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당신의 탐구  [ silicon carbide substrate ]  일치 224 제품

HPSI High Purity Semi-insulating SiC Wafers 2"3"4"6" 8" Prime/Dummy/Research Grade

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SiC 잉글트 성장 오븐은 PVT, Lely TSSG 및 LPE 방법을 사용하여 4 인치, 6 인치 및 8 인치의 큰 크기의 결정을 재배합니다.

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사파이어 크리스탈 성장 오븐 CZ 방법 Czochralski 오븐은 고품질의 사파이어 크리스탈을 생산

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다이아몬드 위의 GaN과 에피 HEMT (고전자이동도 트랜지스터)과 결합에 의한 질화 갈륨 기판 위의 다이아몬드

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