Name: 인디움 포스피드 웨이퍼 InP 반도체 기판 2'' 3' 4' 두께 350um
Brand: SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD
SKU: 인디움 포스피드 웨이퍼
Price: 협상 가능 USD
Availability: InStock

제품 상세정보

원래 장소: 중국

브랜드 이름: ZMSH

인증: ROHS

모델 번호: 인디움 포스피드 웨이퍼

지불 및 배송 조건

최소 주문 수량: 5 PC

가격: USD

포장 세부 사항: 주문 제작된 박스

배달 시간: 15일 후

지불 조건: 전신환

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제품 상세정보

제품 설명

강조하다: 
                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                이중 양면 닦은 인프 웨이퍼, 4' 두께 인디움 인화물 웨이퍼, inP 반도체 기판
                              

제품 이름:	InP 서브스트라트	보우 & 워프:	≤10μm
소재:	인디움 포스피드 웨이퍼	배향:	100+/-0.05도
표면 마감:	양측 사이드는 광택이 났습니다	조도:	Ra≤0.6nm
TTV:	≤6μm	웨이퍼 지름:	2인치 3인치 4인치
웨이퍼 두께:	350mm 500mm 625mm

제품 이름:	InP 서브스트라트
보우 & 워프:	≤10μm
소재:	인디움 포스피드 웨이퍼
배향:	100+/-0.05도
표면 마감:	양측 사이드는 광택이 났습니다
조도:	Ra≤0.6nm
TTV:	≤6μm
웨이퍼 지름:	2인치 3인치 4인치
웨이퍼 두께:	350mm 500mm 625mm

인디움 포스피드 웨이퍼 InP 반도체 기판 2'' 3' 4' 두께 350um

인디엄 포스피드 웨이퍼 InP 반도체 기판 2'' 3' 두께 350um

설명인디움 포스피드:

인디엄 포스피드 (InP) 칩은 광전자 및 반도체 장치에서 널리 사용되는 재료입니다. 다음과 같은 장점이 있습니다.

높은 전자 이동성: 인디움 인화수소 칩은 높은 전자 이동성을 가지고 있으며 이는 전자들이 물질을 통해 더 빨리 이동한다는 것을 의미합니다.

제어 된 재료 특성: 인디엄 포스피드 웨이퍼의 특성은 재료의 부피 성장 과정을 제어하고 도핑 기술을 통해 조절 할 수 있습니다.

넓은 대역 간격: 인디엄 인화수소 웨이퍼는 넓은 대역 간격으로 가시광선과 적외선 범위에서 작동 할 수 있습니다.

높은 포화 유동 속도: 인디움 인화수소 웨이퍼는 높은 포화 유동 속도를 가지고 있으며, 이는 높은 전기장 아래에서 전자 유동 속도가 최대 수준에 도달한다는 것을 의미합니다.

우수한 열전도: 인디엄 포스피드 웨이퍼는 높은 열전도를 가지고 있으며 이는 효율적으로 열을 전도하고 분산 할 수 있음을 의미합니다.따라서 장치의 신뢰성 및 성능 안정성을 향상시킵니다..

특징인디움 포스피드:

인디엄 포스피드 (InP) 칩은 광전자 및 반도체에서 널리 사용되는 몇 가지 주목할만한 특성을 가지고 있습니다.다음은 인디엄 포스피드 칩 재료의 주요 특성 중 일부입니다.:

직역 간격: 인디움 인산화물은 직역 간격 특성을 가지고 있어 광학 장치에서 우수한 성질을 갖는다.

넓은 대역 간격 범위: 인디움 인화수소는 적외선에서 자외선 스펙트럼에 이르기까지 넓은 대역 간격을 가지고 있습니다.

높은 전자 이동성: 인디움 인산화물은 높은 전자 이동성을 가지고 있으며, 이는 고주파 전자제품과 고속 광 전자제품에 탁월하게 작용합니다.

우수한 열 전도성: 인디움 인화소는 높은 열 전도성을 가지고 있으며 효과적으로 열을 분산 할 수 있습니다.

좋은 기계적 및 화학적 안정성: 인디엄 포스피드 칩은 좋은 기계적 및 화학적 안정성을 가지고 있으며 다양한 환경 조건에서 안정성과 신뢰성을 유지할 수 있습니다.

조절 가능한 밴드 구조: 인디엄 포스피드 재료의 밴드 구조는 다른 장치의 요구 사항을 충족시키기 위해 도핑 및 합금 기술을 통해 조절 할 수 있습니다.

기술 매개 변수인디움 포스피드:

항목	매개 변수	UOM
소재	InP
유도형/도판트	S-C-N/S
등급	멍청아
직경	1000.0+/-0.3	mm
방향성	(100) +/-0.5°
라멜라 쌍둥이 영역	(100) 오리엔테이션 > 80%의 유용한 단일 결정 영역
기본 평면 방향	EJ ((0-1-1)	mm
기본 평면 길이	32.5+/-1
2차 평면 지향	EJ ((0-11)
2차 평면 길이	18+/-1

의 적용인디움 포스피드:

인디엄 포스피드 (InP) 웨이퍼는 광전자 및 반도체 기판에서 광범위한 응용 프로그램을 가지고 있습니다.

광 통신: InP 웨이퍼는 고속 광섬유 통신 시스템에서 광 통신 분야에서 널리 사용됩니다. 레이저와 같은 장치를 제조하는 데 사용됩니다.광적 변조기, 광학 수신기, 광학 증폭기 및 광학 섬유 결합기

광전자 장치: InP 웨이퍼는 광 다이오드, 광 탐지기, 태양 전지 및 광 결합기와 같은 광전자 장치를 만드는 데 사용됩니다.

고속 전자 장치: InP 기판은 고주파 전자 장치 분야에서 널리 사용됩니다. 특히InP 웨이프의 높은 전자 이동성 트랜지스터 (HEMT) 는 고주파 증폭기와 같은 장치를 준비하는 데 사용됩니다.무선 통신, 레이더 시스템 및 위성 통신과 같은 애플리케이션을 위한 RF 스위치 및 마이크로 웨브 통합 회로.