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[sic substrate ]

일치

296

제품

프라임 2" 3" 4" 6" 4h-Semi 4H-N Insulating Sic 기판 Silicon Carbide sic 웨이퍼

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CVD SiC 전극 플라즈마 에칭 및 반도체 공정 챔버

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2인치 N형 6H 폴리 타입 실리콘 탄화물 기판 광전자

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쿠스토미즈드 간-온-간 SiC 실리콘 사파이어 기판 에피택셜 웨이퍼 4 인치 Dia 100 밀리미터

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2인치/4인치/6인치/5.05.0mm/10.010.0mm Sic 실리콘 탄화물 기판 타입 3C-N 축: < 111 > ± 0.5° 생산 등급

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12인치 시크 웨이퍼 실리콘 탄화물 4H-N 타입 생산 등급

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6인치 실리콘 탄화물 반 단열성 SiC 복합 기판 P 타입 N 타입 싱글 폴리쉬 더블 폴리쉬 생산 등급

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2인치 4인치 6인치 시크 실리콘 탄화물 기판 6H 높은 P-도핑형

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6인치 시크 실리콘 탄화수소 기판 통신 및 레이더 시스템용 6H-P 타입 직경 150mm Prime Grade

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6인치 시크 실리콘 탄화물 기판 4H-P 지름 150mm 두께 350μm 제로 MPD 생산, 표준 생산 등급

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시크 실리콘 카바이드 기판 6H-P 타입 0° 축 모스 경도는 레이저 장치에 9.2

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4 인치 6 인치 갈륨 질화물 웨이퍼 간-ON-식 epi 웨이퍼

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반열성 SiC Si 복합 웨이퍼 4H-SEMI 기판 P 타입 N 타입 두께 500um

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2 3 4 5 6 7 8 9

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반 - 격리 실리콘 탄화물 기질, Sic 웨이퍼 4H 높은 순수성

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2Inch 탄화규소는 6H 또는 4H n형 또는 SiC 기판을 반 절연하는 것 웨이퍼로 만듭니다

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고온 고전압 전력 장치 태양광 발전을 위한 맞춘 도전형 SIC 웨이퍼

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실험을 위한 8 인치 DSP 4H SIC 웨이퍼 실리콘 카바이드 기판 생산 등급 앤형

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전력 전자, RF 장치 및 UV 광전자 공학용 4H 탄화규소 기판

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HPSI 고순도 반열성 SiC 웨이퍼 2'3'4'6'8' 프라임/드미/연구 등급

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태양광 발전을 위한 4H-N 8 인치 반도체 기판 SIC 탄화 규소 웨이퍼

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높이 열과의 주문을 받아서 만들어진 크기 사각 Sic 칩 낮은 격자 미스매치

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4" 4H-반 고분성 SIC 웨이퍼 프라임 등급 반도체 EPI 기판 AR 안경 광학 등급

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반도체 아니오 도핑된 SiC 기판 고열 전도성

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4H 6인치 SiC 에피타시얼 웨이퍼 100μm/200μm/300μm 초고전압 (UHV) MOS 장치

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MEMS 마이크로미러용 양면 연마 고순도 SiC 거울 광학 부품

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​​MEMS 마이크로미러용 양면 연마 고순도 SiC 거울 광학 부품

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