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6인치 시크 실리콘 탄화물 기판 4H-P 지름 150mm 두께 350μm 제로 MPD 생산, 표준 생산 등급

제품 상세정보

원래 장소: 중국

브랜드 이름: ZMSH

인증: rohs

모델 번호: 4H-P SiC

지불 및 배송 조건

최소 주문 수량: 10%

가격: by case

포장 세부 사항: 맞춤형 플라스틱 상자

배달 시간: 30 일 만에

지불 조건: T/T

공급 능력: 1000개 pc / 달

최상의 가격을 얻으세요
강조하다:

150mm Sic 실리콘 탄화물 기판

,

4H-P Sic 실리콘 탄화물 기판

,

350μm Sic 실리콘 카비드 기판

표면 경화:
HV0.3>2500
밀도:
3.21G/cm3
열팽창 계수:
4.5 X 10-6/K
유전체 상수:
9.7
팽창 강도:
>400MPa
크기:
6인치
항복 전압:
5.5MV/센티미터
신청서:
전력전자, 레이저
표면 경화:
HV0.3>2500
밀도:
3.21G/cm3
열팽창 계수:
4.5 X 10-6/K
유전체 상수:
9.7
팽창 강도:
>400MPa
크기:
6인치
항복 전압:
5.5MV/센티미터
신청서:
전력전자, 레이저
6인치 시크 실리콘 탄화물 기판 4H-P 지름 150mm 두께 350μm 제로 MPD 생산, 표준 생산 등급

제품 설명:

6인치 시크 실리콘 탄화수소 기판 4H-P 지름 150mm 두께 350μm MPD 생산 순위, 표준 생산

4H-P 실리콘 탄화물 (SiC) 은 고온, 고주파 및 고전력 전자 장치에서 일반적으로 사용되는 중요한 반도체 재료입니다.4H-SiC는 헥사고널 격자 구조를 가진 결정 구조의 유형입니다넓은 대역 간격 (약 3.26 eV) 은 고온 및 고전압 환경에서 작동 할 수 있습니다. 높은 열 전도성 (약 4.9 W/m · K), 실리콘보다 우월합니다.효율적으로 열을 유도하고 분산 할 수 있습니다.P형 도핑 된 실리콘 탄화물은 낮은 저항성을 가지고 있으며 PN 결합의 건설에 적합합니다. 전기 자동차와 재생 에너지 기술의 개발으로,4H-P형 실리콘 카바이드 수요가 계속 증가할 것으로 예상됩니다., 관련 연구와 기술 발전을 촉진합니다.

 

6인치 시크 실리콘 탄화물 기판 4H-P 지름 150mm 두께 350μm 제로 MPD 생산, 표준 생산 등급 06인치 시크 실리콘 탄화물 기판 4H-P 지름 150mm 두께 350μm 제로 MPD 생산, 표준 생산 등급 1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 


특징:

· 유형: 4H-SiC 결정은 육각형 격자 구조를 가지고 있으며 우수한 전기 특성을 제공합니다.

· 넓은 대역 간격: 고 온도 및 고 주파수 응용 프로그램에 약 3.26 eV.

· P형 도핑: P형 전도성은 알루미늄과 같은 도핑 원소들에 의해 도핑되어 포스 전도체 농도를 증가시킵니다.

· 저항성: 낮은 저항성, 높은 전력 장치에 적합합니다.

· 높은 열 전도성: 약 4.9 W/m·K, 효율적인 열 분산, 높은 전력 밀도 애플리케이션에 적합합니다.

· 고온 저항: 고온 환경에서 안정적으로 작동 할 수 있습니다.

· 높은 강도: 매우 높은 기계적 강도와 열악한 조건에 대한 강도.

· 높은 고장 전압: 더 높은 전압에 견딜 수 있으며 장치 크기를 줄일 수 있습니다.

· 낮은 전환 손실: 효율성을 향상시키기 위해 고 주파수 작동에서 좋은 전환 특성.
· 부패 저항성: 다양한 화학 물질에 대한 좋은 부패 저항성.

· 광범위한 응용 분야: 전기 차량, 인버터, 고전력 증폭기 및 기타 분야에 적합합니다.

 

6인치 시크 실리콘 탄화물 기판 4H-P 지름 150mm 두께 350μm 제로 MPD 생산, 표준 생산 등급 26인치 시크 실리콘 탄화물 기판 4H-P 지름 150mm 두께 350μm 제로 MPD 생산, 표준 생산 등급 3

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 


기술 매개 변수:

 

6인치 지름의 실리콘 카비드 (SiC) 기판 사양
등급 MPD 생산량 0
등급 (Z 등급)
표준 생산
등급 (P 등급)
덤비 등급
(D등급)
직경 145.5mm~150.0mm
두께 350μm ± 25μm
웨이퍼 방향 원동축: 2.0°-4.0°동향 [1120] ± 0.5° 4H/6H-P, 원동축: ∼111° ± 0.5° 3C-N
마이크로 파이프 밀도 0cm-2
저항성 p형 4H/6H-P ≤0.1 Ω.cm ≤0.3 Ω.cm
기본 평면 방향 p형 4H/6H-P {1010} ± 5.0°
기본 평면 길이 32.5mm ± 2.0mm
2차 평면 길이 180.0 mm ± 2.0 mm
2차 평면 지향 실리콘 위면: 90° CW. 프라임 평면 ± 5.0°
가장자리 제외 3mm 6mm
LTV/TTV/Bow/Warp ≤2.5μm/≤5μm/≤15μm/≤30μm ≤10 μm/≤15 μm/≤25 μm/≤40 μm
경직성 폴란드 Ra≤1 nm
CMP Ra≤0.2 nm Ra≤0.5 nm
고 강도 빛 으로 인해 가장자리 균열 아무 것도 누적 길이 ≤ 10mm, 단장 ≤ 2mm
고 강도 빛에 의한 헥스 판 누적 면적 ≤0.05% 누적 면적 ≤0.1%
고 강도 빛에 의한 다형 영역 아무 것도 누적 면적≤3%
시각적 탄소 포함 누적 면적 ≤0.05% 누적 면적 ≤3%
고 강도 빛에 의해 실리콘 표면 긁힘 아무 것도 누적 길이≤1 × 웨이퍼 지름
엣지 칩 허용되지 않는 것 ≥0.2mm 너비와 깊이 5개 허용, 각각 ≤1mm
고 강도 의 실리콘 표면 오염 아무 것도
포장 멀티 웨이퍼 카세트 또는 싱글 웨이퍼 컨테이너

 


응용 프로그램:

 

1전력전자
전력 변환기: 효율적인 전력 어댑터와 인버터로 더 작은 크기와 더 높은 에너지 효율을 제공합니다.
전기차: 전기차의 드라이브 모듈과 충전소에서 전력 변환 효율을 최적화합니다.

2RF 장치
마이크로파 증폭기: 통신 및 레이더 시스템에서 신뢰할 수있는 고주파 성능을 제공하기 위해 사용됩니다.
위성 통신: 통신 위성용 고전력 증폭기.

3고온 응용 프로그램
센서: 극한 온도 환경에서 사용되는 센서로 안정적으로 작동할 수 있다.
산업용 장비: 고온 조건에 적응한 장비와 도구.

4광전자
LED 기술: 특정 짧은 파장 LED의 빛 효율을 향상시키기 위해 사용됩니다.
레이저: 효율적인 레이저 응용 프로그램.

5전력 시스템
스마트 그리드: 고전압 정류 (HVDC) 전송 및 네트워크 관리에서 에너지 효율성과 안정성을 향상시킵니다.

6소비자 전자제품
빠른 충전 장치: 충전 효율을 향상시키는 전자 기기용 휴대용 충전기.

7재생 에너지
태양광 인버터: 태양광 시스템에서 더 높은 에너지 변환 효율을 달성합니다.

 
6인치 시크 실리콘 탄화물 기판 4H-P 지름 150mm 두께 350μm 제로 MPD 생산, 표준 생산 등급 4
 

 

사용자 정의:

 

우리의 SiC 기판은 4H-P 타입으로 제공되며 RoHS 인증을 받았습니다. 최소 주문 양은 10pc이며 가격은 경우에 따라입니다. 포장 세부 사항은 사용자 지정 플라스틱 상자입니다.배달 시간은 30 일 이내에이며 우리는 T / T 지불 조건을 받아들이고우리 공급 능력은 1000pc/month입니다. SiC 기판 크기는 6인치입니다. 원산지는 중국입니다.


 
6인치 시크 실리콘 탄화물 기판 4H-P 지름 150mm 두께 350μm 제로 MPD 생산, 표준 생산 등급 5


FAQ:

 

1Q: 당신은 4H-P 타입 SIC 기판에 맞춤 서비스를 제공합니까?

A: 예, 우리 회사는 4H-P 유형의 실리콘 탄화물 기판에 맞춤 서비스를 제공합니다. 고객은 지름, 두께와 같은 다른 사양과 매개 변수와 함께 기판을 선택할 수 있습니다.도핑 농도, 등, 특정 애플리케이션의 요구 사항을 충족시키기 위해 그들의 특별한 필요에 따라.

 

2Q: 어떻게 4H-P 유형 실리콘 탄화물 기판의 품질을 보장 할 수 있습니까?

A: 우리 회사는 엄격한 공정 통제와 품질 검사를 통해 4H-P 유형의 실리콘 탄화물 기판의 품질을 보장합니다.마지막 검사까지 절단 및 롤링, 모든 단계는 높은 표준과 엄격한 요구 사항을 준수하여 제품이 고객 기대와 산업 표준을 충족하는지 확인합니다.

 

 

태그: #SIC, #실리콘 카바이드 기판, #H 결정 유형, #P-형 전도성, #반도체 재료, #Sic 4H-P 유형.