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제품 소개SiC 기판

3 인치 실리콘 탄화물 웨이퍼, Sic 기질 우수한 일시적인 특성

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3 인치 실리콘 탄화물 웨이퍼, Sic 기질 우수한 일시적인 특성

3 Inch Silicon Carbide Wafer , Sic Substrate Excellent Transient Characteristics
3 Inch Silicon Carbide Wafer , Sic Substrate Excellent Transient Characteristics 3 Inch Silicon Carbide Wafer , Sic Substrate Excellent Transient Characteristics

큰 이미지 :  3 인치 실리콘 탄화물 웨이퍼, Sic 기질 우수한 일시적인 특성

제품 상세 정보:
원래 장소: 중국
브랜드 이름: zmkj
모델 번호: 4inch--반 높은 순수성
결제 및 배송 조건:
최소 주문 수량: 1PCS
가격: by required
포장 세부 사항: , 단 하나 웨이퍼 콘테이너의 카세트에서 종류 100 청정실 환경에서 포장하는
배달 시간: 십오일
공급 능력: 100pcs/months
상세 제품 설명
재료: 식 크리스탈 산업: 반도체 웨이퍼
애플리케이션: 반도체, LED, 소자, 전력전자, 5G 색상: 파란색, 녹색, 흰색
유형: 4H,6H, DOPED, 도핑되지 않음, 고순도
강조하다:

sic 웨이퍼

,

sic 기질

3inch sic 웨이퍼, 4H 높은 순수성 실리콘 탄화물 기질, 높은 순수성 4inch SiC 기질, 반도체를 위한 4inch 실리콘 탄화물 기질, 4inch SiC 기질, semconductor를 위한 실리콘 탄화물 기질, sic 단결정 웨이퍼, 주옥을 위한 sic 주괴

응용 범위

고주파와 고성능 전자 장치 Schottky 1개 다이오드, JFET, BJT, PiN의 다이오드, IGBT, MOSFET

2개의 광전자 공학 장치: GaN/SiC 파란 LED 기질 물자 (GaN/SiC)에서 주로 LED 사용해

advantagement

• 낮은 격자 미스매치
• 높은 열 전도도
• 저출력 소비
• 우수한 일시적인 특성
• 높은 띠 간격

실리콘 탄화물 SiC 수정같은 기질 웨이퍼 카보런덤

실리콘 탄화물 물자 재산

재산 4H SiC의 단결정 6H SiC의 단결정
격자 모수 a=3.076 Å c=10.053 Å a=3.073 Å c=15.117 Å
순서를 겹쳐 쌓이기 ABCB ABCACB
Mohs 경도 ≈9.2 ≈9.2
조밀도 3.21 g/cm3 3.21 g/cm3
Therm. 확장 계수 4-5×10-6/K 4-5×10-6/K
굴절 색인 @750nm

= 2.61

ne = 2.66

= 2.60

ne = 2.65

절연성 불변의 것 c~9.66 c~9.66
열 전도도 (N 유형, 0.02 ohm.cm)

a~4.2 W/cm·K@298K

c~3.7 W/cm·K@298K

열 전도도 (반 격리)

a~4.9 W/cm·K@298K

c~3.9 W/cm·K@298K

a~4.6 W/cm·K@298K

c~3.2 W/cm·K@298K

밴드 간격 3.23 eV 3.02 eV
고장 전기장 3-5×106V/cm 3-5×106V/cm
포화 표류 속도 2.0×105m/s 2.0×105m/s

2. 기준의 기질 크기

인치 직경 3개 4H 실리콘 탄화물 기질 명세
기질 재산 매우 급료 생산 급료 연구 급료 거짓 급료
직경 76.2 mm ±0.38 mm
지상 오리엔테이션 에 축선: {0001} ± 0.2°; 떨어져 축선: 4°toward <11-20> ± 0.5°
1 차적인 편평한 오리엔테이션 <11-20> ± 5.0 ̊
이차 편평한 오리엔테이션 1 차적인 ± 5.0 ̊, 위로 향한 실리콘에서 90.0 ̊ CW
1 차적인 편평한 길이 ± 22.0 mm 2.0 mm
이차 편평한 길이 ± 11.0 mm 1.5mm
웨이퍼 가장자리 둥근 홈
Micropipe 조밀도 ≤1 micropipes/cm2 ≤5 micropipes/cm2 ≤10 micropipes/cm2 ≤50 micropipes/cm2
고강도 빛에 의하여 Polytype 지역 아무도는 허용하지 않았습니다 ≤10% 지역
저항력 0.015 Ω·cm~0.028 Ω·cm (지역 75%) 0.015Ω·cm~0.028 Ω·cm
간격 350.0 μm ± 25.0 μm 또는 500.0 μm ± 25.0 μm
TTV ≤10 μm ≤15 μm
활 (절대값) ≤15 μm ≤25 μm
날실 ≤35 μm

3.sample

3 인치 실리콘 탄화물 웨이퍼, Sic 기질 우수한 일시적인 특성 0

FAQ:

Q: 선박 및 비용 및 급여 기간의 방법은 무엇입니까?

A: (1) 우리 DHL, 페더럴 익스프레스, EMS 등에 의하여 미리 accept100% T/T.

(2) 당신은 당신의 자신의 급행 계정이 있는 경우에, 중대합니다. 만약에 아닙니다, 우리는 당신이 그(것)들을 발송할 것을 도울 수 있었습니다.

운임은 실제적인 타협에 따라 입니다.

Q: 당신의 MOQ는 무엇입니까?

A: (1) 재고목록을 위한, MOQ는 2pcs입니다.

(2) 주문을 받아서 만들어진 제품을 위한, MOQ는 위로 25pcs입니다.

Q: 나는 나의 필요에 근거를 둔 제품을 주문을 받아서 만들어서 좋습니까?

A: 그렇습니다, 우리는 물자, 명세 및 모양의 당신의 필요에 근거를 둔 크기를 주문을 받아서 만들어서 좋습니다.

Q: 배달 시간은 무엇입니까?

A: (1) 표준 제품을 위해

재고목록을 위해: 납품은 5 평일 당신이 주문한 후에 입니다.

주문을 받아서 만들어진 제품을 위해: 납품은 3 주 당신이 주문한 후에 2 또는입니다.

(2) 특별하 모양 제품을 위한, 납품은 당신이 주문한 후에 4 주당 노동시간입니다.

연락처 세부 사항
SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD

담당자: Mr. Wang

전화 번호: +8615801942596

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