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Mr. Wang

eric_wang@zmsh-materials.com

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[gap wafer ]

일치

101

제품

다이아몬드 템플릿 위의 AlN은 다이아몬드 기판에 AlN 에피택셜 막을 웨이퍼로 만듭니다

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4H-N 5x5mm은 원문대로 DSP 세라믹 촉매제 기판을 웨이퍼로 만듭니다

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6H-N 4H-N SiC 기판 2는 0.33 밀리미터 0.43 밀리미터 탄화 규소 웨이퍼로 조금씩 움직입니다

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주문 제작된 두께 1.5 밀리미터 4 " 4H-N SiC 크리스털 절단된 그대로 공백 웨이퍼

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4H-N 생산 등급은 등급 SiC 기판 웨이퍼 8 인치 Dia200mm을 더미를 만듭니다

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열 관리 구역을 위한 MPCVD 방법 GaN 다이아몬드 열 방산 웨이퍼

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3 인치 4 인치 2 인치 0.35 밀리미터 DSP는 4h-N 탄화규소 SIC 웨이퍼를 포장합니다

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5x40mm 맞춤형 모양 sic 크리스탈 웨이퍼 4H-N Sic 기판 칩

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2 SP (기술병) 4H 세미 4H-N SIC 탄화 규소 웨이퍼 10 Ｘ 10 Ｘ 0.5 밀리미터

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‌6H-N 타입 SiC 웨이퍼: 2인치 기판, 두께 350μm 또는 650μm‌

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마이크로 전자공학을 위한 VGF 방법 Gaas 웨이퍼 Dia 150mm 반 - 격리 유형

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Si는 언도핑된 갈륨 비소 웨이퍼 갈륨 비소 기판 2 인치 앤형에게 도핑했습니다

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12인치 시크 웨이퍼 실리콘 탄화물 4H-N 타입 생산 등급

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높은 순수성 도핑되지 않은 실리콘 카바이드 sic 웨이퍼, 6Inch 4H-Semi Sic 실리콘 카바이드 기질

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반도체 웨이퍼 가공용 마이크로 플루이드 레이저 장비

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전원 RF 주도하는 적용을 위한 8INCH 12INCH 6INCH 간-온-시 에피-웨이퍼

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2인치 4인치 6인치 8인치 12인치 실리콘 탄화물 웨이퍼 SiC 4H-N 덤미 등급 Rrime 등급 고강성 반도체 재료

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SiC 크리스탈 4H 세미 4 " 광학 탄화 규소 웨이퍼

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프라임 2" 3" 4" 6" 4h-Semi 4H-N Insulating Sic 기판 Silicon Carbide sic 웨이퍼

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다이아몬드 위의 GaN과 에피 HEMT (고전자이동도 트랜지스터)과 결합에 의한 질화 갈륨 기판 위의 다이아몬드

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