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[silicon substrate ]

일치

359

제품

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8 인치 0.725 Dia100mm Ｃ 비행기 단결정 사파이어 웨이퍼 1300 밀리미터 1500 밀리미터 두께

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반도체 캐리어를 위한 8 인치 Dia100mm 0001 사파이어 웨이퍼 1 SP (기술병) 또는 2 SP (기술병)

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다중 크기 사파이어 잉그트 AL203 열 저항성 부패 저항성 고 강도 사용자 정의 지원

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시크 다이아몬드 와이어 절단 기계 정밀 안내 시크 결정 막대 절단

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VIS-NIR 카메라 CCD 컨투어-IR 컨투어-M 디지털 카메라 400-1700nm 다스펙트럼 카메라

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4H-N 4 인치 6은 SBD MOS 장치에 쓸 SIC 웨이퍼 반도체 물질로 조금씩 움직입니다

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CVD SiC 에피타시 웨이퍼 2인치 3인치 4인치 6인치 에피타시 두께 2.5-120um 전자 전력

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HPSI High Purity Semi-insulating SiC Wafers 2"3"4"6" 8" Prime/Dummy/Research Grade

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시크 결정 성장 오븐 PVT LPE HT-CVD 고품질 시크 단일 결정 성장 방법

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다이아몬드 위의 GaN과 에피 HEMT (고전자이동도 트랜지스터)과 결합에 의한 질화 갈륨 기판 위의 다이아몬드

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GaAs 레이저 에피타시얼 웨이퍼 갈륨 아르세나이드 웨이퍼 VCSEL/PD 엑스피타시얼 웨이퍼 지능형 감지

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3인치 / 4인치 / 6인치 / 8인치 리?? 니오배트 얇은 필름 LNOI 웨이퍼 광적 손실 <0.05 DB/cm

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TGV (Through-Glass Via) 기술 고품질의 보로실리케이트 유리 쿼츠

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다이아몬드 와이어 / 멀티 와이어 / 고속 / 고 정밀 / 하락 / 오실레이션 절단 기계

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Al2O3 사파이어 웨이퍼 단 결정적 지름 2인치 3인치 사용자 정의

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8인치 SiC 에피택셜 웨이퍼 직경 200mm 두께 500μm 4H-N 타입

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13 14 15 16 17 18 19 20

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6Inch VGF 성장법 p 형 갈륨 비소 웨이퍼 GaAs 기판

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견고성 9.2와 언도핑된 투명한 탄화규소 SiC 크리스털 광학렌즈

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4 인치 SSP 사파이어 웨이퍼 석영 유리 두께 0.1 밀리미터 0.15 밀리미터 0.2 밀리미터

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2" 3" FZ SiO2 싱글 크리스탈 IC 칩 100um 200um 건조 습기 산화층 100nm 300nm

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LED 웨이퍼 에피타크시 및 ICP 에칭 프로세스용 SiC 세라믹 트레이

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HPSI 4H-세미 투명 무색 주문 제작된 SIC 렌즈

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SiC 세라믹 베어링 볼 G5 등급 고경도

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12인치 시크 웨이퍼 실리콘 탄화물 4H-N 타입 생산 등급

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시크 3C-N 타입 크기 레이더 시스템에 대한 가공 유도형 MPD 생산 등급 0

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Silicon Carbide Rectangle Substrate SiC Chip for Advanced Electronics

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반도체 아니오 도핑된 SiC 기판 고열 전도성

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SiC 인고트 6인치 인고트 4H-N SiC 프라임 등급 덤미 등급 실리콘 탄화물 인고트 고강성 인고트

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12인치 시크 웨이퍼 실리콘 탄화물 4H-N 타입 생산 등급

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