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| 원래 장소 | 중국 |
| 브랜드 이름 | zmkj |
| 모델 번호 | 4inch--반 높은 순수성 |
4H 높은 순수성 반 격리 실리콘 탄화물 Substrateshigh 순수성 4inch SiC 기질, 반도체 4inch SiC 기질을 위한 4inch 실리콘 탄화물 기질, semconductor를 위한 실리콘 탄화물 기질, sic 단결정 웨이퍼, 주옥을 위한 sic 주괴
SiC 수정같은 기질 및 웨이퍼의 신청
실리콘 탄화물 (SiC) crytsals에는 유일한 육체 및 전자 재산이 있습니다. 실리콘 탄화물 근거한 장치는 단파장 광전자 공학을 위해, 고열, 방사선 저항하는 applciations 사용되었습니다. SiC로 한 높 힘 및 고주파 전자 장치는 Si와 GaAs에 근거한 장치보다 우량합니다. SiC 기질의 몇몇 대중적인 신청은 아래에 있습니다.
고열 장치
SiC에는 높은 열 전도도가 있기 때문에, SiC는 열을 다른 반도체 물자 보다는 더 급속하게 낭비합니다. 이것은 SiC 장치를 극단적으로 고성능 수준에 운영하는 가능하게 하고 아직도 장치에서 생성된 다량의 과잉 열을 낭비합니다.
고주파 힘 장치
SiC 근거한 마이크로파 전자공학은 무선 커뮤니케이션 및 레이다를 위해 사용됩니다.
III-V 질화물 공술서
GaN, AlxGa1 xN 및 SiC 기질 사파이어 기질에 InyGa1-yN 코피 층.
SiC 템플렛에 갈륨 질화물 켜쌓기는 파란 발광 다이오드 (파란 LED) 및 및 거의 태양 눈 먼 UV 광검출기를 날조하기 위하여 이용됩니다
광전자 공학 장치
SiC에 근거한 장치는 III 질화물 코피 층과의 낮은 격자 미스매치를 비치하고 있습니다. 그들에는 높은 열 전도도가 있고 연소 과정의 감시와 각종 UV 탐지를 위해 사용될 수 있습니다.
SiC 근거한 반도체 소자는 고열 고성능 및 높은 방사선 상태와 같은 아주 적대하는 환경의 밑에 작동될 수 있습니다.
고성능 장치
SiC에는 뒤에 오는 재산이 있습니다:
넓은 에너지 Bandgap 높은 전기 고장 분야
높은 포화 표류 속도 높은 열 전도도
SiC는 다이오드 힘 transitors 및 고성능 마이크로파 장치와 같은 아주 고전압 및 높 힘 장치의 제작을 위해 사용됩니다. 전통적인 Si 장치에 비교해, SiC 근거한 힘 장치에는 더 빠른 스위칭 속도 더 높은 전압, 소형 더 낮은 기생하는 저항이, 고열 기능 보다 적게 냉각 필수 때문에 있습니다.
SiC에는 SiC 장치가 GaAs 또는 Si 보다는 고성능 조밀도에 이론적으로 운영할 수 있는 GaAs 또는 Si 의미 보다는 더 높은 열 전도도가 있습니다. 고성능이 중요한 바람직한 장치 특징의 때 넓은 bandgap도 결합된 더 높은 열 전도도 및 높은 긴요한 분야는 SiC 반도체에게 이점을 줍니다.
지금 실리콘 탄화물 (SiC)는 고성능 MMIC를 위해 널리 이용됩니다
신청. SiC는 또한 고성능 MMIC 장치 조차를 위해 GaN의 켜쌓기 자람을 위해 기질로 사용됩니다
2. 기준의 기질 크기
인치 직경 4개 높은 순수성 4H 실리콘 탄화물 기질 명세
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기질 재산 |
생산 급료 |
연구 급료 |
거짓 급료 |
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직경 |
100.0 mm +0.0/-0.5mm |
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지상 오리엔테이션 |
{0001} ±0.2° |
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1 차적인 편평한 오리엔테이션 |
<11->20> ± 5.0 ̊ |
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이차 편평한 오리엔테이션 |
1 차적인 ± 5.0 ̊, 위로 향한 실리콘에서 90.0 ̊ CW |
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1 차적인 편평한 길이 |
32.5 mm ±2.0 mm |
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이차 편평한 길이 |
18.0 mm ±2.0 mm |
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웨이퍼 가장자리 |
둥근 홈 |
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Micropipe 조밀도 |
≤5 micropipes/cm2 |
≤10micropipes/cm2 |
≤50 micropipes/cm2 |
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고강도 빛에 의하여 Polytype 지역 |
아무도는 허용하지 않았습니다 |
≤10%지역 |
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저항력 |
≥1E5 Ω·cm |
(지역 75%) ≥1E5 Ω·cm |
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간격 |
350.0 μm ± 25.0 μm 또는 500.0 μm ± 25.0 μm |
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TTV |
≦10μm |
≦15μm |
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활 (절대값) |
≦25μm |
≦30μm |
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날실 |
≦45 μm |
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지상 끝 |
두 배 측 폴란드어, Si 얼굴 CMP (화학물질 닦기) |
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표면 거칠기 |
CMP Si 얼굴 Ra≤0.5 nm |
N/A |
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고강도 빛으로 균열 |
아무도는 허용하지 않았습니다 |
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산만한 점화에 의하여 가장자리 칩/톱니 모양의 자국 |
아무도는 허용하지 않았습니다 |
Qty.2<> 1.0 mm 폭과 깊이 |
Qty.2<> 1.0 mm 폭과 깊이 |
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총 쓸모 있는 지역 |
≥90% |
≥80% |
N/A |
포장: , 25pcs의 카세트에서 종류 100 청정실 환경에서 포장하는
또는 질소 대기권의 밑에 단 하나 웨이퍼 콘테이너.
*The는 고객 요구에 따라 다른 명세 주문을 받아서 만들어질 수 있습니다
3. 그림
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패킹 & 납품
| 포장 | 제품 → 청정실에 있는 단 하나 웨이퍼 카세트 또는 25의 PC 상자 |
| 포장을 위한 안 패킹 → 거품 플라스틱 반대로 진동 방석 강선 | |
| 외부 패킹 →는 5개의 층 판지 종이상자를 또는 필요에 따라 주름을 잡았습니다 | |
| 발송 | 공기 → UPS, DHL, 페더럴 익스프레스, TNT, EMS, SF, 등에 의하여 |
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