제품 상세정보
원래 장소: 중국
브랜드 이름: zmsh
모델 번호: 6inch
지불 및 배송 조건
최소 주문 수량: 1PCS
가격: by case
포장 세부 사항: 주문을 받아서 만들어진 케이스에 의하여
배달 시간: 안에서 15days
산업: |
반도체 기질 |
재료: |
sic 결정 |
신청: |
5G의 장치 물자, MOCVD의 파워일렉트로닉스 |
타입: |
4H-N, 반, 진한 액체로 처리되는 |
색: |
, 파란 녹색, 백색 |
Hardeness: |
9.0 위로 |
산업: |
반도체 기질 |
재료: |
sic 결정 |
신청: |
5G의 장치 물자, MOCVD의 파워일렉트로닉스 |
타입: |
4H-N, 반, 진한 액체로 처리되는 |
색: |
, 파란 녹색, 백색 |
Hardeness: |
9.0 위로 |
6inch sic 기질, sic 주괴 sic 수정같은 주괴 sic 수정같은 구획 sic 반도체 기질 2inch 3inch 4inch 6inch 4h 진한 액체로 처리된 웨이퍼 없음
우리는 전자와 광전자 공학 기업에 제공합니다 고품질 단결정 SiC 웨이퍼 (실리콘 탄화물)를 할 수 있습니다. SiC 웨이퍼는 유일한 전기 재산과 더불어 차세대 반도체 물자, 이고 실리콘 박편과 GaAs 웨이퍼와 비교된 우수한 열 재산은, SiC 웨이퍼 고열과 고성능 장치 신청을 위해 더 적당합니다. SiC 웨이퍼는 직경 2 -6inch에서 N 유형, 진한 액체로 처리된 질소, 및 유효한 반 격리 유형 둘 다, 4H 및 6H SiC 공급될, 수 있습니다. 상품 정보 더를 위해 저희에게 연락하십시오.
1.material 신청과 advantagement
신청:
• GaN 켜쌓기 장치
• 광전자 공학 장치
• 고주파 장치
• 고성능 장치
• 고열 장치
• 발광 다이오드
• 낮은 격자 미스매치
• 높은 열 전도도
• 저출력 소비
• 우수한 일시적인 특성
• 높은 띠 간격
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실리콘 탄화물 물자 재산
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Polytype
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단결정 4H
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단결정 6H
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격자 모수
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a=3.076 Å
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a=3.073 Å
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c=10.053 Å
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c=15.117 Å
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순서를 겹쳐 쌓이기
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ABCB
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ABCACB
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밴드 간격
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3.26 eV
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3.03 eV
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조밀도
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3.21 · 103 kg/m3
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3.21 · 103 kg/m3
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Therm. 확장 계수
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4-5×10-6/K
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4-5×10-6/K
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굴절 색인
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= 2.719
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= 2.707
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ne = 2.777
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ne = 2.755
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절연성 불변의 것
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9.6
|
9.66
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열 전도도
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490 W/mK
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490 W/mK
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고장 전기장
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2 – 4 · 108 V/m
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2 – 4 · 108 V/m
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포화 표류 속도
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2.0 · 105 m/s
|
2.0 · 105 m/s
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전자 기동성
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800 cm2/V·S
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400 cm2/V·S
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구멍 기동성
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115 cm2/V·S
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90 cm2/V·S
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Mohs 경도
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~9
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FAQ:
Q: 당신의 MOQ 및 배달 시간은 무엇입니까?
A: (1) 재고목록을 위한, MOQ는 3pcs입니다. 5-10pcs가 그것 10-30days에서 더 나은 경우에
(2) 6inch를 위해 제품을, MOQ입니다 30-50days에서 10pcs 위로 주문을 받아서 만들었습니다
Q: 선박과 비용의 방법은 무엇입니까?
A: (1) 우리는 DHL, 페더럴 익스프레스, EMS 등을 받아들입니다.
(2) 그것은 만약에 아닙니다, 우리가 당신이 그(것)들을 발송할 것을 도울 수 있고 운임이 실제적인 타협에 따라 이면 당신은 당신의 자신의 급행 계정이 있는 경우에 정밀합니다.
Q: 지불하는 방법?
A: T/T 100%년
Q: 당신은 표준 제품이 있습니까?
A: 6inch가 주식에 있는 우리의 표준 제품 없습니다.
그러나 기질 4inch 0.33mm 2sp 간격 같이 것과 같이 주식에서 몇몇이 있으십시오
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