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SiC 기판

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중국 8인치 SiC 실리콘 탄화물 웨이퍼 4H-N 타입 P/D/R 등급 모스.9 다중 애플리케이션 사용자 정의 공장

8인치 SiC 실리콘 탄화물 웨이퍼 4H-N 타입 P/D/R 등급 모스.9 다중 애플리케이션 사용자 정의

8인치 SiC 실리콘 탄화물 웨이퍼 4H-N 타입 P/D/R 등급 모스.9 다중 애플리케이션 사용자 정의 제품 도입 SiC (SiC) 는 일반적으로 실리콘 카바이드로 불리며, 실리콘과 탄소를 결합하여 형성된 화합물이다. 실리콘 카바이드 시드 크리스탈은 반도체 재료에 널... 자세히보기
2025-02-07 15:10:22
중국 4인치 실리콘 카비드 시크 웨이퍼 4H-P 타입 직경 100mm 두께 350μm 프라임 등급 연구 등급 공장

4인치 실리콘 카비드 시크 웨이퍼 4H-P 타입 직경 100mm 두께 350μm 프라임 등급 연구 등급

제품 설명: 4인치 실리콘 카비드 시크 웨이퍼 4H-P 타입 직경 100mm 두께 350μm 프라임 등급 연구 등급 4H-P 실리콘 탄화물 (SiC) 은 고온, 고주파 및 고전력 전자 장치에서 일반적으로 사용되는 중요한 반도체 재료입니다.4H-SiC는 헥사고널 격자 구... 자세히보기
2025-01-24 15:29:41
중국 시크 실리콘 탄화물 웨이퍼 5*5mm/10*10mm 4H-P 타입 생산 등급 공장

시크 실리콘 탄화물 웨이퍼 5*5mm/10*10mm 4H-P 타입 생산 등급

제품 설명: 시크 실리콘 탄화물 웨이퍼 5*5mm/10*10mm 4H-P 타입 생산 등급 4H-P 실리콘 탄화물 (SiC) 은 고온, 고주파 및 고전력 전자 장치에서 일반적으로 사용되는 중요한 반도체 재료입니다.4H-SiC는 헥사고널 격자 구조를 가진 결정 구조의 유형... 자세히보기
2025-01-24 15:04:24
중국 2/4/6/8 인치 시크리콘 탄화물 결정 씨앗 기판 4H-N 타입 고강도 P 등급 R 등급 D 등급 공장

2/4/6/8 인치 시크리콘 탄화물 결정 씨앗 기판 4H-N 타입 고강도 P 등급 R 등급 D 등급

제품 설명: 2/4/6/8 인치 시크 실리콘 탄화물 결정 씨앗 기판 4H-N 타입 고강도 P 등급 R 등급 D 등급 실리콘카바이드 (SiC, Silicon Carbide) 는 실리콘과 탄소를 결합하여 형성된 화합물이다. 실리콘카바이드 시드 크리스탈은 중요한 형태이며,반... 자세히보기
2025-01-24 14:50:41
중국 6인치 시크 실리콘 탄화수소 기판 통신 및 레이더 시스템용 6H-P 타입 직경 150mm Prime Grade 공장

6인치 시크 실리콘 탄화수소 기판 통신 및 레이더 시스템용 6H-P 타입 직경 150mm Prime Grade

제품 설명: 6인치 시크 실리콘 탄화물 기판 6H-P 타입 통신 및 레이더 시스템 용 직경 150mm Prime Grade 6H-SiC (Hexagonal Silicon Carbide) 는 열전도와 고온 저항성을 가진 넓은 반구 반도체 물질입니다.고전력 및 고주파 전자 ... 자세히보기
2025-01-24 14:33:00
중국 시크 3C-N 타입 크기 레이더 시스템에 대한 가공 유도형 MPD 생산 등급 0 공장

시크 3C-N 타입 크기 레이더 시스템에 대한 가공 유도형 MPD 생산 등급 0

제품 설명 시크 3C-N 타입 크기 레이더 시스템에 대한 가공 전도성 타입 MPD 생산 등급 0 3C-SiC (큐브 실리콘 카비드) 는 좋은 전기 및 열 특성을 가진 넓은 대역 반도체 물질로, 특히 고주파,고전력 및 전자 장치 애플리케이션N형 도핑은 일반적으로 질소 ... 자세히보기
2025-01-24 13:46:57
중국 시크 실리콘 탄화물 반도체 장치 다중 결정 형태 4H 6H 3C 사용자 지정 크기 5G 통신 칩 공장

시크 실리콘 탄화물 반도체 장치 다중 결정 형태 4H 6H 3C 사용자 지정 크기 5G 통신 칩

제품 설명 시크 실리콘 탄화물 반도체 장치 다중 결정 형태 4H 6H 3C 사용자 지정 크기 5G 통신 칩 실리콘 카바이드 칩은 실리콘 카바이드 (SiC) 물질로 만든 반도체 장치입니다.그것은 높은 온도에서 우수한 성능을 보여주기 위해 실리콘 카바이드의 우수한 물리적 ... 자세히보기
2025-01-24 13:18:58
중국 6인치 시크 실리콘 탄화물 기판 4H-P 지름 150mm 두께 350μm 제로 MPD 생산, 표준 생산 등급 공장

6인치 시크 실리콘 탄화물 기판 4H-P 지름 150mm 두께 350μm 제로 MPD 생산, 표준 생산 등급

제품 설명: 6인치 시크 실리콘 탄화수소 기판 4H-P 지름 150mm 두께 350μm MPD 생산 순위, 표준 생산 4H-P 실리콘 탄화물 (SiC) 은 고온, 고주파 및 고전력 전자 장치에서 일반적으로 사용되는 중요한 반도체 재료입니다.4H-SiC는 헥사고널 격자 ... 자세히보기
2025-01-24 11:11:23
중국 2인치 SIC 실리콘 탄화물 웨이퍼 4H-N형 MOS 장치 디아 0.4mm 공장

2인치 SIC 실리콘 탄화물 웨이퍼 4H-N형 MOS 장치 디아 0.4mm

2인치 SIC 실리콘 탄화물 웨이퍼 4H-N형 MOS 장치 디아 0.4mm 제품 도입 4H n형 실리콘 카비드 (SiC) 싱글 크리스탈 기판은 전력 전자 장치, 전파 (RF) 장치 및 광 전자 장치에서 널리 사용되는 중요한 반도체 물질입니다.이 기사 는 제조 기술 에 ... 자세히보기
2024-12-05 15:52:17
중국 3인치 HPSI 실리콘 탄화수소 SiC 기판 두께 500um 프리미어 등급 덤미 등급 연구 등급 투명 공장

3인치 HPSI 실리콘 탄화수소 SiC 기판 두께 500um 프리미어 등급 덤미 등급 연구 등급 투명

3인치 HPSI 실리콘 탄화수소 SiC 기판 두께 500um 프리미어 등급 덤미 등급 연구 등급 투명 HPSI에 대해 HPSI SiC 웨이퍼는 고급 반도체 재료로, 높은 전력, 높은 주파수 및 높은 온도 환경에서 전자 장치에서 널리 사용됩니다.반열성 성질, 넓은 대역 ... 자세히보기
2024-12-05 11:57:00
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