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Mr. Wang

eric_wang@zmsh-materials.com

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[polished silicon wafer ]

일치

210

제품

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6 인치 사파이어 웨이퍼 배향 0001 Al2O3 단일 결정 광 투명성

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4 인치 SSP 사파이어 웨이퍼 석영 유리 두께 0.1 밀리미터 0.15 밀리미터 0.2 밀리미터

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실리콘 카비드 SiC 웨이퍼 4H-N 2"3"4"6"8"12" N 타입 프라임 / 덤미 / 연구 등급

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주문 제작된 4H-N 타입 반 절연성 탄화규소 기판 4는 6 인치 탄화 규소 웨이퍼로 조금씩 움직입니다

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고주파용 장치를 위한 8 인치 6 인치 4H-N 타입 SiC 기판 웨이퍼 생산 등급

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쿠스토미즈드 간-온-간 SiC 실리콘 사파이어 기판 에피택셜 웨이퍼 4 인치 Dia 100 밀리미터

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자립형 갈륨 질화물 웨이퍼 반도체 GaN 기판

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간-ON-간 마이크로는 epi 웨이퍼 무료 세우는 GaN 기판에게 2 인치를 보내게 했습니다

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2 인치 DSP 단일 결정 갈륨 질화물 웨이퍼 무료 세우는 GaN 기판

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자립형 HVPE 갈륨 질화물 웨이퍼 GaN 기판 4는 조금씩 움직입니다

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8 인치 0.725 Dia100mm Ｃ 비행기 단결정 사파이어 웨이퍼 1300 밀리미터 1500 밀리미터 두께

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반도체 캐리어를 위한 8 인치 Dia100mm 0001 사파이어 웨이퍼 1 SP (기술병) 또는 2 SP (기술병)

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Al2O3 단결정 사파이어 웨이퍼 A 비행기 6 인치 150 밀리미터

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4H-N 타입 반 절연 SiC 기판 2는 3 인치 4 인치 탄화 규소 웨이퍼로 조금씩 움직입니다

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더미 급료 6Inch Sic 기질 웨이퍼 Dia150mm 4H-N 500mm 간격

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아주얇은 두께 0.1 밀리미터 0.2 밀리미터 2 인치 사파이어 빛 양면 연마 웨이퍼

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2 3 4 5 6 7 8 9

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SiC Square Mirror Mirror-Grade Polishing for Lithography Machine

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프라임 2" 3" 4" 6" 4h-Semi 4H-N Insulating Sic 기판 Silicon Carbide sic 웨이퍼

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SiC Ceramic Vacuum Chuck Flip-Chip Bonding Mirror Polishing High-Stiffness

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반도체 아니오 도핑된 SiC 기판 고열 전도성

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반도체 소자를 위한 2inch 3inch Dia100m 4H-N 유형 실리콘 탄화물 웨이퍼 생산 급료

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5x40mm 맞춤형 모양 sic 크리스탈 웨이퍼 4H-N Sic 기판 칩

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4H-N 5x5mm은 원문대로 DSP 세라믹 촉매제 기판을 웨이퍼로 만듭니다

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4H-N 생산 등급은 등급 SiC 기판 웨이퍼 8 인치 Dia200mm을 더미를 만듭니다

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4H-N 4 인치 6은 SBD MOS 장치에 쓸 SIC 웨이퍼 반도체 물질로 조금씩 움직입니다

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2인치 / 4인치 / 6인치 시크 실리콘 탄화물 기판 4H-P 타입 오프 축 2.0° 생산 수준

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실리콘 탄화탄소 웨이퍼 6H P 타입 & 4H P 타입 제로 MPD 생산 덤미 등급 디아 4인치 6인치

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시크 실리콘 카바이드 기판 6H-P 타입 0° 축 모스 경도는 레이저 장치에 9.2

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​​SiC Square Mirror Mirror-Grade Polishing for Lithography Machine

프라임 2" 3" 4" 6" 4h-Semi 4H-N Insulating Sic 기판 Silicon Carbide sic 웨이퍼

SiC Ceramic Vacuum Chuck ​​Flip-Chip Bonding Mirror Polishing High-Stiffness​​

반도체 아니오 도핑된 SiC 기판 고열 전도성

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5x40mm 맞춤형 모양 sic 크리스탈 웨이퍼 4H-N Sic 기판 칩

4H-N 5x5mm은 원문대로 DSP 세라믹 촉매제 기판을 웨이퍼로 만듭니다

4H-N 생산 등급은 등급 SiC 기판 웨이퍼 8 인치 Dia200mm을 더미를 만듭니다

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실리콘 탄화탄소 웨이퍼 6H P 타입 & 4H P 타입 제로 MPD 생산 덤미 등급 디아 4인치 6인치

시크 실리콘 카바이드 기판 6H-P 타입 0° 축 모스 경도는 레이저 장치에 9.2

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