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4H-N SiC: 맞춤형 두께 SSP/DSP 연마 가능 PV 및 에너지 저장 인버터

Name: 4H-N SiC: 맞춤형 두께 SSP/DSP 연마 가능 PV 및 에너지 저장 인버터
Brand: SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD
SKU: 4H-N SiC
Price: 315.00 USD
Availability: InStock

브랜드 이름:	ZMSH
모델 번호:	4H-N SiC
MOQ:	25
가격:	Fluctuates with market
배달 시간:	4-9 주
지불 조건:	티/티

자세한 정보

제품 설명

자세한 정보

원래 장소:

중국 상하이

기본 재료:

SIC

크기:

그림에 따른 쿠스토미즈드

두께:

맞춤형

모양:

원형, 사각형 또는 주문형

표면:

광택 처리 또는 용도에 따라

노치 찾기:

수량, 크기 및 위치 맞춤 설정 가능

제품 설명

4H-N SiC 정보

이 고순도 4H-N형 실리콘 카바이드(4H-N SiC) 웨이퍼는 높은 항복 전압, 높은 열전도율, 넓은 밴드갭 성능, 화학적 불활성 및 낮은 결함 밀도를 요구하는 전력 반도체 소자 제조용으로 제작된 단결정 기판입니다. 이 제품은 원형 단결정 본체, 정밀한 두께 제어, 에피 성장 준비가 된 연마된 표면, 제어된 결정학적 오프축 방향, 그리고 신중하게 프로파일링된 웨이퍼 가장자리가 특징입니다.

단순한 평평한 디스크가 아니라, 이 웨이퍼는 일관된 에피 성장, 신뢰할 수 있는 소자 성능, 균일한 전기적 특성 및 반도체 제조 공정 내에서 안정적인 열 관리를 제공할 수 있는 여러 정밀하게 제어된 재료 매개변수를 통합합니다. 에피 성장 준비가 된 표면은 후속 에피 증착을 위한 결함 최소화 기반을 제공하며, 제어된 오프축 방향은 스텝 흐름 성장을 지원하고 활성 소자 영역 전반에 걸쳐 정의된 결정 품질을 유지하는 데 도움이 될 수 있습니다. 4H-N SiC: 맞춤형 두께 SSP/DSP 연마 가능 PV 및 에너지 저장 인버터

웨이퍼 사양에는 여러 사용자 정의 가능한 매개변수와 허용 오차 제어가 포함됩니다. 이는 해당 소자 제조 공정, 에피 성장 요구 사항, 리소그래피 장비 표준 또는 최종 애플리케이션 성능 목표와 일치하도록 설계될 수 있습니다. 직경, 두께, 오프축 각도, 비저항 범위, 도핑 농도, 표면 마감, 가장자리 프로파일, 평탄도(TTV) 및 휨/뒤틀림은 모두 고객의 기술 사양에 따라 사용자 정의할 수 있습니다.

이 4H-N SiC 웨이퍼는 전력 MOSFET, 쇼트키 장벽 다이오드, IGBT, 바이폴라 접합 트랜지스터 및 전기 자동차 구동 인버터, 재생 에너지 컨버터(태양광 및 풍력), 산업용 모터 드라이브, 무정전 전원 장치, 고전압 스위칭 시스템 및 기존 실리콘 기판이 항복 전압, 열전도율 또는 스위칭 주파수 제한에 직면할 수 있는 고온 전자 애플리케이션에 적합합니다.

기술 사양

항목	사양
제품	4H-N SiC 기판 / 웨이퍼
재료	4H N형 실리콘 카바이드 단결정
성장 방법	물리 증기 수송 (PVT)
결정 구조	육방정계 (4H-SiC 폴리타입)
직경	4" / 6" / 8" 또는 맞춤형
두께	맞춤형 (예: 350 μm – 1000 μm)
방향	(0001) Si 면 / C 면, 사용자 정의 가능한 오프축 각도 (일반적으로 4° / 8° 방향<11-20>)
표면 마감	SSP (단면 연마) / DSP (양면 연마) / 래핑 / 연삭
표면 품질	SEMI 표준에 따른 스크래치-다이 (예: 40/20, 20/10)
TTV (총 두께 변동)	≤ 5 μm (또는 고객 요구 사항에 따름)
휨 / 뒤틀림	연마: ≤ 0.2 nm / 래핑: ≤ 0.5 μm
거칠기 (Ra)	연마: ≤ 0.2 nm / 래핑: ≤ 0.5 μm
가장자리 유형	필요에 따라 챔퍼 처리 / 둥글게 처리
플랫 길이	맞춤형 (SEMI 표준 또는 고객 도면에 따름)
가장자리 프로파일	필요에 따라 챔퍼 처리 / 둥글게 처리
도펀트 / 순도	질소 도핑 N형, 고순도 단결정
코팅	코팅 없음 / 요청 시 맞춤형 기능 코팅 가능
응용 분야	전력 MOSFET, SBD, EV 구동 인버터, 재생 에너지 컨버터, 산업용 전원 공급 장치, 고온 전자 제품

전력 반도체 애플리케이션에 4H-N SiC 기판을 선택하는 이유는 무엇입니까?

완전한 기술 도면이 없는 경우, 당사 팀이 매개변수 테스트 및 계획 평가를 수행할 수 있도록 SiC 기판의 명확한 고화질 사진과 실물 샘플을 제공해 주십시오.기존 실리콘, 사파이어 및 일반 세라믹 기판 재료와 비교할 때, 고순도 단결정 4H-N SiC 기판은 우수한 종합적인 물리적 및 전기적 특성을 통합하여 고급 전력 반도체 및 신에너지 산업 공정에 대체 불가능합니다. 주요 장점은 다음과 같습니다.

극도의 고온 안정성

2830°C까지의 녹는점을 자랑하며, 장시간 고온 에피 성장, 어닐링 및 소자 서비스 조건에서 안정적인 결정 구조와 전기적 성능을 유지하여 기판 고장 및 전력 소자 열 폭주를 효과적으로 방지합니다.초고 항복 전압 4H-N SiC: 맞춤형 두께 SSP/DSP 연마 가능 PV 및 에너지 저장 인버터

실리콘 재료보다 10배 높은 항복 전기장을 특징으로 하는 4H-N SiC는 초고전압 소자 설계를 지원하며, 칩 두께를 크게 줄이고 고출력 모듈의 소형화를 달성합니다.우수한 열전도율

실리콘보다 3~4배 높은 열전도율로 전력 소자의 작동 열을 빠르게 방출하여 접합 온도를 효과적으로 낮추고 장비의 연속 작동 안정성을 향상시킵니다.

우수한 고주파 성능낮은 스위칭 손실과 낮은 기생 커패시턴스는 고주파 스위칭 조건에서 안정적인 작동을 가능하게 하여 고출력 장비의 에너지 변환 효율을 크게 향상시킵니다.

안정적인 N형 전도성 특성균일한 질소 도핑은 일관된 저비저항 전도성을 제공하여 수직 전력 소자의 우수한 전류 전도 및 접지 성능을 보장합니다.

우수한 화학 및 플라즈마 저항성

다양한 반도체 공정 가스 및 강력한 플라즈마 에칭 환경의 부식에 저항하여 에피 성장, 에칭 및 박막 증착 중 초안정적인 표면 상태를 유지합니다.장기적인 신뢰성 및 방사선 저항성

우수한 구조적 안정성과 방사선 방지 기능을 갖추고 있어 신에너지 차량, 항공 우주 및 산업용 고출력 장비의 열악한 작업 조건에 적응하여 소자 수명을 연장합니다.이러한 이유로 4H-N SiC 기판은 자동차 등급 전력 MOSFET, 쇼트키 다이오드, 광전 변환기, 에너지 저장 전력 모듈 및 기타 핵심 고효율 전력 반도체 부품의 선호되는 주류 재료가 되었습니다.

맞춤형 4H-N SiC 기판 제조 4H-N SiC: 맞춤형 두께 SSP/DSP 연마 가능 PV 및 에너지 저장 인버터

당사는 전력 반도체 및 광전자 장비용 맞춤형 및 표준화된 4H-N SiC 기판 제조를 전문으로 하며, 산업 대량 생산 및 실험실 R&D를 위한 고정밀 맞춤형 솔루션에 중점을 둡니다. 당사는 고정된 표준 사양의 한계를 극복하고 고객의 실제 에피 공정 매개변수, 웨이퍼 제조 요구 사항 및 소자 설계 표준에 따라 SiC 기판을 완전히 맞춤화합니다.포괄적인 맞춤화 옵션은 전체 공정 기판 매개변수 및 지원 구조를 포함합니다:

4H-N SiC 기판 핵심 매개변수

웨이퍼 직경 (2/4/6/8인치 및 특수 맞춤형 크기)

완전한 기술 도면이 없는 경우, 당사 팀이 매개변수 테스트 및 계획 평가를 수행할 수 있도록 SiC 기판의 명확한 고화질 사진과 실물 샘플을 제공해 주십시오.결정 방향 (Si 면 / C 면, 사용자 정의 가능한 오프축 각도 0°–8°)

비저항 범위 및 질소 도핑 농도

가장자리 모양 및 챔퍼 사양

완전한 기술 도면이 없는 경우, 당사 팀이 매개변수 테스트 및 계획 평가를 수행할 수 있도록 SiC 기판의 명확한 고화질 사진과 실물 샘플을 제공해 주십시오.표면 거칠기, 평탄도, TTV 및 휨/뒤틀림 지표

양면/단면 연마 요구 사항 (SSP/DSP)

초청정 표면 처리 및 응력 완화 처리

매칭 구조 부품

웨이퍼 캐리어 고정구 크기 맞춤화

위치 구멍 및 홈 가공

금속 매칭 베이스 및 슬리브 구조

장착 및 고정 인터페이스 사양

기판 및 보조 부품의 통합 조립

고객의 직접 설치 및 사용 요구 사항을 충족하기 위해 4H-N SiC 기판과 매칭되는 금속/세라믹 부품으로 조립된 완성된 통합 부품을 제공할 수 있습니다.

완전한 기술 도면이 없는 경우, 당사 팀이 매개변수 테스트 및 계획 평가를 수행할 수 있도록 SiC 기판의 명확한 고화질 사진과 실물 샘플을 제공해 주십시오.단종된 4H-N SiC 기판, 구하기 어려운 오리지널 웨이퍼 및 특수 반도체 공정 장비용 비표준 맞춤형 기판에 대해 전문적인 역설계 및 교체 제조 서비스를 제공합니다. 고객은 평가 및 견적을 위해 다음 정보를 제공할 수 있습니다:

오리지널 장비 부품 번호

상세 기술 도면 및 매개변수 사양

명확한 제품 사진 및 실물 샘플 (신품/중고품)

주요 치수, 결정 및 전기 매개변수 데이터

지원 에피 장비 모델 및 배치 정보

특정 애플리케이션 시나리오 및 공정 환경 매개변수

완전한 기술 도면이 없는 경우, 당사 팀이 매개변수 테스트 및 계획 평가를 수행할 수 있도록 SiC 기판의 명확한 고화질 사진과 실물 샘플을 제공해 주십시오.품질 관리

당사는 모든 4H-N SiC 기판에 대해 전체 공정 정밀 품질 검사를 실시하며, 고객 프로젝트 요구 사항 및 SEMI 산업 표준에 따라 대상 검사 항목과 완전한 테스트 보고서를 제공할 수 있습니다. 핵심 검사 내용은 다음과 같습니다:

전체 치수 정밀 검사 (직경, 두께, 허용 오차 보정)

결정 방향 및 오프축 각도 정확도 감지

비저항 균일성 및 도핑 농도 테스트

표면 평탄도, TTV, 휨/뒤틀림 및 거칠기 테스트

시각적 결함 검사 (스크래치, 구멍, 균열, 폴리타입 포함)

표면 청결도 및 내부 응력 감지

조립 정밀도 및 매칭 허용 오차 검사

완전한 기술 도면이 없는 경우, 당사 팀이 매개변수 테스트 및 계획 평가를 수행할 수 있도록 SiC 기판의 명확한 고화질 사진과 실물 샘플을 제공해 주십시오.전체 테스트 데이터가 포함된 공식 검사 보고서는 고객의 입고 재료 검증 및 생산 품질 추적을 지원하기 위해 제공될 수 있습니다.

견적을 위해 어떤 정보를 보내야 합니까?

정확한 견적을 보장하고 납품 주기를 단축하기 위해 상담 시 다음 상세 정보를 제공해 주십시오: 4H-N SiC: 맞춤형 두께 SSP/DSP 연마 가능 PV 및 에너지 저장 인버터

완전한 제품 기술 도면 및 매개변수 시트

기판 직경, 두께 및 허용 오차 요구 사항

결정 방향, 오프축 각도 및 비저항 범위

표면 마감, 연마 등급 및 청결도 요구 사항

매칭 보조 부품의 매개변수 (해당하는 경우)

에피 장비 브랜드, 모델 및 지원 공정 조건

오리지널 OEM 부품 번호 (사용 가능한 경우)필요 수량 및 배치 수요

특정 애플리케이션 공정 및 극한 환경 요구 사항

완전한 기술 도면이 없는 경우, 당사 팀이 매개변수 테스트 및 계획 평가를 수행할 수 있도록 SiC 기판의 명확한 고화질 사진과 실물 샘플을 제공해 주십시오.자주 묻는 질문

4H-N SiC 기판은 주로 무엇에 사용됩니까?

4H-N SiC 기판은 전력 반도체 제조를 위한 핵심 와이드 밴드갭 캐리어 재료로, 주로 SiC MOSFET, 쇼트키 장벽 다이오드, 고전압 전력 모듈, 신에너지 차량 전기 제어 시스템, 광전 풍력 인버터, 산업용 고주파 전원 공급 장치 및 항공 우주 고온 전자 장치에 사용되며, 고전압, 고주파 및 고열 플럭스 에피 성장 및 칩 제조 공정에 적합합니다.

맞춤형 통합 SiC 기판 조립 부품을 제공할 수 있습니까?

예. 단일 4H-N SiC 기판 웨이퍼 외에도 도면 및 샘플 요구 사항에 따라 다양한 매칭 웨이퍼 고정구, 금속 베이스, 위치 지정 부품 및 완성된 통합 조립품을 맞춤화하여 원스톱 지원 공급을 실현할 수 있습니다.

오래되고 특수한 장비용 SiC 기판 교체품을 생산할 수 있습니까?

예. 도면 기반 생산 및 샘플 역설계를 포함한 전체 서비스 맞춤형 제조를 지원합니다. 고객은 오리지널 부품 번호, 기술 매개변수, 실물 샘플 및 장비 정보를 제공할 수 있으며, 당사 팀은 성능 매칭 및 대체 제조를 완료할 것입니다.

4H-N SiC 기판의 모든 핵심 매개변수를 사용자 정의할 수 있습니까?

예. 웨이퍼 크기, 두께, 결정 방향, 오프축 각도, 비저항, 가장자리 가공, 표면 거칠기 및 평탄도를 포함한 모든 주요 매개변수는 고객의 에피 공정 요구 사항에 따라 완전히 사용자 정의하여 개인화된 R&D 및 대량 생산 요구를 충족할 수 있습니다.

소량 및 프로토타입 주문을 지원합니까?

예. 프로토타입 개발, 실험실 소량 테스트, 장비 유지 보수 교체 및 대량 생산 배치 주문을 전적으로 지원합니다. 맞춤형 매개변수 및 가공 난이도에 따라 생산 계획 및 견적을 평가할 것입니다.

4인치 6인치 4H-N 500mm 350um SIC 웨이퍼 실리콘 카바이드 sic 기판 프라임 더미 등급

AR 안경용 6인치 8인치 4H-SEMI SiC 기판 광학 등급

태그:

사파이어 웨이퍼

SiC 기판

사파이어 광학적인 Windows

IC 실리콘 박편

와이어 톱 머신

합성 사파이어 막대

융합된 석영 판

사파이어 부속

합성 원석

반도체 장비

LiNbO3 웨이퍼

인듐 인화물 웨이퍼

세라믹 기질

실험실 래퍼

갈륨 질화물 웨이퍼

갈륨 비소 웨이퍼