적합합니다.
 

4. 높은 기계적 강도
      SiC 세라믹은 높은 기계적 강도와 강성을 제공하여 장기간의 고온 작동 중에 치수 안정성을 유지하는 데 도움이 됩니다.
 

5. 화학 및 플라즈마 저항성
      SiC는 부식성 가스 및 플라즈마를 포함하는 까다로운 반도체 환경에서 우수한 화학적 안정성과 저항성을 제공합니다.
 

6. 정밀 가공
      트레이는 고객 도면에 따라 치수, 슬롯, 구멍 및 복잡한 구조를 포함하여 가공할 수 있으며, 응용 분야 요구 사항에 따라 연삭 또는 연마가 가능합니다.

 7. 완전 맞춤형

• 직경

• 두께

• 슬롯

• 장착 구멍

• 구조

• 표면 마감

      귀하의 공개 제품 페이지는 고객 도면 또는 응용 분야 요구 사항을 기반으로 OEM/ODM 맞춤 설정을 명시적으로 지원합니다.


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주요 사양

      고객의 온도, 분위기, 순도 및 오염 제어 요구 사항에 따라 재료를 선택할 수 있습니다.


응용 분야
1.반도체 제조:
      웨이퍼 지지, 운반, 이송 및 고온 반도체 가공에 사용됩니다.

2.CVD / PECVD 가공:
      CVD 및 PECVD 가공 시스템에 적합합니다.

3.확산, 산화 및 어닐링:
      웨이퍼 확산, 산화 및 고온 어닐링 공정에 사용됩니다.

4.RTP / 에피택셜 가공
      선택된 RTP 및 에피택셜 가공 시스템에 적용 가능합니다.

5.LED 및 광전자 공학
      사파이어 웨이퍼 가공, LED 에피택셜 캐리어 시스템 및 고온 기판 지지와 같은 응용 분야를 포함합니다.

6.진공 및 열로
      고온 소결 트레이, 진공로 캐리어 및 열처리 고정구로 사용됩니다.

7.분말 야금 및 첨단 재료
      반도체 응용 분야 외에도 SiC 트레이는 분말 야금, 첨단 세라믹 소결 및 배터리 재료 열처리에도 사용할 수 있습니다.

자주 묻는 질문
Q1. SiC 트레이는 무엇에 사용됩니까?
      주로 CVD, PECVD, 확산, 산화, 어닐링 및 RTP와 같은 고온 반도체 공정에서 웨이퍼 또는 기타 부품을 지지, 운반, 위치 지정 및 가공하는 데 사용됩니다.

Q2. SiC 트레이를 맞춤 설정할 수 있습니까?
      예. 치수, 두께, 형상, 슬롯 형상, 장착 구멍 및 복잡한 구조는 고객 도면 및 응용 분야 요구 사항에 따라 맞춤 설정할 수 있습니다.

Q3. 어떤 재료 옵션을 사용할 수 있습니까?
      게시된 제품 범위에는 CVD SiC, SSiC 및 RBSiC가 포함됩니다. 순도, 작동 온도, 공정 분위기, 오염 요구 사항 및 비용 목표에 따라 적절한 재료를 선택해야 합니다.

Q4. 견적을 받으려면 어떤 정보가 필요합니까?
      재료 + 크기 + 두께 + 구조 + 슬롯/구멍 세부 정보 + 표면 마감 + 공차 + 수량 + 응용 분야 + 작동 온도
      비표준 제품의 경우 2D 도면 또는 3D CAD 파일을 강력히 권장합니다.

Q5. 최대 작동 온도는 얼마입니까?
      현재 공개된 SiC 트레이 제품 페이지에는 작동 온도가 ≤1600°C로 명시되어 있습니다. 실제 사용 가능한 온도는 재료 등급 및 공정 환경에 따라 확인해야 합니다.

Q6. 표면을 연마할 수 있습니까?
      예. 응용 분야 요구 사항에 따라 정밀 연삭 또는 연마를 제공할 수 있습니다.

Q7. OEM/ODM을 제공할 수 있습니까?
      예. 고객 도면 및 응용 분야 요구 사항을 기반으로 OEM/ODM 맞춤 설정을 지원합니다.

Q8. 석영 또는 흑연 대신 SiC를 선택하는 이유는 무엇입니까?
      SiC는 고온 안정성, 기계적 강도, 열 성능 및 화학적 안정성 측면에서 이점을 제공합니다. 그러나 재료 선택은 항상 실제 공정을 기반으로 해야 하며 SiC가 석영 또는 흑연보다 보편적으로 우수하다고 가정해서는 안 됩니다.

  


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