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[silicon carbide substrate ]

일치

224

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실리콘 카비드 (SiC) 기판 레이저 절단용 6인치 8인치 테스트 등급 웨이퍼

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거짓 생산 연구 급료 실리콘 탄화물 높은 순수성 4h-semi는 투명한 sic 웨이퍼를 유엔 진한 액체로 처리했습니다

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반도체 소자를 위한 2inch 3inch Dia100m 4H-N 유형 실리콘 탄화물 웨이퍼 생산 급료

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파워 전자 장치를 위한 4H-N 절단된 그대로 탄화 규소 웨이퍼 0.5 밀리미터 두께

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거짓 주요한 급료 6inch 실리콘 탄화물 sic 웨이퍼 0.5mm 0.35mm DSP 4H-N/semi 간격 기질

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4inch Sic 주괴 실리콘 탄화물 반도체를 위한 5 - 15mm 간격

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4인치 6인치 4H-N 500mm 350um SIC 웨이퍼 실리콘 카바이드 sic 기판 프라임 더미 그레이드

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10x10x0.5mm HPSI 1 SP (기술병) 2 SP (기술병) 4H 세미 SIC 탄화규소 와페르서브스트레이트

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실리콘 탄화물 웨이퍼 2인치 4인치 6인치 8인치 산업용

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8인치 SiC 실리콘 탄화물 웨이퍼 4H-N 타입 P/D/R 등급 모스.9 다중 애플리케이션 사용자 정의

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시크 실리콘 탄화물 반도체 장치 다중 결정 형태 4H 6H 3C 사용자 지정 크기 5G 통신 칩

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12인치 300mm SiC 실리콘 탄화물 웨이퍼 4H-N 타입 덤미 프라임 연구 등급 다중 응용

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실리콘 카비드 웨이퍼 8인치 200mm 폴리싱 기판 반도체

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