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[SiC wafer ]

일치

160

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4H-N 4 인치 6은 SBD MOS 장치에 쓸 SIC 웨이퍼 반도체 물질로 조금씩 움직입니다

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실험을 위한 8 인치 DSP 4H SIC 웨이퍼 실리콘 카바이드 기판 생산 등급 앤형

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HPSI 고순도 반열성 SiC 웨이퍼 2'3'4'6'8' 프라임/드미/연구 등급

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‌6H-N 타입 SiC 웨이퍼: 2인치 기판, 두께 350μm 또는 650μm‌

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4인치 6인치 4H-N 500mm 350um SIC 웨이퍼 실리콘 카바이드 sic 기판 프라임 더미 그레이드

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반 - 격리 실리콘 탄화물 기질, Sic 웨이퍼 4H 높은 순수성

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6인치 초고전압 SiC 에피택셜 웨이퍼 100–500 µm (MOSFET 장치용)

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4인치 6인치 8인치 SICOI 웨이퍼 4H-SiC 온 인슐레이터 100~150 mm sic 필름 ON 실리콘

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4H 6인치 SiC 에피타시얼 웨이퍼 100μm/200μm/300μm 초고전압 (UHV) MOS 장치

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2인치 4H-N 실리콘 탄화수소 SiC 기판 두께 350um 500um SiC 웨이퍼 프라임 등급

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4H-N 실리콘 탄화수소 SiC 기판 8 인치 두께 350um 500um Prime Grade Dummy Grade SiC 웨이퍼

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4H-N 5x5mm은 원문대로 DSP 세라믹 촉매제 기판을 웨이퍼로 만듭니다

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2 인치 4 인치 6 인치 8Inch 탄화 규소 웨이퍼 SIC 웨이퍼 가상 조사 중요한 등급

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3 인치 4 인치 2 인치 0.35 밀리미터 DSP는 4h-N 탄화규소 SIC 웨이퍼를 포장합니다

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