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[silicon carbide substrate ]

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6H-P 실리콘 탄화물 SiC 기판 6인치 SIC 웨이퍼 4H-P 광전자 장치

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4H-P 실리콘 탄화물 SiC 기판 4 인치 SIC 웨이퍼 6H-P III-V 나이트라이드 퇴적

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4인치 3C N형 SiC 기판 실리콘 탄화물 기판 두꺼운 350um 프리미어 등급

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2인치 4인치 6인치 8인치 12인치 실리콘 탄화물 웨이퍼 SiC 4H-N 덤미 등급 Rrime 등급 고강성 반도체 재료

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실리콘 탄화탄소 웨이퍼 4H P 타입 제로 MPD 생산 등급 덤미 등급 4인치 6인치

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프라임 2" 3" 4" 6" 4h-Semi 4H-N Insulating Sic 기판 Silicon Carbide sic 웨이퍼

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실리콘 카비드 웨이퍼 6H P형 표준 생산 등급 Dia:1450.5mm~150.0mm 두께 350μm ± 25μm

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SiC 크리스탈 4H 세미 4 " 광학 탄화 규소 웨이퍼

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실리콘 탄화탄소 웨이퍼 6H P 타입 & 4H P 타입 제로 MPD 생산 덤미 등급 디아 4인치 6인치

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Silicon Carbide Ceramic Tray for Semiconductor Wafer Processing

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실리콘 카바이드 웨이퍼 4H-P형 0°축

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시크 실리콘 탄화물 웨이퍼 55mm/1010mm 4H-P 타입 생산 등급

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2Inch 탄화규소는 6H 또는 4H n형 또는 SiC 기판을 반 절연하는 것 웨이퍼로 만듭니다

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고주파용 장치를 위한 8 인치 6 인치 4H-N 타입 SiC 기판 웨이퍼 생산 등급

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실리콘 탄화물 웨이퍼 2인치 4인치 6인치 8인치 산업용

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8인치 SiC 실리콘 탄화물 웨이퍼 4H-N 타입 P/D/R 등급 모스.9 다중 애플리케이션 사용자 정의

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시크 실리콘 탄화물 반도체 장치 다중 결정 형태 4H 6H 3C 사용자 지정 크기 5G 통신 칩

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12인치 300mm SiC 실리콘 탄화물 웨이퍼 4H-N 타입 덤미 프라임 연구 등급 다중 응용

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실리콘 카비드 웨이퍼 8인치 200mm 폴리싱 기판 반도체

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3 인치 4 인치 2 인치 0.35 밀리미터 DSP는 4h-N 탄화규소 SIC 웨이퍼를 포장합니다

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