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4inch 6Inch 4H-N 500mm 350um SIC wafer Silicon Carbide sic Substrate Prime Dummy Grade

4인치 6인치 4H-N 500mm 350um SIC 웨이퍼 실리콘 카바이드 sic 기판 프라임 더미 그레이드

  • 하이 라이트

    세미콘d터 탄화규소 substrate

    ,

    6 인치 SiC 기판

    ,

    가짜 등급 SIC 웨이퍼

  • 응용 프로그램
    장치, led, 5G, 감지기, 전력 전자
  • 산업
    반도체 웨이퍼
  • 재료
    반도체
  • 색상
    녹색 또는 흰색 또는 파란색
  • 경도
    9.0
  • 유형
    4H, 6H, 도핑된, 도핑되지 않은,
  • 원래 장소
    중국
  • 브랜드 이름
    zmsh
  • 모델 번호
    6inch-001
  • 최소 주문 수량
    1 PC
  • 가격
    by case by FOB
  • 포장 세부 사항
    한 개의 웨이퍼 컨테이너의 카세트에서, 수업 100 클린 룸 환경에서 패키징됩니다
  • 배달 시간
    40 일 이내에
  • 공급 능력
    50 PC / 달

4인치 6인치 4H-N 500mm 350um SIC 웨이퍼 실리콘 카바이드 sic 기판 프라임 더미 그레이드

4인치 6인치 4H-N 500mm 350um SIC 웨이퍼 실리콘 카바이드 sic 기판 프라임 더미 그레이드

분말 장치용 6inch 4H-N 500mm 350um sic 기판 웨이퍼

 

직경 6인치, 탄화규소(SiC) 기판 사양  
등급 제로 MPD 등급 생산 등급 연구 등급 더미 등급
지름 150.0mm±0.2mm
두께Δ 350μm±25μm 또는 500±25un
웨이퍼 방향 Off axis : < 1120> 방향으로 4.0° ±0.5° for 4H-N On axis : <0001>±0.5° for 6H-SI/4H-SI
기본 플랫 {10-10}±5.0°
기본 평면 길이 47.5mm±2.5mm
에지 제외 3mm
TTV/활/워프 ≤15μm /≤40μm /≤60μm
마이크로파이프 밀도 ≤1cm-2 ≤5cm-2 ≤15cm-2 ≤100cm-2
비저항 4H-N 0.015~0.028Ω·cm
4/6H-SI ≥1E5Ω·cm
거칠기 폴란드어 Ra≤1 nm
CMP Ra≤0.5 nm
고휘도 빛에 의한 균열 없음 1개 허용, ≤2mm 누적 길이 ≤ 10mm, 단일 length≤2mm
고강도 조명에 의한 육각 플레이트 누적 면적 ≤1% 누적 면적 ≤2% 누적 면적 ≤5%
고휘도 조명에 의한 폴리타입 영역 없음 누적 면적≤2% 누적 면적≤5%
고휘도 빛에 의한 흠집 1×웨이퍼 직경 누적 길이에 3개의 스크래치 1×웨이퍼 직경 누적 길이에 5개의 스크래치 1×웨이퍼 직경 누적 길이에 5개의 스크래치
에지 칩 없음 3개 허용, 각각 ≤0.5mm 5개 허용, 각각 1mm 이하
고휘도 빛에 의한 오염 없음

 

 

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회사 소개
 
상하이 유명 무역 CO., LTD.중국의 제일 도시인 상해의 도시에서 찾아내고, 우리 공장은2014년에 우시시에 설립되었습니다.
우리는 전자, 광학, 광전자공학 및 기타 여러 분야에서 널리 사용되는 웨이퍼, 기판 및 맞춤형 광학 유리 부품으로 다양한 재료를 처리하는 것을 전문으로 합니다.또한 우리는 국내외 많은 대학, 연구 기관 및 기업과 긴밀히 협력하여 R&D 프로젝트에 맞춤형 제품과 서비스를 제공합니다.
하는 것이 우리의 비전입니다. 우리의 좋은 평판으로 모든 고객과 좋은 협력 관계를 유지합니다.
 
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