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[silicon carbide substrate ]

일치

243

제품

4H-N 4 인치 6은 SBD MOS 장치에 쓸 SIC 웨이퍼 반도체 물질로 조금씩 움직입니다

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시크 결정 성장 오븐 PVT LPE HT-CVD 고품질 시크 단일 결정 성장 방법

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CVD SiC 에피타시 웨이퍼 2인치 3인치 4인치 6인치 에피타시 두께 2.5-120um 전자 전력

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SiC 잉글트 성장 오븐은 PVT, Lely TSSG 및 LPE 방법을 사용하여 4 인치, 6 인치 및 8 인치의 큰 크기의 결정을 재배합니다.

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8인치 SiC 에피택셜 웨이퍼 직경 200mm 두께 500μm 4H-N 타입

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사파이어 크리스탈 성장 오븐 CZ 방법 Czochralski 오븐은 고품질의 사파이어 크리스탈을 생산

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다이아몬드 위의 GaN과 에피 HEMT (고전자이동도 트랜지스터)과 결합에 의한 질화 갈륨 기판 위의 다이아몬드

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2인치 직경 50.8mm 4H-N 타입 SiC 에피택셜 웨이퍼 (고온 센서용)

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Si 웨이퍼/SiC/사파이어 재료용 고정밀 단면 연마 장비

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시크리트/사피르/우르트하드 브리틀 소재를 위한 다선 다이아몬드 사그 절단 기계

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SiC 씨 웨이퍼 4H N 타입 Dia 153 155 2인치-12인치 MOSFET 제조에 맞춤

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6인치 SiC 에피택셜 웨이퍼 직경 150mm 4H-N 타입 4H-P 타입 5G 통신용

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세라믹 절단 장비 단선/다선 다이아몬드 와이어 절단

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2인치 3인치 4인치 6인치 SiC 에피타시얼 웨이퍼 4H-N 생산 등급

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고순도 SiC로 코팅된 웨이퍼 취급 및 전송용 수송판

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웨이퍼 희석 시스템 정밀 희석 장비 SiC Si 웨이퍼 호환 4 -12 인치 웨이퍼 용량

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4인치 6인치 8인치 SICOI 웨이퍼 4H-SiC 온 인슐레이터 100~150 mm sic 필름 ON 실리콘

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프리미엄 3C-SiC 기판: 5G 및 전력 전자 장치용 N형 생산 등급 웨이퍼

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전력 반도체 제조용 12인치 300mm 4H-N SiC 기판

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SiC 씨앗 웨이퍼 8인치 두께 600±50um 4H 타입 생산 등급 실리콘 카바이드 결정 성장

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실리콘 카비드 SIC 웨이퍼 10*10mm 6H-P 두께 350μm 고전력 장치용

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도핑된 Fe와 10x15mm 100 배향 산화갈륨 GaAs 기판 100 배향

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4인치 실리콘 카비드 시크 웨이퍼 4H-P 타입 직경 100mm 두께 350μm 프라임 등급 연구 등급

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‌6H-N 타입 SiC 웨이퍼: 2인치 기판, 두께 350μm 또는 650μm‌

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4인치 Si 웨이퍼 디아 100mm 두께 350um 오리엔테이션 <100> DSP SSP 맞춤형 실리콘 웨이퍼 N 타입 P 타입

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SiC Components SiC Ceramics Structural Parts

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맞춤형 4인치 (100mm) 실리콘 웨이퍼: 350μm 두께, <100> 오리엔테이션, DSP/SSP, N형/P형 도핑

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더미 급료 6Inch Sic 기질 웨이퍼 Dia150mm 4H-N 500mm 간격

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