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eric_wang@zmsh-materials.com

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[polished silicon wafer ]

일치

160

제품

6인치 실리콘 탄화물 반 단열성 SiC 복합 기판 P 타입 N 타입 싱글 폴리쉬 더블 폴리쉬 생산 등급

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반 - 격리 실리콘 탄화물 기질, Sic 웨이퍼 4H 높은 순수성

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2Inch 탄화규소는 6H 또는 4H n형 또는 SiC 기판을 반 절연하는 것 웨이퍼로 만듭니다

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웨이퍼 처리용 SiC 세라믹 엔드 에펙터 - 반도체 가공용 부식 및 열 저항성

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6 인치 사파이어 웨이퍼 배향 0001 Al2O3 단일 결정 광 투명성

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4 인치 SSP 사파이어 웨이퍼 석영 유리 두께 0.1 밀리미터 0.15 밀리미터 0.2 밀리미터

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실리콘 카비드 SiC 웨이퍼 4H-N 2"3"4"6"8"12" N 타입 프라임 / 덤미 / 연구 등급

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태양광 발전을 위한 4H-N 8 인치 반도체 기판 SIC 탄화 규소 웨이퍼

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주문 제작된 4H-N 타입 반 절연성 탄화규소 기판 4는 6 인치 탄화 규소 웨이퍼로 조금씩 움직입니다

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주문 제작된 두께 1.5 밀리미터 4 " 4H-N SiC 크리스털 절단된 그대로 공백 웨이퍼

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실리콘 카비드 웨이퍼 6H P형 표준 생산 등급 Dia:1450.5mm~150.0mm 두께 350μm ± 25μm

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실리콘 탄화탄소 웨이퍼 4H P 타입 제로 MPD 생산 등급 덤미 등급 4인치 6인치

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프라임 2" 3" 4" 6" 4h-Semi 4H-N Insulating Sic 기판 Silicon Carbide sic 웨이퍼

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