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  [4H SiC ]

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SiC 크리스털 탄화 규소 웨이퍼

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당신의 탐구  [ 4H SiC ]  일치 120 제품

고주파용 장치를 위한 8 인치 6 인치 4H-N 타입 SiC 기판 웨이퍼 생산 등급

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2인치 / 4인치 / 6인치 시크 실리콘 탄화물 기판 4H-P 타입 오프 축 2.0° 생산 수준

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태양광 발전을 위한 4H-N 8 인치 반도체 기판 SIC 탄화 규소 웨이퍼

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시크 실리콘 카바이드 기판 6H-P 타입 0° 축 모스 경도는 레이저 장치에 9.2

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12인치 지름 300mm SIC 기판 에피타시얼 닦은 웨이퍼 실리콘 탄화물 잉그트 프라임 등급 4H-N 타입 전도성 태양광

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‌6H-N 타입 SiC 웨이퍼: 2인치 기판, 두께 350μm 또는 650μm‌

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반도체 소자를 위한 2inch 3inch Dia100m 4H-N 유형 실리콘 탄화물 웨이퍼 생산 급료

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10x10mm 5x5mm SiC 기판 저항률 0.015-0.028ohm.Cm 또는 >1E7ohm.Cm은 원문대로 자릅니다

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실리콘 카바이드 웨이퍼 4인치 직경 x 350um 4H-N 타입 P/R/D 등급 MOSEFTs/SBD/JBS

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HPSI 4H-세미 투명 무색 주문 제작된 SIC 렌즈

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SiC 잉글트 성장 오븐은 PVT, Lely TSSG 및 LPE 방법을 사용하여 4 인치, 6 인치 및 8 인치의 큰 크기의 결정을 재배합니다.

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