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제품 세부 정보

Created with Pixso. Created with Pixso. 제품 Created with Pixso.
갈륨 비소 웨이퍼
Created with Pixso. Si는 언도핑된 갈륨 비소 웨이퍼 갈륨 비소 기판 2 인치 앤형에게 도핑했습니다

Si는 언도핑된 갈륨 비소 웨이퍼 갈륨 비소 기판 2 인치 앤형에게 도핑했습니다

브랜드 이름: zmsh
모델 번호: GaAs-2inch-n-type
MOQ: 10PCS
가격: by case
배달 시간: 1-4weeks
지불 조건: 웨스턴 유니온, 전신환
자세한 정보
원래 장소:
중국
인증:
ROHS
재료:
갈륨-비소 단결정체 기판
산업:
반도체 웨이퍼
애플리케이션:
반도체 기판, LED 칩, 광학 유리창, 장치 기판
방법:
VFG
사이즈:
2 인치
두께:
350 um
타입:
n형
배향:
15는' 떨어집니다
서피스:
SSP
포장 세부 사항:
100 등급 세척실에서 25 PC 카틀레
공급 능력:
400 PC / 달
강조하다:

언도핑 gaas 웨이퍼

,

Si 도핑된 갈륨 비소 기판

,

2 인치 갈륨 비소 기판

제품 설명

마이크로 전자공학, 2 인치 n형 규소 도핑된 도프하지 않은 가아아스 웨이퍼 갈륨 비소 기판을 위한 VFG 메토드 n형 3 inch,4inch, 6inch dia150mm GAA 비화 갈륨 웨이퍼 반 절연 타입

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GaAs) 비화 갈륨 웨이퍼

갈륨 비소 (GaAs)는 요소 갈륨과 비소의 합성물입니다. 그것은 섬아연광 결정 구조와 III-V 직접적인 밴드 갭 반도체입니다.

갈륨 비소는 마이크로파 진동수 집적 회로, 집적화 기술, 적외선 발광 소자 LED, 레이저 다이오드, 태양 전지와 광학적창문과 같은 장치의 제조에서 사용됩니다.[2]

비소화 갈륨은 종종 인듐 갈륨 비화물, 비화 알루미늄 갈륨과 다른 사람을 포함하는 다른 III-V 반도체의 열벽 증착기에 쓸 기판 물질로서 사용됩니다.

갈륨 비소 웨이퍼 특징과 앱

특징 어플리케이션 필드
전자의 고이동성 발광 다이오드
고주파 레이저 다이오드
고변환 효율 기전력 디바이스
저 전력 소모 고전자이동도 트랜지스터
직접형 대역간극 이종 접합 트랜지스터

상술

언도핑 gaas

비소화 갈륨 상술을 반 절연하기

성장법 VGF
불순물 탄소
웨이퍼 Shape* (DIA를 둥글게 하세요 : 2, 3, 4, 및 6 )
서피스 Orientation** (100)±0.5'

요청하는 대로 이용 가능한 *5 " 웨이퍼

요청하는 대로 아마 이용 가능한 **Other 배향

저항률 (Ω.cm) ≥1 × 107 ≥1 × 108
이동성 (cm2/V.S) ≥ 5,000 ≥ 4,000
부식 피치 비중 (cm2) 1,500-5,000 1,500-5,000

웨이퍼 직경 (밀리미터) 50.8±0.3 76.2±0.3 100±0.3 150±0.3
두께 (um) 350±25 625±25 625±25 675±25
TTV [P/P] (um) ≤ 4 ≤ 4 ≤ 4 ≤ 4
TTV [P/E] (um) ≤ 10 ≤ 10 ≤ 10 ≤ 10
날실 (um) ≤10 ≤10 ≤10 ≤5
OF (밀리미터) 17±1 22±1 32.5±1 눈금
OF / 조건 (밀리미터) 7±1 12±1 18±1 이용 불가능
Polish* E/E, 주가 수익률, P/P E/E, 주가 수익률, P/P E/E, 주가 수익률, P/P E/E, 주가 수익률, P/P

*E=Etched, P=Polished

Si는 언도핑된 갈륨 비소 웨이퍼 갈륨 비소 기판 2 인치 앤형에게 도핑했습니다 0Si는 언도핑된 갈륨 비소 웨이퍼 갈륨 비소 기판 2 인치 앤형에게 도핑했습니다 1

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목록을 위해 : 배달은 주문 뒤에 5 평일입니다.
맞춤 제작품을 위해 : 배달은 주문 뒤에 2 또는 3 주 노동 시간입니다.
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