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[silicon carbide substrate ]

일치

225

제품

CVD SiC 에피타시 웨이퍼 2인치 3인치 4인치 6인치 에피타시 두께 2.5-120um 전자 전력

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HPSI High Purity Semi-insulating SiC Wafers 2"3"4"6" 8" Prime/Dummy/Research Grade

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SiC 잉글트 성장 오븐은 PVT, Lely TSSG 및 LPE 방법을 사용하여 4 인치, 6 인치 및 8 인치의 큰 크기의 결정을 재배합니다.

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8인치 SiC 에피택셜 웨이퍼 직경 200mm 두께 500μm 4H-N 타입

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사파이어 크리스탈 성장 오븐 CZ 방법 Czochralski 오븐은 고품질의 사파이어 크리스탈을 생산

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다이아몬드 위의 GaN과 에피 HEMT (고전자이동도 트랜지스터)과 결합에 의한 질화 갈륨 기판 위의 다이아몬드

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2인치 직경 50.8mm 4H-N 타입 SiC 에피택셜 웨이퍼 (고온 센서용)

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Si 웨이퍼/SiC/사파이어 재료용 고정밀 단면 연마 장비

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시크리트/사피르/우르트하드 브리틀 소재를 위한 다선 다이아몬드 사그 절단 기계

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SiC 씨 웨이퍼 4H N 타입 Dia 153 155 2인치-12인치 MOSFET 제조에 맞춤

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6인치 SiC 에피택셜 웨이퍼 직경 150mm 4H-N 타입 4H-P 타입 5G 통신용

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세라믹 절단 장비 단선/다선 다이아몬드 와이어 절단

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2인치 3인치 4인치 6인치 SiC 에피타시얼 웨이퍼 4H-N 생산 등급

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고순도 SiC로 코팅된 웨이퍼 취급 및 전송용 수송판

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웨이퍼 희석 시스템 정밀 희석 장비 SiC Si 웨이퍼 호환 4 -12 인치 웨이퍼 용량

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4인치 SiC 에피타시얼 웨이퍼 4H-N 지름 100mm 두께 350μm Prime Grade

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8 9 10 11 12 13 14 15

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SiC 씨앗 웨이퍼 8인치 두께 600±50um 4H 타입 생산 등급 실리콘 카바이드 결정 성장

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도핑된 Fe와 10x15mm 100 배향 산화갈륨 GaAs 기판 100 배향

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4인치 실리콘 카비드 시크 웨이퍼 4H-P 타입 직경 100mm 두께 350μm 프라임 등급 연구 등급

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‌6H-N 타입 SiC 웨이퍼: 2인치 기판, 두께 350μm 또는 650μm‌

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4인치 Si 웨이퍼 디아 100mm 두께 350um 오리엔테이션 <100> DSP SSP 맞춤형 실리콘 웨이퍼 N 타입 P 타입

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SiC Components SiC Ceramics Structural Parts

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더미 급료 6Inch Sic 기질 웨이퍼 Dia150mm 4H-N 500mm 간격

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마이크로젯 레이저 기술 장비 웨이퍼 슬라이스 금속 실리콘 카바이드 재료

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0.5x0.5mm 정방형 판에 의한 탄화실리콘 칩을 위한 탄화실리콘 레이저 커팅 서비스

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RF 애플리케이션을 위한 4Inch 6INCH GaN ON 상태 실리콘 간-온-식 epi 웨이퍼

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전원 마이크로 LED를 위한 300 밀리미터 갈륨 질화물 웨이퍼 간-ON-실리콘

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전원 RF 주도하는 적용을 위한 8INCH 12INCH 6INCH 간-온-시 에피-웨이퍼

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9 10 11 12 13 14 15 16

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