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[sic wafer ]

일치

313

제품

실리콘 카비드 SiC 웨이퍼 4H-N 2"3"4"6"8"12" N 타입 프라임 / 덤미 / 연구 등급

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4inch Sic 주괴 실리콘 탄화물 반도체를 위한 5 - 15mm 간격

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SiC 씨 웨이퍼 6인치 8인치 4H-N 타입 생산 등급

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12인치 300mm 4H-N 6H-N SiC 단결정 실리콘 카바이드 웨이퍼 (전력 및 LED 장치용)

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전력 반도체 제조용 12인치 300mm 4H-N SiC 기판

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6인치 N형 6H 실리콘 카비드 에피타시 웨이퍼 MEMS 및 UV 센서용 350um 두께

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거짓 생산 연구 급료 실리콘 탄화물 높은 순수성 4h-semi는 투명한 sic 웨이퍼를 유엔 진한 액체로 처리했습니다

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Si 웨이퍼/SiC/사파이어 재료용 고정밀 단면 연마 장비

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웨이퍼, 그래피트 종이나 시시 씨를 위한 시시 정밀 결합 기계

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프리미엄 12인치 (300mm) 실리콘 카바이드 (SiC) 기판 솔루션

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높은 순도 반 단열성 SiC 웨이퍼 HPSI 전원 및 RF 장치용 실리콘 탄화물 기판

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CVD SiC 에피타시 웨이퍼 2인치 3인치 4인치 6인치 에피타시 두께 2.5-120um 전자 전력

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실리콘 카비드 웨이퍼 6H P형 표준 생산 등급 Dia:1450.5mm~150.0mm 두께 350μm ± 25μm

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주문 제작된 두께 1.5 밀리미터 4 " 4H-N SiC 크리스털 절단된 그대로 공백 웨이퍼

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4H-N 생산 등급은 등급 SiC 기판 웨이퍼 8 인치 Dia200mm을 더미를 만듭니다

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태양광 발전을 위한 4H-N 8 인치 반도체 기판 SIC 탄화 규소 웨이퍼

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2인치 시크 기판 6H-N 타입 두께 350um 650um 시크 웨이퍼

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2 SP (기술병) 4H 세미 4H-N SIC 탄화 규소 웨이퍼 10 Ｘ 10 Ｘ 0.5 밀리미터

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반도체 아니오 도핑된 SiC 기판 고열 전도성

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더미 급료 6Inch Sic 기질 웨이퍼 Dia150mm 4H-N 500mm 간격

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3 인치 실리콘 탄화물 웨이퍼, Sic 기질 우수한 일시적인 특성

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SBD MOS 적용을 위한 6 인치 Dia 150 밀리미터 350 um 두께 4H 앤형 SiC 기판

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커스텀지드 형태에 의한 저항률 >1E7ohm.cm SiC 기판

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10x10mm 5x5mm SiC 기판 저항률 0.015-0.028ohm.Cm 또는 >1E7ohm.Cm은 원문대로 자릅니다

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