RF 애플리케이션을 위한 HVPE GaN 기판 또는 gan 템플릿 epi 웨이퍼

무료로 LED applicaion,10x10mm 크기 GaN 칩, HVPE 질화 갈륨 기판을 위해 GaN 기판을 세우면서, 2는 HVPE 방법 갈륨 나이트라이드 질화 갈륨 기판으로 조금씩 움직입니다

GaN 특징에 대하여 도입하세요

고속, 고온과 높은 전력 처리 성능에 대한 증가하는 수요는 반도체 산업이 반도체로서 사용된 물질 중에서 선택을 재고하게 했습니다. 실례를 들어,

다양한 빠르고 더 작은 컴퓨터 장치가 발생한 것처럼, 실리콘의 사용은 moore의 법칙을 유지하는 것을 어렵게 하고 있습니다. 그러나 또한 파워 전자 장치에서, 그래서 갈륨-질소 반도체 웨이퍼는 필요를 위해 밖에 성장됩니다.

그것의 고유 특성 (높은 최대 전류와 고항복 전압과 높은 전환 주파수) 때문에, 갈륨 나이트라이드 GaN은 미래의 에너지 문제를 해결하기 위해 선택의 독특한 재료입니다. 갈륨-질소계 시스템은 그러므로 더 높은 주파수로 전력 손실, 스위치를 감소시킨 고위 측 전원 효율을 가지고 있고 그러므로 크기와 체중을 줄입니다.

GaN 기술은 산업적이, 소비자와 서버 전력 공급, 태양이, AC 드라이브로 그와 같은 수많은 고전력 응용과 UPS 인버터와 하이브리드이고 전기 자동차에서 사용됩니다. 게다가,

GaN은 셀룰라 기지국, 레이더와 케이블 텔레비전과 같은 RF 앱에 이상적으로 적합합니다

그것의 높은 항복력, 저잡음 형태와 고선형성의 덕택으로, 네트워킹, 항공 우주와 방어 섹터의 인프라.

애플리케이션

GaN 기판 LED 등급 동안 상술