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12인치 시크 싱글 크리스탈 실리콘 탄화물 기판 대용량 고순도 직경 300mm 제품 등급 5G 통신2025-02-21 14:58:31 |
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시크 결정 성장 오븐 PVT LPE HT-CVD 고품질 시크 단일 결정 성장 방법2025-02-21 16:42:38 |
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파워 전자 장치를 위한 4H-N 절단된 그대로 탄화 규소 웨이퍼 0.5 밀리미터 두께2022-06-23 10:13:53 |
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SiC 크리스털 탄화 규소 웨이퍼2020-10-30 18:38:34 |
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SiC 잉글트 성장 오븐은 PVT, Lely TSSG 및 LPE 방법을 사용하여 4 인치, 6 인치 및 8 인치의 큰 크기의 결정을 재배합니다.2025-02-21 16:42:38 |
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2인치 3인치 4인치 SiC 기판 330um 두께 4H-N 타입 생산 등급2024-05-29 11:51:08 |
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고 표준 산업용 애플리케이션을 위한 실리콘 카비드 (SiC) 기판 옵션2024-05-22 13:44:43 |
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광전자 반도체 재료에 사용되는 SiC 기판 4H-N 두께 350um2024-06-26 10:36:52 |
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4인치 3C N형 SiC 기판 실리콘 탄화물 기판 두꺼운 350um 프리미어 등급2024-08-27 09:58:42 |
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4H-SEMI SiC 기판 절단 디스크 직선 10mm 두께 5mm <0001> 높은 경화2024-08-27 09:59:55 |