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| 원래 장소 | 중국 |
| 브랜드 이름 | ZMSH |
| 인증 | rohs |
| 모델 번호 | SIC010 |
탄화 규소 소재는 예를 들면, 수많은 부문에 전망, 고속 철도, 자동차 전자 공학, 스마트 그리드, 광기전성 인버터, 전자기계적, 데이터 센터, 가정용 린네트류 제품, 가전제품, 5G 통신, 차세대가 드러내는 인더스트리얼, 등을 가지고 있습니다. 적용 관점으로부터, 탄화 규소 소재의 적용은 3가지 범주, 저전압, 고압과 고전압으로 분할될 수 있습니다.
낮은 전압장에서, 메인 애플리케이션은 PFC와 전원 공급기와 같이, 가전제품에 삽니다. 일례를 들면, 샤오미와 화웨이는 그들의 고속 충전기에서 갈륨 나이트라이드 장치를 이용하기 시작했습니다.
고압 분야에, 적용은 자동차 전자 공학, 철도 운송과 더 높은 전압 전력망에 주로 있습니다 (3300V 에 전압과 전력망). 테슬라는 탄화 규소 장치를 적응시키기 위해 첫번째 자동차 제조사들 중 하나였으며, 그것을 그것이 모델 3을 위해 사용했습니다.
다이오드와 탄화규소의 MOSFET 제품은 매우 성숙하게 개발했고, 지금 설비되고 중저 전압 분야에 적용됩니다.
고전압계를 위해, 숙성된 제품이 아직 착수되지 않을 지라도, 탄화규소는 그것의 자신의 저명한 특성을 가지고 있습니다. 국제는 이 분야를 위해 연구하고 발달하는 무대에 지금 있습니다.
탄화규소의 최고 응용 시나리오는 전기 자동차입니다. 토요타 전기 구동 모듈 (전기 자동차의 핵심 부분)은 50%까지 탄화 규소 장치의 크기를 줄입니다 또는 실리콘-기반 IGBT와 비교하여 더 . 덧붙여, 탄화규소의 에너지 밀도는 2회 실리콘-기반 IGBT의 그것 정도입니다. 이것은 탄화규소를 선택하기 위해 또한 여러 제조사들을 끌어당겼습니다, 더 그들을 제공하는 것 성분의 최적화된 설계로 인해 다른 성분과 잘 맞기 위해 스페이스를 둡니다.
더 전통적 실리콘 기판보다 탄화규소를 사용하는 것에게 많은 장점이 있습니다. 주요 이점 중 하나는 고속도, 고온에서 물질 여러 가지 장점을 주는 그것의 견고성이고 / 또는 높은 전압 적용입니다. 탄화 규소 웨이퍼는 고열 전도성을 가지고 있으며, 그것이 전기 전도도와 궁극적으로 소형화를 향상시키면서, 그들이 열을 하나 포인트에서 또 다른 웰로 이동시킬 수 있다는 것을 의미합니다.
실리콘 카바이드 기판은 또한 뜨거워지거나, 냉각된 것처럼 그것이 크기 또는 모양에서 의미 심장하게 변하지 않는 것을 의미하는 열팽창을 위한 낮은 계수를 가지고 있습니다. 신속히 깨지거나 부서질 것 없이 온도를 변경할 수 있는 능력을 갖추고, 장치를 제조할 때 그들에게 명백한 장점을 주면서, 그들은 열 충격에 고내성입니다. 이것의 위에, 그들은 매우 오래가는 기판이고, 800' Ｃ까지의 온도에서 산, 알칼리 또는 용융염과 반응하지 않습니다.
고온에 있는 그것의 강도는 또한 안전하게 실리콘 카바이드 기판이 그것을 사실상 어떠한 높은 온도 응용에도 적합하게 하면서, 1600년' Ｃ 동안 고온에 작동할 수 있게 허락합니다. 이러한 상술 - 폴리타입 결정 구조, 열 지중 (n형 ; 0.020 Ω*cm), 격자 파라미터, 단결정 4H, 지원받는 지름, 밴드갭, 열전도율 (HPSI)와 모스 경도 - 탄화 규소 웨이퍼에게 전통적 벌크 Si 기판에 비해 그들의 상당한 장점을 줍니다.
4H-SiC*와 6H-SiC**는 50.8 밀리미터에서부터 (2 ")로부터 200 밀리미터 (8inch)까지, 둘다 다양한 지름과 반도체 물질입니다. 그들 중 각각에서 타입과 불순물은 N/Nitrogen/intrinsic/HPSI 입니다. 저항률을 위해, 4H-SiC가.015 -.028 ohm*cm의 범위를 가지는 반면에, 6H-SiC는 >1E7 ohm*cm인 많가지고 있습니다. 그들의 전체 두께에 대해서 말하자면, 양쪽은 250 um - 15,000 um 또는 15 밀리미터를 가지고 있습니다. 양쪽 유형에 적용된 SiC, 표면가공도의 유형이 싱글이거나 양측 사이드가 광택이 났던 것은 무엇이든지. 그들의 퇴적 순서는 ABCB (4H-SiC*)와 ABCACB (6H-SiC**) 입니다. 유전체 상수가 각각 4H-SiC*와 6H-SiC**를 위해 9.6과 9.66인 반면에, 4H-SiC*의 전자 이동도는 800 cm2/V*S이고 6H-SiC**의 그것이 400 cm2/V*S입니다. 그들의 공통 특성에 감사합니다, 그들의 비중이 3.21 · 103 kg/m3과 같습니다.
ZMSH SIC010 SiC 기판은 5.5 MV / 센티미터, λ/10@632.8nm의 우수 표면 평탄성, >400MPa의 좋은 인장 강도, 단결정 SiC 기판, ROHS 인증과 경쟁력있는 가격의 고항복 전압으로, 5x5mm에 사용자 지정 크기 탄화실리콘 칩, 맞춘 크기판, 1x1cm, 0.5x0.5mm을 위한 이상적 선택입니다. 그것은 넓게 반도체, 전자, 광전자이, LED, 등과 같은 다양한 응용에서 사용됩니다. 그것의 우수한 프로퍼티는 많은 업계를 위한 이상적 선택로 만듭니다.
ZMSH SIC010 SiC 기판은 저렴한 가격으로, 뛰어난 성능과 신뢰성을 제공합니다. 고급 품질 단결정 SiC 물질로 만들어지고, 다양한 산업을 위한 이상적 선택로 만들면서, 그것은 우수한 전기적이고 방열 효과를 가지고 있습니다. 그것은 또한 안전성과 신뢰성을 보증하는 증명된 로에스입니다. 그것의 큰 크기는 고객에 대한 필요를 충족시키기 위해 맞춤화될 수 있습니다.
ZMSH SIC010 SiC 기판은 그들의 애플리케이션을 위한 믿을 만하고 비용 효율적 솔루션을 찾고 있는 자들에게 최상의 선택입니다. 10개 부분의 최소 명령량과 함께, 그것은 30 일에 대한 경쟁력있는 가격과 빠른 전달 시간으로 이용 가능합니다. 그것은 또한 달마다 1000개 부분의 우수한 공급 능력을 가집니다.
브랜드명 : ZMSH
모델 번호 : SIC010
원산지 : 중국
인증 : 로에스
최소 명령량 : 10대 pc
프라이스 : 경우에 의해
패키징 세부 사항 : 커스텀지드 플라스틱 박스
배달 시간 : 30 일 만에
지불 기간 : 전신환
공급 능력 : 1000개 pc / 달
불순물 : 이용 불가능
표면 평탄도 : λ/10@632.8nm
재료 : SiC 단결정
항복 전압 : 5.5 MV / 센티미터
압축 강도 : >1000MPa
특징 : 10x10mm ;5x5mm, 커스텀지드 형태 탄화실리콘 플레이트, 4h 세미 HPSI SIC 웨이퍼
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