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[silicon substrate ]

일치

359

제품

6인치 초고전압 SiC 에피택셜 웨이퍼 100–500 µm (MOSFET 장치용)

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Industrial-Grade 6H SiC Substrates for High-Temperature, UV, and Precision Electronics

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2 인치 A - Epi를 위한 축선 사파이어 웨이퍼 방사선 저항 - 준비되어 있는 시험

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4-inch C-Plane SSP Sapphire Substrate Al₂O₃ for LED & Optical Applications

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마이크로젯 레이저 기술 장비 웨이퍼 슬라이스 금속 실리콘 카바이드 재료

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Bonding-Specific SiC Vacuum Chuck Wafer Adsorption Surface Flatness ≤1μm

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InP FP 에피와퍼 InP 기판 n/p 타입 2 3 4 인치, 두께 350-650um 광망 작업용

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사파이어 키 결정화 오븐 kyropoulos 폼 성장 과정 사파이어 크리스탈 200kg 400kg

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에너지 - 효율적 조명을 위한 고전력 효율 질화 갈륨 기판 갈륨 질화물 웨이퍼

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Undoped 반 - 격리 갈륨 질화물 웨이퍼 HVPE 및 템플렛 유형

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높은 수준의 승인 개구 사파이어 웨이퍼 50.8 - >90% 제거와 300 밀리미터

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4H 6인치 SiC 에피타시얼 웨이퍼 100μm/200μm/300μm 초고전압 (UHV) MOS 장치

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SiC Cantilever Paddle with CVD Coating for Horizontal Boat Loading

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SiC Horizontal Furnace Process Tube High Thermal Conductivity

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SiC Square Beams Industrial Kiln Load-Bearing Component

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SiC Components SiC Ceramics Structural Parts

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실리콘 카비드 웨이퍼 6인치 시크 싱글 크리스탈 150mm 지름 3C-N 타입 통신 레이더 시스템

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55mm/1010mm 실리콘 탄화물 웨이퍼 두께 350μm Sic 3C-N 타입 고기계 강도 생산 등급

최상의 가격을 얻으세요

3인치 광학 등급 석영 웨이퍼 투과율 >92% 반도체 유리 기판

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8인치 SiC 에피타시얼 서브스트라트 MOS 등급 프라임 등급 4H-N 타입 큰 지름

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6인치-12인치 SiC 기판 레이저 분리 시스템 머신 웨이퍼 맞춤형

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알2O3 99.999% 단일 결정 4 인치 SSP/DSP Dia100mm A 평면 사피르 웨이퍼 기판

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RF 애플리케이션을 위한 HVPE GaN 기판 또는 gan 템플릿 epi 웨이퍼

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2인치 단 결정 사파이어 웨이퍼 양면 닦은 Al2O3 99.999% 단일 결정 기판

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화면

실리콘/사피어 인고트/쿼츠 반도체 재료를 절단하기 위한 멀티 와이어 톱 기계

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실리콘 카비드 시드 웨이퍼 타입 4H Dia 157±0.5mm 두께 500±50um 단 결정 면적 >153mm

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합성 보석 로얄 블루 모이산라이트 실리콘 카비드 SiC 원자재 고강도 맞춤화

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3 Dia 인치 76.2mm IC 실리콘 박편, 단 하나 측에 의하여 닦는 실리콘 박편

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​​3인치 광학 등급 석영 웨이퍼 투과율 >92% 반도체 유리 기판​​

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6인치-12인치 SiC 기판 레이저 분리 시스템 머신 웨이퍼 맞춤형

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