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Mr. Wang

eric_wang@zmsh-materials.com

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[polished silicon wafer ]

일치

219

제품

SiC Ceramic Vacuum Chuck Flip-Chip Bonding Mirror Polishing High-Stiffness

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반도체 아니오 도핑된 SiC 기판 고열 전도성

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반도체 소자를 위한 2inch 3inch Dia100m 4H-N 유형 실리콘 탄화물 웨이퍼 생산 급료

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5x40mm 맞춤형 모양 sic 크리스탈 웨이퍼 4H-N Sic 기판 칩

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4H-N 5x5mm은 원문대로 DSP 세라믹 촉매제 기판을 웨이퍼로 만듭니다

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4H-N 생산 등급은 등급 SiC 기판 웨이퍼 8 인치 Dia200mm을 더미를 만듭니다

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4H-N 4 인치 6은 SBD MOS 장치에 쓸 SIC 웨이퍼 반도체 물질로 조금씩 움직입니다

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2인치 / 4인치 / 6인치 시크 실리콘 탄화물 기판 4H-P 타입 오프 축 2.0° 생산 수준

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실리콘 탄화탄소 웨이퍼 6H P 타입 & 4H P 타입 제로 MPD 생산 덤미 등급 디아 4인치 6인치

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시크 실리콘 카바이드 기판 6H-P 타입 0° 축 모스 경도는 레이저 장치에 9.2

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2인치 4인치 6인치 시크 실리콘 탄화물 기판 6H 높은 P-도핑형

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2인치/4인치/6인치/5.05.0mm/10.010.0mm Sic 실리콘 탄화물 기판 타입 3C-N 축: < 111 > ± 0.5° 생산 등급

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장비를 위한 주문 제작된 크기 실리콘 카바이드 기판 견고성 9.4 Sic 부품

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6인치 실리콘 탄화물 반 단열성 SiC 복합 기판 P 타입 N 타입 싱글 폴리쉬 더블 폴리쉬 생산 등급

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반 - 격리 실리콘 탄화물 기질, Sic 웨이퍼 4H 높은 순수성

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2Inch 탄화규소는 6H 또는 4H n형 또는 SiC 기판을 반 절연하는 것 웨이퍼로 만듭니다

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사파이어 웨이퍼 2" 직선 50.8mm±0.1mm 두께 350um C 평면

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3인치 광학 등급 석영 웨이퍼 투과율 >92% 반도체 유리 기판

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4H 6인치 SiC 에피타시얼 웨이퍼 100μm/200μm/300μm 초고전압 (UHV) MOS 장치

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4'' 5'' SiO2 싱글 크리스탈 IC 칩 CZ 방법 500um 1mm 산화 층 500nm 2μM

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12 인치 사파이어는 BF33 석영 웨이퍼 기판 DSP를 웨이퍼로 만듭니다

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사파이어 글라스 결정 반도체 웨이퍼를 코팅하는 Ar

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A축 사파이어 웨이퍼 60/40 표면 및 보호 DSP 단 결정

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사파이어 웨이퍼 4" 직경 100mm±0.1mm 두께 650um C-면 맞춤형 연마

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거짓 생산 연구 급료 실리콘 탄화물 높은 순수성 4h-semi는 투명한 sic 웨이퍼를 유엔 진한 액체로 처리했습니다

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주문 제작된 두께 1.5 밀리미터 4 " 4H-N SiC 크리스털 절단된 그대로 공백 웨이퍼

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3 인치 4 인치 2 인치 0.35 밀리미터 DSP는 4h-N 탄화규소 SIC 웨이퍼를 포장합니다

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SiC 크리스탈 4H 세미 4 " 광학 탄화 규소 웨이퍼

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