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[Sic 6H P ]

일치

112

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시크 실리콘 카바이드 기판 6H-P 타입 0° 축 모스 경도는 레이저 장치에 9.2

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2인치 4인치 6인치 시크 실리콘 탄화물 기판 6H 높은 P-도핑형

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실리콘 탄화물 웨이퍼 Sic 6H-P 타입 오프 축 2.0° 생산 차원 연구 차원

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6H-P 실리콘 탄화물 SiC 기판 6인치 SIC 웨이퍼 4H-P 광전자 장치

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6인치 시크 실리콘 탄화수소 기판 통신 및 레이더 시스템용 6H-P 타입 직경 150mm Prime Grade

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2인치/4인치/6인치/5.05.0mm/10.010.0mm Sic 실리콘 탄화물 기판 타입 3C-N 축: < 111 > ± 0.5° 생산 등급

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CVD SiC 에피타시 웨이퍼 2인치 3인치 4인치 6인치 에피타시 두께 2.5-120um 전자 전력

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4H-N 실리콘 탄화물 SiC 기판 2인치 3인치 4인치 6인치 8인치 12인치 프라임 등급

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2 인치 6H - 발견자를 위한 반 실리콘 탄화물 웨이퍼 저출력 소비

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실리콘 카비드 시크 웨이퍼

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고온, UV 및 정밀 전자 장치를 위한 산업용 6H SiC 기판

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10 밀리미터 Ｘ 10 Mm 6H 반 절연 종류 SiC 기판 연구는 실리콘 탄소 결정 기판을 등급화합니다

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2/4/6/8인치 시크 실리콘 탄화물 기판 4H 6H 3C 타입 지원

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6H-N 4H-N SiC 기판 2는 0.33 밀리미터 0.43 밀리미터 탄화 규소 웨이퍼로 조금씩 움직입니다

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5x40mm 맞춤형 모양 sic 크리스탈 웨이퍼 4H-N Sic 기판 칩

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반도체 아니오 도핑된 SiC 기판 고열 전도성

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