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eric_wang@zmsh-materials.com

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[silicon substrate ]

일치

381

제품

고순도 실리콘 카비드 (SiC) 분말 99.9999% (6N) HPSI 유형 100μm 입자 크기 SIC 결정 성장

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6인치 N형 6H 실리콘 카비드 에피타시 웨이퍼 MEMS 및 UV 센서용 350um 두께

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10x10x0.5mm HPSI 1 SP (기술병) 2 SP (기술병) 4H 세미 SIC 탄화규소 와페르서브스트레이트

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2 SP (기술병) 4H 세미 4H-N SIC 탄화 규소 웨이퍼 10 Ｘ 10 Ｘ 0.5 밀리미터

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더미 급료 6Inch Sic 기질 웨이퍼 Dia150mm 4H-N 500mm 간격

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‌6H-N 타입 SiC 웨이퍼: 2인치 기판, 두께 350μm 또는 650μm‌

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2인치 4H-P SIC 실리콘 탄화물 웨이퍼 광발광용 두께 350μm 지름 50.8mm 제로 등급

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12 인치 사파이어는 BF33 석영 웨이퍼 기판 DSP를 웨이퍼로 만듭니다

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급료 Monocrystalline 실리콘 박편, 높은 저항력 실리콘 박편을 시험하십시오

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고온, UV 및 정밀 전자 장치를 위한 산업용 6H SiC 기판

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닦은 두 배 옆 사파이어 웨이퍼 Al2O3 단결정 기질 착용 저항

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실리콘 카비드 웨이퍼 6인치 시크 싱글 크리스탈 150mm 지름 3C-N 타입 통신 레이더 시스템

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55mm/1010mm 실리콘 탄화물 웨이퍼 두께 350μm Sic 3C-N 타입 고기계 강도 생산 등급

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8인치 SiC 에피타시얼 서브스트라트 MOS 등급 프라임 등급 4H-N 타입 큰 지름

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3인치 광학 등급 석영 웨이퍼 투과율 >92% 반도체 유리 기판

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4인치 C-Plane SSP 사파이어 기판 Al₂O₃ (LED 및 광학 응용 분야)

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8 9 10 11 12 13 14 15

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AR 안경 및 5G RF 장치용 6인치 4H-SEMI SiC 기판

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첨단 전자기기용 실리콘 탄산 직사각형 기판 SiC 칩

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주문 제작된 4H-N 타입 반 절연성 탄화규소 기판 4는 6 인치 탄화 규소 웨이퍼로 조금씩 움직입니다

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2 인치 Dia 50.8 밀리미터 4H-세미 SiC 기판 조사 등급 단일 결정

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4H-N 타입 반 절연 SiC 기판 2는 3 인치 4 인치 탄화 규소 웨이퍼로 조금씩 움직입니다

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반 - 격리 실리콘 탄화물 기질, Sic 웨이퍼 4H 높은 순수성

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고주파용 장치를 위한 8 인치 6 인치 4H-N 타입 SiC 기판 웨이퍼 생산 등급

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330 um 두께 4H-N 타입 SiC 기판 생산 등급 Dia50.8mm 2 인치

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시크 실리콘 탄화물 웨이퍼 55mm/1010mm 4H-P 타입 생산 등급

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SBD MOS 적용을 위한 6 인치 Dia 150 밀리미터 350 um 두께 4H 앤형 SiC 기판

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실리콘 탄화물 웨이퍼 Sic 6H-P 타입 오프 축 2.0° 생산 차원 연구 차원

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프리미엄 3C-SiC 기판: 5G 및 전력 전자 장치용 N형 생산 등급 웨이퍼

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