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제품 소개

인듐 인화물 웨이퍼

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인듐 인화물 웨이퍼

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중국 구리 히트 싱크 기판 평면 바닥 핀 타입 고전력 전자 장치 Cu≥99.9% 공장

구리 히트 싱크 기판 평면 바닥 핀 타입 고전력 전자 장치 Cu≥99.9%

c의 요약윗 온도 방출기 기판 구리 히트 싱크 기판 평면 바닥 핀 타입 고전력 전자 장치 Cu≥99.9% 구리 히트 싱크 서브스트레이트는 고열전도성 순수 구리 (Cu≥99.9%) 또는 구리 합금 (C1100,C1020) 정밀 가공 (CNC 절단) 을 통해 핵심 재료로, ... 자세히보기
2025-04-14 17:37:13
중국 INAs 인디움 아르세네이드2인치 3인치 4인치 단일 크리스탈 기판 N / P 타입 반도체 웨이퍼 두께 300-800um 공장

INAs 인디움 아르세네이드2인치 3인치 4인치 단일 크리스탈 기판 N / P 타입 반도체 웨이퍼 두께 300-800um

제품 설명 INAs 인디움 아르세네이드2인치 3인치 4인치 단일 크리스탈 기판 N / P 타입 반도체 웨이퍼 두께 300-800um 인디움 아르세나이드 (Indium InAs) 또는 인디움 아르세나이드 (indium arsenide monolithic) 는 인디움과 아... 자세히보기
2024-12-05 11:57:01
중국 게르메늄 기판 GE 평면 창 광 렌즈 열 영상 응용 및 적외선 분광 고 강도 공장

게르메늄 기판 GE 평면 창 광 렌즈 열 영상 응용 및 적외선 분광 고 강도

제품 설명 게르메늄 기판 GE 평면 창 광 렌즈 열 영상 응용 및 적외선 분광 고 강도 게르메늄 창 (Ge) 은 화학적으로 무활성 물질로 허용 스펙트럼 범위는 2~12μm이며, 일반적으로 사용되는 적외선 광학 물질로, 고강도, 좋은 열전도,물에 녹지 않는, 등, 그리고 ... 자세히보기
2024-11-18 10:47:17
중국 지 게르메늄 웨이퍼 반도체 기판 <111> 집중형 광전자 CPV 사용자 지정 크기 모양 공장

지 게르메늄 웨이퍼 반도체 기판 <111> 집중형 광전자 CPV 사용자 지정 크기 모양

제품 설명 게르메늄 웨이퍼 반도체 기판 게르메늄은 반도체 특성이 뛰어나다. 고순도 게르메늄은 P형 게르메늄 반도체를 얻기 위해 삼용성 원소 (예: 인디움, 갈륨, 붕) 로 도핑된다.그리고 반성 원소 (e예를 들어, 안티몬, 아르센 및 인산) 은 N형 게르마늄 반도체를 ... 자세히보기
2024-11-18 10:47:17
중국 마그네슘 산화물 순도 95% MgO 필름 기판 5x5 10x10 20x20 두께 0.5mm 1.0mm 지향 &lt;001&gt; &lt;110&gt; &lt;111&gt; 공장

마그네슘 산화물 순도 95% MgO 필름 기판 5x5 10x10 20x20 두께 0.5mm 1.0mm 지향 <001> <110> <111>

마그네슘 산화물 순도 95% MgO 필름 기판 5x5 10x10 20x20 두께 0.5mm 1.0mm 방향 제품 설명: 얇은 필름 기판 마그네슘 산화물 (MgO) 단일 결정은 높은 녹기점과 같은 뛰어난 물리적 및 화학적 특성을 가진 고품질 기판 물질입니다.낮은 다이렉트... 자세히보기
2024-11-18 10:47:16
중국 InP 레이저 에피타시얼 웨이퍼 인디움 포스피드 웨이퍼 DFB/EML 인텔리전트 센싱을 위한 에피타시얼 웨이퍼 공장

InP 레이저 에피타시얼 웨이퍼 인디움 포스피드 웨이퍼 DFB/EML 인텔리전트 센싱을 위한 에피타시얼 웨이퍼

LD 레이저 다이오드,반도체 에피타시얼 웨이퍼, 3인치 InP 웨이퍼, 단일 크리스탈 웨이퍼를 위한 2인치 반 단열 인디움 인포스피드 InP 에피타시얼 웨이퍼,반도체 웨이퍼, InP 레이저 에피타시얼 웨이퍼 InP 레이저 에피타시얼 웨이퍼의 특징 - INP 웨이퍼를 사... 자세히보기
2024-09-10 15:33:01
중국 InAs 웨이퍼 도핑 Zn 2 인치 인디엄 아르세나이드 웨이퍼 다이아 50mm 두께 500um &lt;100&gt; 사용자 정의 공장

InAs 웨이퍼 도핑 Zn 2 인치 인디엄 아르세나이드 웨이퍼 다이아 50mm 두께 500um <100> 사용자 정의

2인치 인디움 아르세나이드 웨이퍼 LD 레이저 다이오드 에피타시얼 웨이퍼, 반도체 에피타시얼 웨이퍼, 3인치 InAs-Zn 웨이퍼InAs 단일 크리스탈 웨이퍼 2인치 3인치 4인치 InAs-Zn LD 응용용 기판, 반도체 웨이퍼, 인디움 아르세나이드 레이저 에피타시얼 ... 자세히보기
2024-09-10 15:33:00
중국 DFB 웨이퍼 N-InP 기판 에피웨이퍼 액티브 레이어 InGaAlAs/InGaAsP 2 4 6 인치 가스 센서 공장

DFB 웨이퍼 N-InP 기판 에피웨이퍼 액티브 레이어 InGaAlAs/InGaAsP 2 4 6 인치 가스 센서

DFB 웨이퍼 N-InP 기판 에피웨이퍼 액티브 레이어 InGaAlAs/InGaAsP 2 4 6 인치 가스 센서 DFB 웨이퍼 N-InP 기판 에피웨이퍼의 설명 분산 피드백 (DFB) 웨이퍼는 n형 인디움 인화수소 (N-InP) 기판에 있는 고성능 DFB 레이저 다이오... 자세히보기
2024-09-10 15:33:00
중국 DFB 에피와퍼 InP 기판 MOCVD 방법 2 4 6 인치 작동 파장 1.3 μm, 1.55 μm 공장

DFB 에피와퍼 InP 기판 MOCVD 방법 2 4 6 인치 작동 파장 1.3 μm, 1.55 μm

DFB Epiwafer InP 기판 MOCVD 방법 2 4 6 인치 작동 파장: 1.3 μm, 1.55 μm DFB Epiwafer InP 기판의 설명 DFB (Distributed Feedback) 인디엄 포스피드 (InP) 기판에 있는 에피와퍼는 고성능 DFB 레이... 자세히보기
2024-09-10 15:33:00
중국 FP 에피와퍼 InP 서브스트라트 접촉 계층 InGaAsP Dia 2 3 4 인치 OCT 1.3um 파장 대역 공장

FP 에피와퍼 InP 서브스트라트 접촉 계층 InGaAsP Dia 2 3 4 인치 OCT 1.3um 파장 대역

FP 에피와퍼 InP 기판 접촉 층 InGaAsP Dia 2 3 4 인치 OCT 1.3um 파장 대역 FP 에피와퍼 InP 기판의 간략 인디엄 포스피드 (InP) 기판에 있는 패브리 페로 (FP) 에피와퍼는 광전자 기기 개발의 핵심 요소입니다.특히 광 통신 및 센싱 애... 자세히보기
2024-09-10 15:33:00
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