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[SiC wafer ]

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160

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높이 열과의 주문을 받아서 만들어진 크기 사각 Sic 칩 낮은 격자 미스매치

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프라임 2" 3" 4" 6" 4h-Semi 4H-N Insulating Sic 기판 Silicon Carbide sic 웨이퍼

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Bonding-Specific SiC Vacuum Chuck Wafer Adsorption Surface Flatness ≤1μm

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주문 제작된 두께 1.5 밀리미터 4 " 4H-N SiC 크리스털 절단된 그대로 공백 웨이퍼

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2Inch 탄화규소는 6H 또는 4H n형 또는 SiC 기판을 반 절연하는 것 웨이퍼로 만듭니다

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프리미엄 3C-SiC 기판: 5G 및 전력 전자 장치용 N형 생산 등급 웨이퍼

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4H-N 생산 등급은 등급 SiC 기판 웨이퍼 8 인치 Dia200mm을 더미를 만듭니다

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태양광 발전을 위한 4H-N 8 인치 반도체 기판 SIC 탄화 규소 웨이퍼

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2인치 시크 기판 6H-N 타입 두께 350um 650um 시크 웨이퍼

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2 SP (기술병) 4H 세미 4H-N SIC 탄화 규소 웨이퍼 10 Ｘ 10 Ｘ 0.5 밀리미터

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4H 6인치 SiC 에피타시얼 웨이퍼 100μm/200μm/300μm 초고전압 (UHV) MOS 장치

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