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4'' 200nm AlScN 실리콘 웨이퍼에 SSP DSP LED 장치용 에피타시얼 서브스트라트

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4'6' AIN 실리콘 기판에 SSP DSP 반도체 웨이퍼 100nm 200nm 층

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전원 마이크로 LED를 위한 300 밀리미터 갈륨 질화물 웨이퍼 간-ON-실리콘

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LED 애플리케이션을 위한 투명한 10x15mm 001 배향 산화갈륨 GaO 기판

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도핑된 Fe와 10x15mm 100 배향 산화갈륨 GaAs 기판 100 배향

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쿠스토미즈드 간-온-간 SiC 실리콘 사파이어 기판 에피택셜 웨이퍼 4 인치 Dia 100 밀리미터

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간-ON-간 마이크로는 epi 웨이퍼 무료 세우는 GaN 기판에게 2 인치를 보내게 했습니다

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2-4inch HVPE 질화 갈륨 기판은 자유로운 사이즈를 특화했습니다 - 지위 갈륨-질소 단결정 재료

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열 관리 구역을 위한 MPCVD 방법 GaN 다이아몬드 열 방산 웨이퍼

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에피인 GaN을 위한 MPCVD 방법 폴리타입 다이아몬드 기판 웨이퍼

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다이아몬드 위의 GaN과 에피 HEMT (고전자이동도 트랜지스터)과 결합에 의한 질화 갈륨 기판 위의 다이아몬드

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다이아몬드 템플릿 위의 AlN은 다이아몬드 기판에 AlN 에피택셜 막을 웨이퍼로 만듭니다

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