 |
CVD SiC 에피타시 웨이퍼 2인치 3인치 4인치 6인치 에피타시 두께 2.5-120um 전자 전력2024-05-07 18:17:32 |
|
|
주문 제작된 크기 5x5mm 0.5x0.5mm 4H-N SIC 칩 접시2023-08-24 22:50:31 |
|
|
4H-N 4 인치 6은 SBD MOS 장치에 쓸 SIC 웨이퍼 반도체 물질로 조금씩 움직입니다2023-04-26 13:50:08 |
|
|
12인치 300mm SiC 실리콘 탄화물 웨이퍼 4H-N 타입 덤미 프라임 연구 등급 다중 응용2025-03-21 11:03:41 |
|
|
반도체 소자를 위한 2inch 3inch Dia100m 4H-N 유형 실리콘 탄화물 웨이퍼 생산 급료2020-10-26 20:48:02 |
|
|
시크 결정 성장 오븐 PVT LPE HT-CVD 고품질 시크 단일 결정 성장 방법2025-02-21 16:42:38 |
|
|
파워 전자 장치를 위한 4H-N 절단된 그대로 탄화 규소 웨이퍼 0.5 밀리미터 두께2022-06-23 10:13:53 |
|
|
2인치 시크 실리콘 탄화물 기판 6H 낮은 저항 고 P-도핑 타입 지름 50.8mm2024-09-24 17:30:38 |
|
|
2 인치 6H - 발견자를 위한 반 실리콘 탄화물 웨이퍼 저출력 소비2024-08-26 15:41:54 |
|
|
8인치 SiC 에피타시얼 서브스트라트 MOS 등급 프라임 등급 4H-N 타입 큰 지름2025-07-28 15:29:25 |
