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[silicon carbide substrate ]

일치

224

제품

4H-N 실리콘 탄화물 SiC 기판 2인치 3인치 4인치 6인치 8인치 12인치 프라임 등급

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10x10mm 5x5mm SiC 기판 저항률 0.015-0.028ohm.Cm 또는 >1E7ohm.Cm은 원문대로 자릅니다

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실리콘 탄화화물 웨이퍼 시크 기판 4H-P 타입 오프 축 4.0° 제로 쪽 등급 온도 센서

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주문 제작된 크기 5x5mm 0.5x0.5mm 4H-N SIC 칩 접시

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3 인치 실리콘 탄화물 웨이퍼, Sic 기질 우수한 일시적인 특성

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반도체 아니오 도핑된 SiC 기판 고열 전도성

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주문 크기 세라믹 기질/실리콘 탄화물 세라믹 우수한 부식

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4H Silicon Carbide Substrate for Power Electronics, RF Devices & UV Optoelectronics

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세라믹 방위 반지 98% 순수성을 닦는 주문을 받아서 만들어진 크기 실리콘 탄화물

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2 인치 6H - 발견자를 위한 반 실리콘 탄화물 웨이퍼 저출력 소비

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6" 고순도 실리콘 탄화물 4H-Semi SIC 가짜급 반도체 웨이퍼 LED 5G AR 안경 광학급

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4H-N 타입 / 반절연 탄화규소 SiC 기판

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열 전도도 세라믹 기질 알루미늄 질화물 AlN 높은 세라믹 기질

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6 인치 1.0mm 세라믹 기질, 반도체 가공을 위한 반토 세라믹 판

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Al2O3 기계적 밀봉을 위한 세라믹 기질 웨이퍼 우수한 전기 재산

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주문 제작된 두께 1.5 밀리미터 4 " 4H-N SiC 크리스털 절단된 그대로 공백 웨이퍼

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2 3 4 5 6 7 8 9

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당신의 탐구 [ silicon carbide substrate ] 일치 224 제품

쿠스토미즈드 간-온-간 SiC 실리콘 사파이어 기판 에피택셜 웨이퍼 4 인치 Dia 100 밀리미터

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6H-N 4H-N SiC 기판 2는 0.33 밀리미터 0.43 밀리미터 탄화 규소 웨이퍼로 조금씩 움직입니다

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고순도 실리콘 카비드 (SiC) 분말 99.9999% (6N) HPSI 유형 100μm 입자 크기 SIC 결정 성장

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4인치 시크 실리콘 탄화물 웨이퍼 6H-P 타입 두께 350μm 제로/프라임 등급 덤미 등급

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8인치 SiC 웨이퍼 실리콘 탄화물 웨이퍼 프라임 덤미 리서치 등급 500um 350 Um

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2인치 4H-P SIC 실리콘 탄화물 웨이퍼 광발광용 두께 350μm 지름 50.8mm 제로 등급

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2 SP (기술병) 4H 세미 4H-N SIC 탄화 규소 웨이퍼 10 Ｘ 10 Ｘ 0.5 밀리미터

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실리콘 카비드 웨이퍼 6인치 시크 싱글 크리스탈 150mm 지름 3C-N 타입 통신 레이더 시스템

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55mm/1010mm 실리콘 탄화물 웨이퍼 두께 350μm Sic 3C-N 타입 고기계 강도 생산 등급

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실리콘 카비드 시드 웨이퍼 타입 4H Dia 157±0.5mm 두께 500±50um 단 결정 면적 >153mm

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합성 보석 로얄 블루 모이산라이트 실리콘 카비드 SiC 원자재 고강도 맞춤화

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12인치 지름 300mm SIC 기판 에피타시얼 닦은 웨이퍼 실리콘 탄화물 잉그트 프라임 등급 4H-N 타입 전도성 태양광

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