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[polished silicon wafer ]

일치

210

제품

4H 6인치 SiC 에피타시얼 웨이퍼 100μm/200μm/300μm 초고전압 (UHV) MOS 장치

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4'' 5'' SiO2 싱글 크리스탈 IC 칩 CZ 방법 500um 1mm 산화 층 500nm 2μM

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12 인치 사파이어는 BF33 석영 웨이퍼 기판 DSP를 웨이퍼로 만듭니다

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사파이어 글라스 결정 반도체 웨이퍼를 코팅하는 Ar

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A축 사파이어 웨이퍼 60/40 표면 및 보호 DSP 단 결정

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사파이어 웨이퍼 4" 직경 100mm±0.1mm 두께 650um C-면 맞춤형 연마

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주문 제작된 두께 1.5 밀리미터 4 " 4H-N SiC 크리스털 절단된 그대로 공백 웨이퍼

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거짓 생산 연구 급료 실리콘 탄화물 높은 순수성 4h-semi는 투명한 sic 웨이퍼를 유엔 진한 액체로 처리했습니다

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3 인치 4 인치 2 인치 0.35 밀리미터 DSP는 4h-N 탄화규소 SIC 웨이퍼를 포장합니다

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SiC 크리스탈 4H 세미 4 " 광학 탄화 규소 웨이퍼

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실리콘 탄화탄소 웨이퍼 4H P 타입 제로 MPD 생산 등급 덤미 등급 4인치 6인치

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프라임 2" 3" 4" 6" 4h-Semi 4H-N Insulating Sic 기판 Silicon Carbide sic 웨이퍼

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당신의 탐구 [ polished silicon wafer ] 일치 210 제품

전원 마이크로 LED를 위한 300 밀리미터 갈륨 질화물 웨이퍼 간-ON-실리콘

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RF 애플리케이션을 위한 4Inch 6INCH GaN ON 상태 실리콘 간-온-식 epi 웨이퍼

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알2O3 99.999% 단일 결정 4 인치 SSP/DSP Dia100mm A 평면 사피르 웨이퍼 기판

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웨이퍼 희석 시스템 정밀 희석 장비 SiC Si 웨이퍼 호환 4 -12 인치 웨이퍼 용량

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2 인치 A-비행기 단결정 사파이어 웨이퍼 기판 Al2O3 단일결정

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SiC 결정 씨앗 웨이퍼 Dia 205 203 208 생산 등급 PVT/HTCVD 성장

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2인치 3인치 4인치 6인치 SiC 에피타시얼 웨이퍼 4H-N 생산 등급

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평평한 단결정 사파이어 웨이퍼 Dia 100 밀리미터 2 인치

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2인치 단 결정 사파이어 웨이퍼 양면 닦은 Al2O3 99.999% 단일 결정 기판

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4인치 6인치 8인치 4H-SiCOI 웨이퍼 단열 기판에 복합 SiC

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사파이어 웨이퍼 2" 직선 50.8mm±0.1mm 두께 350um C 평면

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3인치 광학 등급 석영 웨이퍼 투과율 >92% 반도체 유리 기판

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​​3인치 광학 등급 석영 웨이퍼 투과율 >92% 반도체 유리 기판​​

3인치 광학 등급 석영 웨이퍼 투과율 >92% 반도체 유리 기판