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| 원래 장소 | 중국 |
| 브랜드 이름 | zmsh |
| 인증 | no |
| 모델 번호 | GaAs 3inch |
VFG metod N 유형 3inch, 4inch의 마이크로 전자공학을 위한 유형을 반 격리하는 6inch dia150mm GaAs 비화 갈륨 웨이퍼,
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GaAs) 비화 갈륨 웨이퍼
비화 갈륨 (GaAs)는 성분 갈륨과 비소의 화합물입니다. 아연 섬아연광 결정 구조를 가진 III-V 직접적인 bandgap 반도체입니다.
비화 갈륨은 마이크로파 주파수 직접 회로 모놀리식 마이크로파 직접 회로, 적외선 발광 다이오드, 레이저 다이오드, 태양 전지 및 광학적인 창과 같은 장치의 제조에서 이용됩니다. [2]
GaAs는 인듐 비화 갈륨, 알루미늄 비화 갈륨 및 다른 사람을 포함하여 다른 III-V 반도체의 켜쌓기 자람을 위한 기질 물자로 자주 사용합니다.
GaAs 웨이퍼 특징과 신청
| 특징 | 신청 분야 |
|---|---|
| 높은 전자 기동성 | 발광 다이오드 |
| 고주파 | 레이저 다이오드 |
| 높은 변환 효율성 | 광전지 장치 |
| 저출력 소비 | 높은 전자 기동성 트랜지스터 |
| 직접적인 띠 간격 | 이질 접합 양극 트랜지스터 |
명세
Undoped GaAs
반 격리 GaAs 명세
| 성장 방법 | VGF |
| 반도체에 첨가하는 소량의 불순물 | 탄소 |
| 웨이퍼 Shape* | 둥근 (DIA: 2", 3", 4", 및 6") |
| 지상 오리엔테이션 ** | (100) ±0.5° |
*5” 유효한 웨이퍼 요청시
** 유효한 요청시 어쩌면 다른 오리엔테이션
| 저항력 (Ω.cm) | ≥1 × 107 | ≥1 × 108 |
| 기동성 (/V.S cm2) | ≥ 5,000 | ≥ 4,000 |
| 식각 피치 조밀도 (cm2) | 1,500-5,000 | 1,500-5,000 |
| 웨이퍼 직경 (mm) | 50.8±0.3 | 76.2±0.3 | 100±0.3 | 150±0.3 |
| 간격 (µm) | 350±25 | 625±25 | 625±25 | 675±25 |
| TTV [P/P] (µm) | ≤ 4 | ≤ 4 | ≤ 4 | ≤ 4 |
| [P/E] TTV (µm) | ≤ 10 | ≤ 10 | ≤ 10 | ≤ 10 |
| 날실 (µm) | ≤10 | ≤10 | ≤10 | ≤5 |
| 의 (mm) | 17±1 | 22±1 | 32.5±1 | 노치 |
| 의 만약에/(mm) | 7±1 | 12±1 | 18±1 | N/A |
| Polish* | P/E E/E, P/P | P/E E/E, P/P | P/E E/E, P/P | P/E E/E, P/P |
*E=Etched, P=Polished
FAQ –
Q: 당신은 무엇 근수와 비용을 공급할 수 있습니까?
(1) 우리는 DHL, 페더럴 익스프레스, TNT, UPS, EMS, SF 및 등을 받아들입니다.
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Q: 배달 시간은 무엇입니까?
(1) 공 렌즈 파월 렌즈 및 겨냥틀 렌즈와 같은 표준 제품을 위해:
재고목록을 위해: 납품은 순서 후에 5 평일입니다.
주문을 받아서 만들어진 제품을 위해: 납품은 순서 후에 2 3 주당 노동시간입니다.
(2) 떨어져 표준 제품을 위한, 납품은 당신이 주문한 후에 2 6 주당 노동시간입니다.
Q: 지불하는 방법?
에 및 등등… T/T, Paypal, 서쪽 조합, MoneyGram, 안전한 지불과 무역 보험 Alibaba.
Q: MOQ는 무엇입니까?
(1) 재고목록을 위한, MOQ는 5pcs입니다.
(2) 주문을 받아서 만들어진 제품을 위한, MOQ는 5pcs-20pcs입니다.
그것은 양과 기술에 달려 있습니다
Q: 당신은 물자를 위한 검열보고가 있습니까?
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포장 – Logistcs
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