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eric_wang@zmsh-materials.com

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[CVD SIC ]

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2 인치 Dia 50.8 밀리미터 4H-세미 SiC 기판 조사 등급 단일 결정

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SBD MOS 적용을 위한 6 인치 Dia 150 밀리미터 350 um 두께 4H 앤형 SiC 기판

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4H-N 타입 반 절연 SiC 기판 2는 3 인치 4 인치 탄화 규소 웨이퍼로 조금씩 움직입니다

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2인치 SIC 실리콘 탄화물 웨이퍼 4H-N형 MOS 장치 디아 0.4mm

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2Inch 탄화규소는 6H 또는 4H n형 또는 SiC 기판을 반 절연하는 것 웨이퍼로 만듭니다

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2 인치 4 인치 6 인치 8Inch 탄화 규소 웨이퍼 SIC 웨이퍼 가상 조사 중요한 등급

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4H-N 4 인치 6은 SBD MOS 장치에 쓸 SIC 웨이퍼 반도체 물질로 조금씩 움직입니다

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반도체 장비용 맞춤형 탄화규소(SiC) 계단형 세라믹 플레이트

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고 정밀 SIC 실리콘 탄화물 세라믹 Chuck 세라믹 요소 진공 흡수자 사용자 정의

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당신의 탐구 [ CVD SIC ] 일치 67 제품

고순도 실리콘 카비드 (SiC) 분말 99.9999% (6N) HPSI 유형 100μm 입자 크기 SIC 결정 성장

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Bonding-Specific SiC Vacuum Chuck Wafer Adsorption Surface Flatness ≤1μm

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SiC Components SiC Ceramics Structural Parts

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시크 3C-N 타입 크기 레이더 시스템에 대한 가공 유도형 MPD 생산 등급 0

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웨이퍼 처리용 맞춤형 SiC 세라믹 엔드 에펙터

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반도체 프로세스 안정화 및 장비 컨디셔닝을 위한 SiC 덤비 웨이퍼

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330 um 두께 4H-N 타입 SiC 기판 생산 등급 Dia50.8mm 2 인치

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