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2/4/6/8 인치 시크리콘 탄화물 결정 씨앗 기판 4H-N 타입 고강도 P 등급 R 등급 D 등급

제품 상세정보

원래 장소: 중국

브랜드 이름: ZMSH

인증: rohs

모델 번호: 크리스탈 시드 SiC

지불 및 배송 조건

최소 주문 수량: 10%

가격: by case

포장 세부 사항: 맞춤형 플라스틱 상자

배달 시간: 30 일 만에

지불 조건: T/T

공급 능력: 1000개 pc / 달

최상의 가격을 얻으세요
강조하다:

8인치 시크리콘 탄화탄자 결정 씨앗 기판

,

8 Inch SiC Substrate

폴리타입:
4h
직경:
205±0.5mm
두께:
600±50μm
표면 방향 오류:
<11-20>±0.5° 방향으로 4°
저항률:
NA
플랫:
아무 것도
포장:
멀티 웨이퍼 카세트
폴리타입:
4h
직경:
205±0.5mm
두께:
600±50μm
표면 방향 오류:
<11-20>±0.5° 방향으로 4°
저항률:
NA
플랫:
아무 것도
포장:
멀티 웨이퍼 카세트
2/4/6/8 인치 시크리콘 탄화물 결정 씨앗 기판 4H-N 타입 고강도 P 등급 R 등급 D 등급

제품 설명:

 

2/4/6/8 인치 시크 실리콘 탄화물 결정 씨앗 기판 4H-N 타입 고강도 P 등급 R 등급 D 등급

 

실리콘카바이드 (SiC, Silicon Carbide) 는 실리콘과 탄소를 결합하여 형성된 화합물이다. 실리콘카바이드 시드 크리스탈은 중요한 형태이며,반도체 재료에 널리 사용됩니다., 세라믹, 가열제 및 다른 분야. 실리콘 탄화물은 고장만 다이아몬드에 두 번째로 두 번째로, 그것은 훌륭한 가열 및 절단 도구로 만듭니다.좋은 열전도성으로 LED 및 전력 전자 장치와 같은 고온 애플리케이션에 적합합니다.. 화학물질, 특히 산과 알칼리에 대한 좋은 저항. 화학물질, 특히 산과 알칼리에 대한 좋은 저항. 화학물질, 특히 산과 알칼리에 대한 좋은 저항.그 우수한 특성 때문에, 실리콘 탄화물 씨앗 결정은 현대 산업과 기술에서 필수 재료가되었습니다.

 

 

2/4/6/8 인치 시크리콘 탄화물 결정 씨앗 기판 4H-N 타입 고강도 P 등급 R 등급 D 등급 02/4/6/8 인치 시크리콘 탄화물 결정 씨앗 기판 4H-N 타입 고강도 P 등급 R 등급 D 등급 1

 


 

특징:

 

  • 고강도:실리콘 탄화물은 다이아몬드 다음으로 두 번째로 단단하므로 훌륭한 가름과 절단 도구입니다.
  • 높은 열전도성:좋은 열전도성으로 LED 및 전력 전자제품과 같은 고온 애플리케이션에 적합합니다.
  • 부식 저항성:화학물질, 특히 산과 알칼리에 대한 좋은 저항성. 
  • 고온 안정성:고온 환경에서 여전히 좋은 물리적 및 화학적 특성을 유지할 수 있습니다.
  • 낮은 열 확장 계수:온도가 변하면 변형에 덜 민감하게 작용하여 정밀 애플리케이션에 적합합니다.

 

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기술 매개 변수

 

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응용 프로그램:

 
1전자: MOSFET 및 다이오드와 같은 고전력 및 고주파 반도체 장치의 제조에 널리 사용됩니다.

2가려물 및 절단 도구: 모래 종이나 깎는 돌, 절단 도구를 만드는 데 사용됩니다.

3세라믹 재료: 마모 저항성, 고온 저항성 세라믹 부품을 생산하는 데 사용됩니다.

4광전자 장치: LED 및 레이저와 같은 광전자 응용 프로그램에서 우수한 성능.

5열 관리 재료: 전자 장치의 열 분산 성능을 향상시키기 위해 히트 싱크 및 열 인터페이스 재료에 사용됩니다.
 

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사용자 정의:

우리의 SiC 크리스탈 씨앗 기판은 RoHS 인증을 받았습니다. 최소 주문 양은 10pc이며 가격은 경우에 따라입니다. 포장 세부 사항은 사용자 정의 플라스틱 상자입니다.배달 시간은 30 일 이내에이며 우리는 T / T 지불 조건을 받아들이고우리 공급 능력은 1000pc/month입니다. SiC 기판 크기는 2/4/6/8 인치입니다. 원산지는 중국입니다.


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FAQ:

 

1.Q: 실리콘 카바이드 씨 크리스탈 4H 타입을 어떻게 준비합니까?

A: 4H형 실리콘 카비드 씨앗 결정의 제조는 일반적으로 적절한 원료의 선택, 정제, 성장 조건의 통제,등등일반적인 준비 방법에는 물리적 증기 전송 방법 (PVT) 이 포함됩니다. 준비 과정에서 순수성을 보장해야합니다.씨앗 결정의 결정 질과 결정 지향이 특정 요구 사항을 충족합니다..

 

 

2질문: 실리콘 카바이드 씨앗 유형 4H와 6H의 차이점은 무엇입니까?

A: SIC 씨앗 결정의 4H와 6H 유형 사이에는 결정 구조의 차이가 있으며 이는 물리적 및 화학적 특성에 차이가 있습니다.타입 4H SIC 씨앗 결정은 일반적으로 더 높은 전자 이동성과 더 넓은 대역 폭을 가지고 있습니다.6H형 SIC 씨드는 광장과 같은 특정 응용 분야에서 독특한 장점을 보여줄 수 있습니다.

 

 

태그: #Sic Crystal Seed Substrate, #H-N 타입, #실리콘 카바이드 웨이퍼.