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[sic substrate ]

일치

298

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6인치 실리콘 탄화물 잉글트, 높은 분해장, 열전도성, 전력 전자제품에 대한 넓은 대역 에너지

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SiC 잉글트 성장 오븐은 PVT, Lely TSSG 및 LPE 방법을 사용하여 4 인치, 6 인치 및 8 인치의 큰 크기의 결정을 재배합니다.

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시크 다이아몬드 와이어 절단 기계 정밀 안내 시크 결정 막대 절단

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자립형 HVPE 갈륨 질화물 웨이퍼 GaN 기판 4는 조금씩 움직입니다

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고순도 반절연 실리콘 카바이드 기판 - 멀티 직경 웨이퍼 솔루션 (2" ~ 8")

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