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합성 사파이어 막대

융합된 석영 판

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반도체 장비

LiNbO3 웨이퍼

인듐 인화물 웨이퍼

세라믹 기질

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[polished silicon wafer ]

일치

210

제품

4인치 6인치 4H-N 500mm 350um SIC 웨이퍼 실리콘 카바이드 sic 기판 프라임 더미 그레이드

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게르마늄 단결정 인듐 인화물 웨이퍼는 Ge 광학 렌즈 4/6 인치를 주문을 받아서 만들었습니다

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에피인 GaN을 위한 MPCVD 방법 폴리타입 다이아몬드 기판 웨이퍼

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반도체 공정용 웨이퍼 핸들링 부식 내열 SiC 엔드 이펙터

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SiC Ceramic Optical Path Board for Wafer Inspection Equipment Parallelism ≤0.02mm

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3 4 5 6 7 8 9 10

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2인치 4인치 6인치 시크 실리콘 탄화물 기판 6H 높은 P-도핑형

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2인치/4인치/6인치/5.05.0mm/10.010.0mm Sic 실리콘 탄화물 기판 타입 3C-N 축: < 111 > ± 0.5° 생산 등급

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장비를 위한 주문 제작된 크기 실리콘 카바이드 기판 견고성 9.4 Sic 부품

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6인치 실리콘 탄화물 반 단열성 SiC 복합 기판 P 타입 N 타입 싱글 폴리쉬 더블 폴리쉬 생산 등급

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반 - 격리 실리콘 탄화물 기질, Sic 웨이퍼 4H 높은 순수성

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2Inch 탄화규소는 6H 또는 4H n형 또는 SiC 기판을 반 절연하는 것 웨이퍼로 만듭니다

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태양광 발전을 위한 4H-N 8 인치 반도체 기판 SIC 탄화 규소 웨이퍼

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고온 고전압 전력 장치 태양광 발전을 위한 맞춘 도전형 SIC 웨이퍼

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6 인치 사파이어 웨이퍼 배향 0001 Al2O3 단일 결정 광 투명성

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4 인치 SSP 사파이어 웨이퍼 석영 유리 두께 0.1 밀리미터 0.15 밀리미터 0.2 밀리미터

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실리콘 카비드 SiC 웨이퍼 4H-N 2"3"4"6"8"12" N 타입 프라임 / 덤미 / 연구 등급

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주문 제작된 4H-N 타입 반 절연성 탄화규소 기판 4는 6 인치 탄화 규소 웨이퍼로 조금씩 움직입니다

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