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[sic substrate ]

일치

263

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Bonding-Specific SiC Vacuum Chuck Wafer Adsorption Surface Flatness ≤1μm

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SSIC SiC 기계적 실링 벨소리 알루미나 세라믹 기판

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SiC 잉글트 성장 오븐은 PVT, Lely TSSG 및 LPE 방법을 사용하여 4 인치, 6 인치 및 8 인치의 큰 크기의 결정을 재배합니다.

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자립형 HVPE 갈륨 질화물 웨이퍼 GaN 기판 4는 조금씩 움직입니다

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2인치 4인치 6인치 패턴된 사파이어 기판 PSS 빛 방출 다이오드 LED

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2/4/6/8인치 시크 실리콘 탄화물 기판 4H 6H 3C 타입 지원

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4H-N 5x5mm은 원문대로 DSP 세라믹 촉매제 기판을 웨이퍼로 만듭니다

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8인치 SiC 실리콘 탄화물 웨이퍼 4H-N 타입 P/D/R 등급 모스.9 다중 애플리케이션 사용자 정의

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주문 제작된 두께 1.5 밀리미터 4 " 4H-N SiC 크리스털 절단된 그대로 공백 웨이퍼

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5 6 7 8 9 10 11 12

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당신의 탐구 [ sic substrate ] 일치 263 제품

4인치 실리콘 카비드 시크 웨이퍼 4H-P 타입 직경 100mm 두께 350μm 프라임 등급 연구 등급

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55mm/1010mm 실리콘 탄화물 웨이퍼 두께 350μm Sic 3C-N 타입 고기계 강도 생산 등급

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SiC 씨 웨이퍼 4H N 타입 Dia 153 155 2인치-12인치 MOSFET 제조에 맞춤

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2" InSb-Te EPI 서브스트라트 좁은 대역 반도체 서브스트라트 홀 부품

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2인치 SIC 실리콘 탄화물 웨이퍼 4H-N형 MOS 장치 디아 0.4mm

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장비를 위한 주문 제작된 크기 실리콘 카바이드 기판 견고성 9.4 Sic 부품

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CVD SiC 에피타시 웨이퍼 2인치 3인치 4인치 6인치 에피타시 두께 2.5-120um 전자 전력

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주문 제작된 크기 5x5mm 0.5x0.5mm 4H-N SIC 칩 접시

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4H-N 4 인치 6은 SBD MOS 장치에 쓸 SIC 웨이퍼 반도체 물질로 조금씩 움직입니다

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12인치 300mm SiC 실리콘 탄화물 웨이퍼 4H-N 타입 덤미 프라임 연구 등급 다중 응용

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반도체 소자를 위한 2inch 3inch Dia100m 4H-N 유형 실리콘 탄화물 웨이퍼 생산 급료

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SiC Ceramic Optical Path Board for Wafer Inspection Equipment Parallelism ≤0.02mm

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12인치 300mm SiC 실리콘 탄화물 웨이퍼 4H-N 타입 덤미 프라임 연구 등급 다중 응용

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55mm/1010mm 실리콘 탄화물 웨이퍼 두께 350μm Sic 3C-N 타입 고기계 강도 생산 등급

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