제품 상세 정보:
결제 및 배송 조건:
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직경: | 3인치(76.2mm) | 두께 공차: | ±0.02mm |
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표면 거칠성: | ≤1nm (폴리싱 등급) | 전송 @193nm: | >92% |
CTE (RT-300 ° C): | 0.55 × 10/° C | 신청서: | 반도체 제조, 고출력 레이저 |
강조하다: | 반도체 유리 기판,광학 등급 석영 웨이퍼,고투과율 반도체 유리 기판 |
ZMSH는 3인치 쿼츠 웨이퍼를 주문 제조하여 고급 광전자, MEMS 및 반도체 애플리케이션에 맞춤형 솔루션을 제공합니다. 표준 2인치 웨이퍼와 달리, 3인치 쿼츠 웨이퍼는 다중 구성 요소 통합을 위해 확장 된 표면 면적을 제공하여 향상된 성능을 가진 고 정밀 장치를 가능하게합니다. 주요 특징은 다음과 같습니다. - 네
· 재료: 고 순수성 녹은 실리카 (SiO2) <50ppm의 하이드록실 함유량으로 광적 손실이 극히 낮습니다.
· 크기: 맞춤형 직경 (3.00 "±0.02") 및 두께 (0.525 ∼ 1,200 mm, TTV ≤10 μm). - 네
· 모양: 원형, 사각형 또는 불규칙 기하학, 비 표준 개도, 계단 가장자리 또는 경사 두께. - 네
· 표면 마감: 극도로 부드러운 표면 (Ra ≤1.0 nm) 을 사용하여 최소 빛 산란을 보장합니다.
P아라메터 | 사양 |
직경 | 3인치 (76.2mm) |
두께 허용 | ±0.02mm |
표면 거칠성 | ≤1nm (폴리싱 등급) |
송수신 @193nm | >92% |
CTE (RT-300°C) | 00.55×10−6/°C |
평행성 | ≤5μm |
진공 호환성 | 10−9 토르 |
1. 광적 우월성
- 광대 스펙트럼 전송: >92%의 전파율 185nm (UV) ~ 3500nm (IR), UV 리토그래피와 양자 감지에 이상적입니다.
- 낮은 열 팽창: CTE 0.52×10−6/°C, 1100°C까지 차원 안정성을 유지.
2기계 및 화학 저항성
- 높은 경화: 모스 스케일 7, 경화 및 기계 충격에 저항합니다.
- 산성 저항성: 세라믹보다 30배 더 높은 내구성, 공격적인 화학 환경에 적합합니다.
3전기 성능
- 단열: 저항성 > 1018 Ω·cm, 고주파 회로에서 기생 용량을 최소화합니다.
- SAW 호환성: 정확한 절단 각도 (예: FC 절단에 34.33°) 를 가진 표면 음파 (SAW) 필터에 최적화되었습니다.
1. 첨단 MEMS 장치
- 압력 센서, 자이로스코프, 잉크젯 프린터 헤드 3인치 웨이퍼를 활용하여 다층 통합과 열 안정성을 제공합니다.
2광전자 시스템
- 자외선 레이저 다이오드, 광섬유 콜리마터, 저손실 광 경로를 필요로 하는 LiDAR 부품
3. 반도체 포장
- TSV (Through-Silicon Via) 기술을 지원하는 CMOS 이미지 센서와 RFIC에 대한 웨이퍼 레벨 패키징 (WLP) 기판.
4양자 기술
- 다이아몬드 질소 공백 (NV) 센터 및 초전도 큐비트의 기판, 초저 결함 밀도를 이용합니다.
ZMSH의 쿼츠 모세혈관은 미세 유체 및 광학 응용을 위해 설계되었습니다.
- 맞춤형 사이즈:내부 지름 50μm~5mm, 길이 최대 300mm - 네
- 초고 순수:< 1ppm의 금속 불순물, 실험실 칩 시스템에서의 생물 호환성 - 네
- 처리:레이저 드릴링, 열형조형, 화학적 발사, 센서나 광섬유에 원활한 통합을 위해
1Q: 왜 3인치 쿼츠 웨이퍼를 선택합니까?
A: 3인치 쿼츠 웨이퍼는 MEMS 센서, 광적 필터,고 순수성 (OH− < 50 ppm) 및 극저열 확장 (CTE 0) 의 반도체 포장재.52×10−6/°C) - 네
2Q: 3인치 쿼츠 웨이퍼의 주요 응용 분야는 무엇입니까?
A: 그들은 UV 레이저 광학, 광섬유 부품, MEMS 자이로스코프 및 고급 반도체 포장 (예를 들어, TSV 및 WLP) 에서 널리 사용됩니다.표면 거칠성 <1nm, 광전도 >92%를 활용한.
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- 네
담당자: Mr. Wang
전화 번호: +8615801942596