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| 브랜드 이름: | ZMSH |
| 모델 번호: | SiC 웨이퍼 HPSI |
| MOQ: | 25 |
| 가격: | Fluctuates with market |
| 배달 시간: | 2~4주 |
| 지불 조건: | 티/티 |
HPSI (High Purity Semi-Insulating) 실리콘 카바이드 웨이퍼는 고주파 GaN RF 장치 및 고급 3세대 반도체에 대한 중요한 기초 기판입니다.5G 통신의 급속한 확장에 따라, 밀리미터 파드 레이더 및 항공 우주 전자 시장, 세계 SiC 기판 시장은 2030 년까지 20 억 달러를 초과 할 것으로 예상됩니다.다음 세대의 무선 통신에서 대체 할 수없는 전략적 역할을 수행하고 고전력 전자 시스템
상류: 고순도 실리콘 카바이드 분말 (6N 등급 이상), 물리 증기 운송 (PVT) 결정 성장 오븐 및 고순도 그래피트 열장 구성 요소.고급 결정 성장 장비와 초고 순수 원료는 여전히 산업 사슬에서 부분적으로 수입 의존에 직면하고 있습니다.중류: SiC 단일 결정 성장 → 잉크 모양 → 다선 슬라이싱 → 라핑 → 화학 기계 닦기 (CMP) → 에피타시 준비 표면 처리.이 세그먼트는 매우 높은 기술적 장벽을 가지고 있습니다., 결정의 양과 결함 통제를 핵심 경쟁 지표로. 하류: GaN RF 전력 장치 (HPSI SiC 소비의 가장 큰 비중을 차지하고), 5G 기지 스테이션 전력 증폭기,밀리미터파 레이더 칩, 항공우주 전자 부품, 고주파 마이크로 웨이브 장치 및 고전압 전원 장치 프로토 타입.통신 기술 업그레이드와 새로운 에너지 및 국방 산업으로 인해 다운스트림 수요가 계속 증가합니다..
4H HPSI SiC 웨이퍼는 고순도 반열성 단일 크리스탈 실리콘 카바이드 기판으로 <0001>의 크리스탈 오리엔테이션을 가지고 있습니다.주로 물리 증기 운송 (PVT) 크리스탈 성장 방법을 통해 생성됩니다.반 단열 특성은 초고 순도 제어 및 바나디움 도핑 기술을 통해 매우 높은 저항성을 달성합니다.에피 준비 표면은 원자 수준 매끄러움을 달성하기 위해 정밀 CMP 롤링을 받습니다., MOCVD GaN 에피택시의 엄격한 요구 사항을 충족합니다.
우리의 HPSI SiC 웨이퍼는 6N 등급 고순도 단일 결정 실리콘 탄화물 (4H-SiC) 으로 제조되며, 고주파 RF 및 고급 반도체 제조 환경에 특별히 개발되었습니다.이 재료는 뛰어난 열 전도성을 가지고 있습니다., 초고한 전기 저항성, 우수한 화학적 진식 저항성 및 우수한 기계적 강도, 고온 에피택시에서도 안정적인 전기 및 물리적 성능을 유지합니다.고전력 작동 및 열악한 플라즈마 처리 조건.
SiC 기체는 다양한 반도체 장치 요구 사항에 맞게 일반 폴리 타입과 결정 지향으로 제공됩니다.4H-SiC는 균형 잡힌 전자 이동성과 물질 안정성을 가진 RF 및 전력 장치에 대한 지배적 인 선택입니다.; 6H-SiC 옵션은 특수 광 전자 및 고 온도 장치 시나리오를 충족합니다.4 ° 오프축) 에피타시얼 레이어 품질과 장치 양을 최적화 할 수 있습니다..
SSP (Single Side Polished) 및 DSP (Double Side Polished) 등급으로 제공되며, 다양한 프로세스 시나리오에 적합합니다.엄격하게 제어된 TTV, BOW 및 WARP 값 원자 수준 매끄럽고 결함 없는 표면 MOCVD GaN균일한 대두층 퇴적과 장치 RF 성능의 높은 일관성을 보장합니다..
HPSI SiC 기판은 초고저항성 (≥ 1×1010 Ω·cm) 과 초저형 다이렉트릭 손실을 제공하며, 고주파 및 고전력 RF 장치의 신호 교차 및 누출을 효과적으로 제거합니다.타피르보다 3~4배 더 높은 열전도, 그들은 우수한 열 분산 능력을 제공하여 높은 부하 작동 하에서 장치의 전력 밀도와 장기 신뢰성을 크게 향상시킵니다.
기판 사양은 고객의 기술 요구 사항에 따라 완전히 사용자 정의 될 수 있습니다.
표준 맨 SiC 웨이퍼 외에도 다양한 고객 애플리케이션을 지원하기 위해 전체 프로세스 맞춤형 기능 처리를 제공합니다.
우리는 고객의 그림, 샘플 벤치마크, 장비 프로세스 매개 변수,기존 부품 사양 및 역공학 요구 사항모든 제품은 RoHS 및 REACH 표준을 준수하며 반도체 프로세스 업그레이드, 장비 매칭 및 현지 교체 프로젝트를위한 안정적이고 고출력 기판 솔루션을 제공합니다.
HPSI SiC 웨이퍼는 RF 통신 및 고급 반도체 산업에서 널리 채택된 핵심 기초 기체이며 다음 장치 및 제조 프로세스에 적용됩니다.
HPSI SiC 기판은 안정적인 팩 일관성을 갖춘 주류 RF 및 고급 반도체 시나리오를 위해 상업적으로 대량 생산되었습니다.결함 비율이 낮고 프로세스 호환성이 뛰어나다.
| 항목 | 사양 |
|---|---|
| 제품 | HPSI 실리콘 카바이드 웨이퍼 / SiC 기판 |
| 소재 | 고순도 반열성 4H-SiC 단일 결정 |
| 성장 방법 | 물리적 증기 운송 (PVT) |
| 결정 구조 | 육각형 뷔르츠이트 구조 |
| 직경 | 2" / 4" / 6" / 8" 또는 사용자 정의 |
| 두께 | 맞춤형 (예를 들어, 350μm, 650μm) |
| 방향성 | (0001) C 평면, 축 외 4° / 사용자 정의 |
| 표면 마감 | SSP (일면 닦은) / DSP (두면 닦은) / 랩 |
| 표면 품질 | MIL-PRF-13830B에 따라 스크래치 디브 (예: 20/10, 10/5) |
| 저항성 | ≥ 1×1010 Ω·cm (반 단열) |
| 마이크로 파이프 밀도 (MPD) | ≤ 1 ea/cm2 (생산 등급) / 맞춤형 |
| TTV (총 두께 변동) | ≤ 3μm (또는 고객의 요구에 따라) |
| 활 / 워크 | ≤ 10μm (또는 고객의 요구에 따라) |
| 거칠성 (Ra) | 닦은: ≤ 0.1 nm / 랩: ≤ 0.5 μm |
| 가장자리 유형 | 기본 평면 / 톱니 (SEMI 표준에 따라) |
| 엣지 프로파일 | 필요에 따라 캄퍼 / 둥글다 |
| 도판트 | 바나디오 도핑 / 내성 반 단열 |
| 순수성 | ≥ 99.9999% (6N 등급) |
| 코팅 | 부착되지 않은 / 부착층 / 금속 코팅 가능 |
| 적용 | RF 통신 / GaN 에피타시 / 마이크로 웨브 / 항공우주 |
HPSI 실리콘 카바이드 웨이퍼는 GaN RF 에피택시, 고주파 장치 제조 및 마이크로 웨이브 전자 시스템에서 널리 사용되는 핵심 기초 기체입니다. GaN의 운반자로서,AlGaN 및 다른 부피층 성장, 그들은 높은 온도, 높은 전력 밀도, 강한 플라즈마 침식 및 고주파 전자기장을 특징으로하는 극단적인 제조 환경에서 작동합니다.
전통적인 사파이르, 실리콘 및 일반적인 세라믹 기판 재료와 비교하면 고순도 반 단열 SiC 기판은 뛰어난 포괄적 인 물리적 및 전기적 특성을 통합합니다.고품질 RF 및 고전력 반도체 프로세스에 대체 할 수 없도록 만드는주요 장점은 다음과 같습니다.
위의 이유로 HPSI SiC 기판은 GaN RF 장치, 밀리미터 파동 통신 칩,항공우주 전자제품 및 다른 핵심 반도체 부품.
우리는 RF 통신과 고급 반도체 장비에 맞춤형 및 표준화된 HPSI SiC 웨이퍼 제조에 전문입니다.산업 생산 및 연구실 연구개발을 위한 고정도 맞춤형 솔루션에 초점을 맞추고우리는 고정된 표준 사양의 한계를 깨고 고객의 실제 프로세스 매개 변수에 따라 웨이퍼를 완전히 사용자 정의합니다.장비 일치 요구 사항 및 장치 설계 표준.
포괄적 인 사용자 정의 옵션은 전체 프로세스 웨이퍼 매개 변수 및 지원 구조를 포함합니다.
우리는 SiC 웨이퍼와 일치하는 금속/세라믹 부품으로 조립된 완성된 통합 부품을 제공하여 고객의 직접 설치 및 사용 요구를 충족시킬 수 있습니다.
생산이 중단된 SiC 웨이퍼, 원품 부품 공급이 어려운 부품 및 특수 반도체 장비에 대한 비표준 맞춤형 기판우리는 전문적인 리버스 엔지니어링 및 대체 제조 서비스를 제공합니다.고객들은 평가와 표를 위해 다음 정보를 제공 할 수 있습니다:
우리의 전문 엔지니어링 팀은 공식적인 코팅 전에 웨이퍼 구조, 결정 성능, 처리 어려움 및 제조 타당성에 대한 포괄적 인 평가를 수행합니다.모든 사용자 정의 교체 웨이퍼는 프로세스 호환성을 위해 최적화됩니다최종 일치 성능은 사용 효과의 차이는 0으로 보장하기 위해 고객의 실제 장비 구성 및 생산 프로세스 표준에 따라 확인됩니다.
우리는 모든 HPSI SiC 웨이퍼에 대한 전체 프로세스 정밀 품질 검사를 시행합니다.그리고 고객 프로젝트 요구 사항과 산업 표준에 따라 표적 검사 항목과 완전한 테스트 보고서를 제공할 수 있습니다.주요 검사 내용에는 다음과 같은 것들이 포함됩니다.
고객으로부터 들어오는 재료 검증 및 생산 품질 추적성을 지원하기 위해 완전한 테스트 데이터를 포함하는 공식 검사 보고서를 제공할 수 있습니다.
정확한 공고 및 배송 주기를 단축하기 위해 문의시 다음의 자세한 정보를 제공하시기 바랍니다.
완전한 기술 도면이 없다면, 우리의 팀이 매개 변수 테스트와 스키마 평가를 수행 할 수 있도록 명확한 고화질 사진과 웨이퍼의 물리적 샘플을 제공하십시오.
HPSI SiC 웨이퍼는 주로 어떤 용도로 사용됩니까?
HPSI (High Purity Semi-Isolating) SiC 웨이퍼는 고주파 RF 및 고급 반도체 장치 제조에 사용되는 핵심 운반 기판이며, 주로 GaN RF 전력 증폭기에 사용됩니다.5G 기본 스테이션 칩, 밀리미터 파동 레이더, 항공 우주 전자, 마이크로 웨브 MMIC 및 다른 분야, 고 온도 에피타시, 얇은 필름 퇴적 및 정밀 발각 프로세스에 적합합니다.
맞춤형 통합 웨이퍼 조립 부품을 제공할 수 있나요?
네, 단일 SiC 웨이퍼 기판 외에도위치 구성 요소 및 도면 및 샘플 요구 사항에 따라 완성 된 통합 집합, 원스톱 지원 공급을 실현합니다.
오래된 특수 장비에 대한 대체 웨이퍼를 생산할 수 있나요?
그래요. 우리는 도면 기반 생산과 샘플 리버스 엔지니어링을 포함한 전체 서비스 맞춤형 제조를 지원합니다. 고객은 원본 부품 번호, 기술적 매개 변수를 제공 할 수 있습니다.물리적 샘플 및 장비 정보, 그리고 우리 팀은 성능 일치 및 대체 제조를 완료합니다.
SiC 웨이퍼의 모든 핵심 매개 변수를 사용자 정의 할 수 있습니까?
네, 모든 주요 매개 변수와 함께 웨이퍼 크기, 두께,평면성 및 닦기 등급은 개인화된 R&D 및 생산 요구를 충족시키기 위해 고객의 프로세스 요구 사항에 따라 완전히 사용자 정의 될 수 있습니다..
소량과 프로토타입 주문을 지원하십니까?
예, 우리는 프로토타입 개발, 실험실 소량 테스트, 장비 유지보수 교체 및 대량 생산 대량 주문을 완전히 지원합니다.우리는 사용자 정의 매개 변수와 처리 어려움에 따라 생산 계획과 인용을 평가합니다.
LED, 반도체, 레이저 및 광학 장치에 사용되는 고순도 청석晶圆
6인치N型6H 탄화화?? 외장晶圆, 두께 350 마이크로 미터, MEMS 및 자외선 센서용
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