브랜드 이름: | zmsh |
모델 번호: | HPSI |
MOQ: | 1PCS |
가격: | by case |
배달 시간: | 안에서 15days |
강도9.4 무색 투명 고순도 4H-SEMI 실리콘 카비드 SiC 고도로 닦은 웨이퍼송전성 광학 응용
재산 | 4H-SiC, 단일 결정 | 6H-SiC, 단일 결정 |
레이시 매개 변수 | a=3.076 Å c=10.053 Å | a=3.073 Å c=15.117 Å |
겹치기 순서 | ABCB | ABCACB |
모스 강도 | ≈92 | ≈92 |
밀도 | 3.21g/cm3 | 3.21g/cm3 |
열 확장 계수 | 4-5×10-6/K | 4-5×10-6/K |
반열 지수 @750nm |
no = 2 입니다.61 ne = 266 |
no = 2 입니다.60 ne = 265 |
다이 일렉트릭 상수 | c~9.66 | c~9.66 |
열전도성 (N형, 0.02오hm.cm) |
a~4.2 W/cm·K@298K c~3.7 W/cm·K@298K |
|
열전도성 (반 단열) |
a~4.9 W/cm·K@298K c~3.9 W/cm·K@298K |
a~4.6 W/cm·K@298K c~3.2 W/cm·K@298K |
밴드 간격 | 3.23 eV | 30.02 eV |
전기장 붕괴 | 3~5×106V/cm | 3~5×106V/cm |
포화 유동 속도 | 2.0×105m/s | 2.0×105m/s |
가아와 시와 비교하여 SiC의 물리적 및 전자적 특성
넓은 에너지 대역 (eV)
4H-SiC: 3.26 6H-SiC: 3.03 GaAs: 1.43 Si: 1.12
SiC로 만들어진 전자 장치는 매우 높은 온도에서 작동할 수 있습니다.이 특성은 SiC가 짧은 파장의 빛을 방출하고 감지할 수 있게 해 파란색 빛을 방출하는 다이오드와 거의 태양blind UV 광 탐지기를 제조하는 것을 가능하게 합니다..
고분열 전기장 [V/cm (1000V 동작) ]
4H-SiC: 2.2 x 106* 6H-SiC: 2.4 x 106* GaAs: 3 x 105 Si: 2.5 x 105
SiC는 돌풍 붕괴를 겪지 않고 Si 또는 GaAs보다 8배 이상의 전압 경사 (또는 전기장) 에 견딜 수 있습니다.이 고분열 전기장은 매우 높은 전압의, 다이오드, 파워 트랜지스터, 파워 티리스터 및 서지 서프레셔, 그리고 높은 파워 마이크로 웨브 장치와 같은 고 전력 장치.장치가 매우 가까이에 배치 할 수 있습니다., 통합 회로에 대한 높은 장치 포장 밀도를 제공합니다.
높은 열전도 (W/cm · K @ RT)
4H-SiC: 3.0-3.8 6H-SiC: 3.0-3.8 GaAs: 0.5 Si: 1.5
SiC는 뛰어난 열전도체이다. 다른 반도체 물질보다 SiC를 통해 열이 더 쉽게 흐른다. 사실, 실내 온도에서 SiC는 다른 금속보다 더 높은 열전도성을 가지고 있다.이 특성 은 SiC 장치 가 매우 높은 전력 수준 에서 작동 할 수 있도록 하고 여전히 생성 된 과잉 열의 대량 을 분산.
높은 포화 전자 이동 속도 [cm/sec (@ E ≥ 2 x 105 V/cm]
4H-SiC: 2.0 x 107 6H-SiC: 2.0 x 107 GaAs: 1.0 x 107 Si: 1.0 x 107
SiC 장치는 SiC의 높은 포화 전자 이동 속도 때문에 높은 주파수 (RF 및 마이크로 웨이브) 에서 작동 할 수 있습니다.
신청서
*III-V 나이트라이드 퇴적 * 광전자 장치
*고전력 장치 *고온 장치
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3 |
4 |
6 |
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다형 |
4H/6H |
4H |
4H |
4H |
직경 |
500.80mm±0.38mm |
76.2mm±0.38mm |
1000.0mm±0.5mm |
1500.0mm±0.2mm |
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FAQ:
Q: 배송 방법과 비용은?
A: ((1) 우리는 DHL, FEDEX, EMS를 FOB로 받아 들인다.
질문: 어떻게 지불하나요?
A: T/T, 사전에
Q: MOQ는 얼마인가요?
A: (1) 재고를 위해, MOQ는 30g입니다.
(2) 맞춤형 원자력 제품에 대한 MOQ는 50g입니다.
Q: 배송시간은 얼마인가요?
A: (1) 표준 제품
재고: 배달은 주문 후 5 일입니다.
맞춤형 제품: 배송은 주문 후 2 ~ 4 주입니다.